据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基础芯片
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
概念板块
DRAM、NAND、HBM 等存储芯片的价格、产能与国产进展。
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报告称,2026年9月挖机销量同比增长14.4%,国内更新需求和海外市场支撑工程机械需求,板块估值处于历史偏低水平。全球新造船订单高景气、中国船厂份额提升,航运低效、船队老龄化和绿色替代支撑船舶更新需求。AI带动逻辑与存储扩产、零部件供需偏紧及国产化率提升,报告看好半导体设备和零部件厂商受益于订单增长与份额提升。 点名公司:北方华创(半导体设备)、三一重工(工程机械)、中微公司(半导体设备)、恒立液压(工程机械)、中集集团(船舶集运)、拓荆科技(半导体设备)、海天国际、柏楚电子(激光设备)。 时点:2026-09 2026年9月挖掘机销量同比增长14.4%;2026-09 预计Q3工程机械板块业绩环比、同比明显提升。
高盛认为,尽管AI投资可持续性和高利率担忧压制板块情绪,Rorze和Marumae近期季度订单仍创纪录,设备需求继续增强。AI数据中心扩张推升存储需求,Kioxia受益于企业级SSD需求和价格上行,HOYA的HDD玻璃基板及EUV掩模基板有望加速增长。先进封装、EMIB-T、混合键合及CPO有望推动Disco后续出货;财报需验证收入增长、产能和利润率。 点名公司:Kioxia(存储)、Disco(先进封装)、Ulvac(设备)、SCREEN(设备)、Tokyo Seimitsu(设备)、HOYA(存储基板)、Rorze(设备)、Marumae(设备)。
国金证券称PCB产业链三季报批量超预期,电子布等材料价格上行,并建议关注PCB、CCL及相关新材料公司。特斯拉展示第二代Roadster并计划2028年投产,报告关注碳纤维、钛合金和铝镁合金的潜在拉动。报告还看好非洲建材景气,并关注泛红利资产及地产政策预期。 点名公司:沪电(PCB)、深南(PCB)、景旺(PCB)、兴森(PCB)、科翔(PCB)、崇达(PCB)、超声(PCB)、威尔高(PCB)。 时点:2028-01 特斯拉第二代Roadster计划投产;2026-10-01 首套住房商业贷款财政贴息实施;2026-10 华新建材莫桑比克水泥窑线、特福秘鲁玻璃工厂投产。
高盛称,通胀超预期、AI相关信贷担忧及中国DRAM厂商担忧推动KOSPI急跌,存储股集中暴露放大跌幅。与此同时,盈利预测持续上修、估值降至历史低位,回购成为近期主要资金支撑;外资抛售和风险偏弱仍构成压力。 点名公司:三星电子(存储股)、SK海力士(存储股)。
高盛调研认为,信维通信依托射频连接、精密零组件及材料技术,拓展AI数据中心MLCC、低轨卫星地面终端和新材料。MLCC业务由客户导入转向规模扩张,现有产能大部分已利用,新增产能正在推进;AI服务器大尺寸高容值产品价值量较高,产品结构改善有望支持收入与盈利增长,预计2027年起贡献更加显著。商业卫星地面终端及下一代智能设备应用有望推动智能手机业务之外的增长。 点名公司:Nvidia(AI服务器)、AMD(AI服务器)。 时点:2026-01 AI服务器机架出货量预计增长;2027-01 管理层预计MLCC收入与盈利贡献自2027年起更加显著。
瑞银认为智能体AI推动CPU、ASIC、DRAM及NAND需求上修,AI资本开支和先进封装扩张支撑存储、半导体设备及部分硬件公司。报告预计DRAM上行周期延至2028年第二季度、NAND延至2027年第四季度,并列出多家买入标的;同时指出终端消费疲弱、存储成本承受能力、融资压力及电力约束构成风险。 点名公司:三星电子(存储)、SK海力士(存储)、台达电(电源、配电与液冷)、联发科(半导体)、北方华创(半导体设备)、东京电子(半导体设备)、铠侠(存储)、小米(手机、汽车)。 时点:2028-06 DRAM上行周期预计延续至2028年第二季度;2027-12 NAND上行周期预计延续至2027年第四季度;2027-09 EMIB-T目标商业放量。
高盛认为AI应用带动的先进制程需求进一步增强,且显著超过供给;台积电将2026年销售同比增长展望上调至44%。台积电维持2026年600亿至640亿美元资本支出指引,并预计第四季度显著增加,2026至2028年支出将高于过去三年。高盛据此看好未来数年设备需求,并重申对相关设备公司的买入评级。 点名公司:Lasertec(设备)、Disco(设备)、东京电子(设备)、荏原(设备)、台积电(先进制程)。 时点:2026-10 台积电预计第四季度资本支出显著增加;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
高盛预计长鑫DRAM产能快速增长,但到2028年仍只能覆盖中国50%的DRAM和40%的HBM需求。4F²的密度收益取决于量产成本、效率和良率,客户认证及先进基底芯片获取也构成追赶门槛。高盛认为三星和海力士估值已反映较悲观的下行周期,但短期股价修复催化有限。 点名公司:长鑫(DRAM)、三星(存储)、海力士(存储)、中国本土厂商(基底芯片)、NAND厂商(NAND)。 时点:2026-12 长鑫目标于年底送样;2028-12 长鑫DRAM产能预计增至513KWPM。
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
韩国Kospi指数周一一度下跌3.2%,三星电子和SK海力士均一度下跌超过4%;日经225指数下跌约2%,爱德万测试跌幅居前。美国芯片股上周五连续第八个交易日下跌,市场担忧人工智能建设成本及美国公司项目资金;DeepSeek周末发布AI模型更新版本,称新版本更快、更精简,引发对内存需求的担忧。Kospi刚经历2008年10月以来最糟糕的单周表现,但今年以来仍上涨超过30%。
推荐理由:韩国与日本股市的盘中跌幅、韩国股指此前单周表现及年内涨幅并列呈现,交代了市场波动的时点与区间口径。
高盛Prime经纪业务数据显示,10月8日至14日,对冲基金连续五个交易日净卖出全球AI股票,自2025年初以来的累计净买入在一周内被悉数抹去。截至最新,全球市值最高的20只AI和半导体股票合计蒸发超过1万亿美元市值;韩国股市跌入熊市区间,首尔市场触发熔断机制。对冲基金整体杠杆率仍处于高位,AI交易集中平仓是否会引发新一轮去杠杆仍是市场关注焦点。
推荐理由:高盛Prime经纪业务数据呈现了对冲基金连续五个交易日净卖出全球AI股票的变化,并给出其对年初以来累计净买入的影响。
WTO测算,2026年上半年AI赋能商品贸易额同比增长67%,贡献全球商品贸易增量的约47%,同期占全球商品贸易额的14.8%。文章指出,WTO、UNCTAD和世界银行对AI相关商品的清单与口径不同,贸易额还受到价格上涨影响。全球贸易增量集中在芯片、服务器和数据中心供应链,文章列出实物出货量、半导体库存、数据中心利用率等六项先行指标。
推荐理由:文章对照WTO、UNCTAD和世界银行的商品清单与统计口径,并区分贸易额和贸易量,说明AI商品增量数据的比较边界。
高盛认为AI应用带动的先进制程需求进一步增强,且显著超过供给;台积电将2026年销售同比增长展望上调至44%。台积电维持2026年600亿至640亿美元资本支出指引,并预计第四季度显著增加,2026至2028年支出将高于过去三年。高盛据此看好未来数年设备需求,并重申对相关设备公司的买入评级。 点名公司:Lasertec(设备)、Disco(设备)、东京电子(设备)、荏原(设备)、台积电(先进制程)。 时点:2026-10 台积电预计第四季度资本支出显著增加;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
摩根士丹利认为,AI及网络芯片采用更大尺寸载板、工艺复杂度提升,加上新增产能释放偏晚,将推动ABF载板自2027年起重回供不应求。原料涨价传导和规格升级支撑提价及毛利率扩张,欣兴受益于AI ASIC和服务器CPU份额,南电受益于网络芯片份额及积极定价。报告同时下调AMD GPU需求预测,认为已宣布的ABF投资仍不足以覆盖中长期需求。 点名公司:欣兴(ABF载板)、南电(ABF载板)、AMD(GPU)、英伟达(GPU)、微软(AI芯片)、华为(AI芯片)、寒武纪(AI芯片)、海光(AI芯片)。 时点:2026-06 高端ABF载板预计自2026年下半年随大尺寸服务器及网络芯片载板放量而加速增长;2027-01 ABF市场预计自2027年起转为供不应求;2027-01 预计2027年载板涨价超过25%。
长鑫科技预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1310.00亿至1325.00亿元,同比扭亏为盈。公司称,业绩变动主要与AI算力需求增长、全球DRAM行业景气度提升、产品供不应求、价格上涨及产能利用率保持高位有关。公司预计Q3净利润为533.95亿至548.95亿元,原文据此计算称Q3净利润预计环比增长1%至3%。
推荐理由:预告给出前三季度及第三季度净利润区间,并说明业绩变动涉及AI算力需求、DRAM行业景气、产品价格和产能利用率。
UBI Research称,存储器价格飙升压缩了智能手机为其他组件预留的成本空间,制造商被迫选择屏幕降级。旗舰设备的存储器与显示屏幕物料成本在2025年早期接近;到2026年下半年,存储器成本约占整机40%,约为屏幕成本的6倍。原文将这一变化归因于存储器涨价和OLED产线折旧带来的出货价格下行。
推荐理由:存储器与屏幕物料成本的相对关系从2025年早期接近,变化到2026年下半年约为6倍,呈现成本压力在组件间的传导。
江波龙预计2026年前三季度归母净利润为140亿元至149亿元,同比增长1,864.55%至1,990.84%。公司同时预计营业收入380亿元至400亿元、扣非净利润138亿元至148亿元;业绩预告数据未经审计。
推荐理由:预告列出前三季度营收、归母净利润和扣非净利润区间,并与2025年同期数据及同比增幅并列,且注明数据未经审计。
IDC称,受内存涨价冲击,2026年三季度全球智能手机出货量同比下降22%,遭遇史上最严重季度下滑。过去一年,人工智能行业订单推动存储芯片价格走高,挤压手机厂商利润,促使厂商上调售价、缩减硬件配置或砍掉入门机型;IDC预测,市场增长至少到2028年才可能复苏。IDC研究总监纳比拉·波帕尔称,内存价格自去年以来上涨约350%,且仍在上涨,小米、OPPO受到的冲击较重,苹果与三星电子表现相对更好。
推荐理由:IDC将内存成本上涨与手机厂商涨价、缩减配置及砍掉入门机型联系起来,并给出出货下滑和复苏时间预测。
Counterpoint Research预测,2026年第二季度长江存储按NAND出货量排名升至全球第三,仅次于三星电子和SK海力士,并超过铠侠和美光。若剥离SK海力士旗下Solidigm的出货量,长江存储排名将升至第二位;2025年第一季度至2026年第一季度,其全球NAND营收份额从9%升至14%,营收同比增幅最高达478%。
推荐理由:长江存储的排名按NAND出货量计算,若剥离SK海力士旗下Solidigm,排名口径会从第三升至第二;文中还列出营收份额和同比增幅。
今日亚太主要股市全线深幅调整,韩国综合指数跌超7%,为连续第七日下跌;日经225跌超4%。三星电子跌超8%、SK海力士跌超10%,铠侠跌超11%;原文称,调整受到美国通胀数据走高、美股半导体及科技板块下跌,以及市场对AI产业链资本支出回报和行业竞争的担忧影响。
推荐理由:韩国与日本市场的跌幅及半导体个股表现呈现出科技权重股集中的市场调整情况,原文将其与美国通胀数据和AI产业链担忧相联系。
长鑫科技总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上公布公司在DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展,并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。报道介绍,4F架构每个单元占4倍最小特征尺寸的平方,相较DRAM行业主流6F架构,单位面积内晶体管数量会增多;其核心特色是自研的VSG(Vertical Surrounded Gate)晶体管。
推荐理由:报道梳理了长鑫科技4F架构与主流6F架构的差异,并说明VSG晶体管在提升存储密度中的作用。
WSTS数据显示,2026年8月半导体、逻辑和存储收入同比增长,存储平均售价继续上涨。摩根大通将存储价格走强归因于HBM供需紧张及出货结构改善,并预计2027年HBM短缺加剧。报告预计AI加速器和数据中心CPU支撑先进制程需求,2027年N3供需趋紧、N2扩产加快。 点名公司:台积电(先进制程)、英伟达(HBM需求)。
深圳华强(000062.SZ)预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为5.78亿元-6.86亿元,同比增长60%-90%。公司称,业绩变动主要系电子元器件授权分销业务收入增长,其中存储类产品线出货额同比大幅增长;长尾现货采购业务收入也同比大幅增长。
推荐理由:预告给出前三季度归母净利润区间及同比增幅,并将业绩变动归因于电子元器件授权分销和长尾现货采购业务收入增长。
韩国科学技术信息通信部和产业通商部发布数据,韩国9月ICT出口额同比增长195.8%至751.5亿美元,首次超过700亿美元,在韩国出口总额中占比62.1%。半导体出口额为603.3亿美元,同比增长262.8%;计算机和周边设备出口额为71.6亿美元,同比增长393%,其中SSD出口额为67.7亿美元、增长532%。
推荐理由:韩国9月ICT出口额及贸易顺差均刷新纪录,细分数据呈现半导体、计算机和周边设备增长与显示器出口下降的差异。
铭芯启睿近日宣布,首代RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”已完成流片,目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构,单芯片容量为1Gb,存储密度为30Mb/mm²,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。
推荐理由:芯片已完成流片并进入验证阶段,材料列出容量、存储密度和访问延时,可了解其当前进展与披露的性能口径。
SK海力士在2026OCP全球峰会上推出MARS以内存为核心的整机柜AI系统,采用内存解耦池化设计,最高可将大模型首token生成速度提升5倍。会上还披露HBF高带宽闪存进展,其带宽约为HBM一半、容量可达HBM的14倍,面向AI推理KV缓存需求;HBF规范预计明年发布1.0版本,产品预计2028年初送样。
推荐理由:材料将MARS整机柜内存池化设计与HBF存储规格放在同一场合介绍,列出首token生成速度、容量和带宽口径,以及规范与送样时间。
马斯克回应有关长鑫存储的讨论时称,中国掌握某类产品制造方法后,扩大生产规模的能力往往超过世界其他地区之和。他表示,LPDDR5、LPDDR6相关技术问题正在被迅速解决,而HBM架构及逻辑芯片下方三维堆叠RAM并解决散热的技术攻克难度更高。
推荐理由:马斯克的判断涉及内存规模化生产能力与技术攻关难度,材料同时列出长鑫存储LPDDR6、LPDDR5X产品的量产信息。
巴克莱银行报告称,2026年10月DDR4内存芯片合约价环比上涨4%,近三个月累计上涨24%,高于DDR5的20%。报告还称,新客户供应协议转向随市场定价动态波动,芯片设计商正通过降低产品内存规格或容量应对供应短缺。花旗银行分析称,DRAM与NAND市场供应缺口将延续至2028年,DRAM供需缺口比例预计在2027年第四季度达到13.9%,NAND预计在2028年第一季度达到8.3%。
推荐理由:DDR4合约价近三个月累计涨幅超过DDR5,报告还提到新客户供应协议转向随市场定价,以及芯片设计商通过降规格应对短期缺货。