报道称三星计划采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片

韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息报道，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光，在其定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用台积电3纳米工艺。英伟达希望各供应商统一制造流程，保障产品性能一致。此举是三星首次在HBM制造环节与台积电开展合作。NVHBM基于第七代HBM4E架构开发。