据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基础芯片
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
长鑫科技10月19日开盘跌近9%,最低报41元,创上市首日以来新低。公司上周五晚公告预计2026年前三季度归母净利润为1310亿至1325亿元,同比扭亏为盈;第三季度净利润预计为533.95亿至548.95亿元,较第二季度的528.43亿元环比增长约1%至3.9%,低于第一、第二季度分别为246.09%、113.4%的环比增速。
长鑫科技成交额超100亿元,目前跌6%。
存储芯片板块走低,拓荆科技跌超10% 存储芯片板块走低,拓荆科技跌超10%,高凯技术、盛视科技、先导基电、德龙激光、金宏气体跟跌。
存储芯片板块走低,拓荆科技跌超10%,高凯技术、盛视科技、先导基电、德龙激光、金宏气体跟跌。
存储芯片局部异动 大普微20cm涨停 存储芯片局部异动,大普微20cm涨停,同有科技、德明利、君正股份等跟涨,长鑫科技跌幅收窄。
美银策略师Michael Hartnett称,美银牛熊指标由8.1降至7.4,跌破8.0门槛,结束5月26日触发的卖出讯号;但卖出讯号终止不代表买点已到。美银广度规则显示,全球股市指数净超卖比例为52%,是2025年4月以来最高,仍低于触发反向买进讯号所需的88%。
长鑫科技预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1310.00亿至1325.00亿元,同比扭亏为盈。公司预计第三季度净利润为533.95亿至548.95亿元,较第二季度的528.43亿元增长约1%至3.9%;第一季度、第二季度环比增速分别为246.09%、113.4%。格隆汇快讯称,存储芯片股开盘普跌,长鑫科技跌近9%报41元,股价创上市首日以来新低。
“木头姐”凯茜·伍德16日就近期因外资抛售而震荡的韩国股市表示:“外资并不是因为基本面恶化而撤离。我认为程序化交易的影响更大”。谈及韩国半导体股大跌,她表示:“现在确实是进入买入区间的合适时机。”当被问及外资流出的决定性原因时,伍德称:“今年6月存储芯片股价见顶回落时,韩元兑美元汇率也创下历史新高。这并不是市场本身存在任何基本面缺陷,而是股价下跌与汇率因素叠加,导致机械性的程序化交易激增。”对于近期存储芯片股的回调,伍德认为这是此前价格快速飙升引发的反作用,“由于存储芯片单价上涨过快,电子设备的零售销量大幅下降。这一因素已经反映在股价之中。”韩国Kospi指数今日开盘跌逾3%,随后回升,截至发
报告称,2026年9月挖机销量同比增长14.4%,国内更新需求和海外市场支撑工程机械需求,板块估值处于历史偏低水平。全球新造船订单高景气、中国船厂份额提升,航运低效、船队老龄化和绿色替代支撑船舶更新需求。AI带动逻辑与存储扩产、零部件供需偏紧及国产化率提升,报告看好半导体设备和零部件厂商受益于订单增长与份额提升。 点名公司:北方华创(半导体设备)、三一重工(工程机械)、中微公司(半导体设备)、恒立液压(工程机械)、中集集团(船舶集运)、拓荆科技(半导体设备)、海天国际、柏楚电子(激光设备)。 时点:2026-09 2026年9月挖掘机销量同比增长14.4%;2026-09 预计Q3工程机械板块业绩环比、同比明显提升。
凯茜·伍德认为,韩国半导体股大跌后已进入买入区间,并称外资撤离更多受程序化交易影响,而非基本面恶化。她将近期存储芯片股回调归因于此前价格快速上涨及电子设备零售销量大幅下降;韩国Kospi指数今日开盘跌逾3%,随后回升至微跌。
长鑫科技跌超8%,成交额超33亿元。
高盛认为,尽管AI投资可持续性和高利率担忧压制板块情绪,Rorze和Marumae近期季度订单仍创纪录,设备需求继续增强。AI数据中心扩张推升存储需求,Kioxia受益于企业级SSD需求和价格上行,HOYA的HDD玻璃基板及EUV掩模基板有望加速增长。先进封装、EMIB-T、混合键合及CPO有望推动Disco后续出货;财报需验证收入增长、产能和利润率。 点名公司:Kioxia(存储)、Disco(先进封装)、Ulvac(设备)、SCREEN(设备)、Tokyo Seimitsu(设备)、HOYA(存储基板)、Rorze(设备)、Marumae(设备)。
South Korean stocks resumed declines Monday, as DeepSeek’s latest model sparked concerns over demand for memory chips, compounding market worries over AI financing.
韩国Kospi指数周一一度下跌3.2%,三星电子和SK海力士均一度下跌超过4%;日经225指数下跌约2%,爱德万测试跌幅居前。美国芯片股上周五连续第八个交易日下跌,市场担忧人工智能建设成本及美国公司项目资金;DeepSeek周末发布AI模型更新版本,称新版本更快、更精简,引发对内存需求的担忧。Kospi刚经历2008年10月以来最糟糕的单周表现,但今年以来仍上涨超过30%。
推荐理由:韩国与日本股市的盘中跌幅、韩国股指此前单周表现及年内涨幅并列呈现,交代了市场波动的时点与区间口径。
截至10月16日12时,A股电子行业有41家公司披露2026年前三季度业绩预告,其中预增、略增、扭亏的公司分别为24家、6家、6家,合计36家,占已披露公司的87.80%。多数预喜公司的业绩变动说明提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称,AI驱动下行业需求旺盛、供给端产能布局缓慢,并预计行业高景气度或持续、三季报业绩大概率持续好转。
三星据悉计划采用台积电3纳米工艺,为英伟达生产下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。报道援引未具名业内人士称,英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用台积电3纳米工艺,以确保性能一致;报道并称这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。
据报道,三星电子计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用该工艺,以确保性能一致性;报道还称,这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。
截至10月16日12时,按申万行业分类,A股41家电子行业上市公司披露2026年前三季度业绩预告,其中24家预增、6家略增、6家扭亏,合计36家,占已披露公司87.80%。记者梳理称,多数预喜公司的业绩变动说明提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称,AI驱动下行业需求依然较旺、供给端产能布局较慢,并预计近期科技季度报告陆续发布、三季报业绩大概率持续好转。
截至10月16日12时,按申万行业分类,A股有41家电子行业上市公司披露2026年前三季度业绩预告,其中24家预增、6家略增、6家扭亏,合计36家预喜,占已披露公司的87.80%。多数预喜公司在业绩变动说明中提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称,AI驱动下行业需求依然较旺盛,供给端产能布局缓慢,高景气度或持续,并预计近期科技公司三季报业绩大概率持续好转。
媒体报道称,三星已接受英伟达请求,由台积电为NVHBM制造base die;NVHBM是基于下一代HBM4E的英伟达定制HBM。三星加入SK海力士和美光,采用台积电3nm base die,以确保一致性。
韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士称,三星电子计划使用台积电3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道说,英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用该工艺,以保障产品性能一致;NVHBM基于第七代HBM4E架构开发。
三星将在英伟达下一代HBM芯片中使用台积电技术。
三星电子和SK海力士在Nextrade盘前交易中均下跌超过5%。
Kioxia Holdings Corp. shares face further downward pressure because of a buildup of positions from investors who borrowed to buy the stock on the assumption it would rise, and now may need to sell at a loss.
Samsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips, Seoul newspaper reports Reuters
韩国媒体报道,受HBM高价长约与通用DRAM持续涨价推动,机构再度上调对SK海力士的业绩预测。SK海力士正式财报将于10月28日发布;韩国经济副总理兼财政部长李炯日表示,半导体行业繁荣势头至少将持续到2027年。
据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片,核心裸片则按英伟达要求统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。该定制产品基于HBM4E架构开发;报道还称,三星正在验证能否在自有产线上制造其基底裸片,作为需求超出台积电产能上限时的预案。
10月9日至15日,A股融资资金净偿还727.10亿元,融资余额从2.53万亿元上方降至24741.96亿元。分行业看,电子、通信板块净偿还额分别为288.47亿元和138.59亿元;个股中,中际旭创、新易盛净偿还额分别为55.41亿元和32.81亿元。
据《首尔经济日报》,三星将采用台积电3纳米制程,为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片,这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。报道援引消息人士称,英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片,并以第六代DRAM技术制造核心芯片;三星接受了这一要求,但计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。
国金证券称PCB产业链三季报批量超预期,电子布等材料价格上行,并建议关注PCB、CCL及相关新材料公司。特斯拉展示第二代Roadster并计划2028年投产,报告关注碳纤维、钛合金和铝镁合金的潜在拉动。报告还看好非洲建材景气,并关注泛红利资产及地产政策预期。 点名公司:沪电(PCB)、深南(PCB)、景旺(PCB)、兴森(PCB)、科翔(PCB)、崇达(PCB)、超声(PCB)、威尔高(PCB)。 时点:2028-01 特斯拉第二代Roadster计划投产;2026-10-01 首套住房商业贷款财政贴息实施;2026-10 华新建材莫桑比克水泥窑线、特福秘鲁玻璃工厂投产。
美银全球研究报告称,云服务商合计未来12个月自由现金流已低于负1000亿美元,资本开支消耗95%的经营现金流;截至2026年9月,英伟达、美光和博通未来12个月自由现金流接近5000亿美元。
独特的“美国与东亚二象性”
高盛称,通胀超预期、AI相关信贷担忧及中国DRAM厂商担忧推动KOSPI急跌,存储股集中暴露放大跌幅。与此同时,盈利预测持续上修、估值降至历史低位,回购成为近期主要资金支撑;外资抛售和风险偏弱仍构成压力。 点名公司:三星电子(存储股)、SK海力士(存储股)。
有关英伟达RTX5090显卡停产的消息引发行业关注。英伟达个人计算业务高级副总裁杰夫・费舍尔日前在台北相关活动上公开回应相关传闻,明确否认停产说法,表示RTX5090仍为企业核心产品,后续将继续保持供货。
爆料人 KeplerL2 称,索尼 PS6 仅内存与 NAND 闪存的物料成本就超过 680 美元,APU、散热、电源及其他硬件尚未计入。其物料总成本估算从今年 3 月的约 760 美元升至 7 月的约 960 美元;索尼尚未公布 PS6 定价。
韩国副总理兼财政经济部长李炯日表示,半导体行业繁荣势头至少将持续到2027年,理由是供需缺口仍大且供应端持续扩张。他还称,半导体产业加剧了韩国股市波动,但带动税收增长;今年韩国税收收入预计超出此前预期。
瑞银预计,HBM4将成为主流内存标准,其占全球HBM总需求比重将从2026年预估的17%升至2027年的39%。瑞银还预计,HBM3E 12‑Hi占比将从65%降至30%,HBM3E 8‑Hi从8%升至17%,HBM4E占9%,HBM3降至5%;基片制造与基板良率被列为HBM4落地的执行风险。英伟达VR300加速器采用8‑Hi堆叠方案。
瑞银预估,谷歌 TPU 的 HBM 消耗量 2027 年将达到 192.4 亿 Gb,较 2026 年预估的 58.5 亿 Gb 同比增长 229%。
美光正在研发面向物理AI的边缘推理内存EIM,拟通过在逻辑芯片上垂直堆叠LPDDR,降低数据处理延迟并提高系统带宽;具体计算架构和目标性能指标尚未公开。美光正推进将EIM集成至LPDDR6方案的技术研发,业内预计量产时间为2028年下半年。美光预计,未来高性能人形机器人将需要约200GB DRAM和4TB存储空间,当前主流服务型机器人通常配置12GB DRAM和256GB存储空间。