三星拟用台积电3纳米工艺生产英伟达定制HBM基底裸片
先了解这件事
据韩媒报道，三星计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，并已接受英伟达提出的工艺要求。这将是三星首次在HBM制造环节与台积电合作。 报道援引未具名业内人士称，英伟达要求三星、SK海力士和美光为定制NVHBM统一采用台积电工艺制造基底裸片，核心裸片则使用第六代DRAM技术。报道将NVHBM描述为基于HBM4E架构的产品。 三星计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品；据报道，若英伟达需求超过台积电产能，三星也在评估能否用自有产线生产NVHBM基底裸片。
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报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
- 格隆汇快讯三星据悉计划采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片
三星据悉计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。报道援引未具名业内人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用台积电3纳米工艺，以确保性能一致；报道并称这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。
- 市场快讯据报道三星计划采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片
据报道，三星电子计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用该工艺，以确保性能一致性；报道还称，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。
- X·财经博主媒体报道称三星接受英伟达请求，由台积电为NVHBM制造base die
媒体报道称，三星已接受英伟达请求，由台积电为NVHBM制造base die；NVHBM是基于下一代HBM4E的英伟达定制HBM。三星加入SK海力士和美光，采用台积电3nm base die，以确保一致性。
- 市场快讯报道称三星计划采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片
韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士称，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道说，英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用该工艺，以保障产品性能一致；NVHBM基于第七代HBM4E架构开发。
- IT之家三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片
据报道，三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，核心裸片则按英伟达要求统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。该定制产品基于HBM4E架构开发；报道还称，三星正在验证能否在自有产线上制造其基底裸片，作为需求超出台积电产能上限时的预案。
- 路透社Samsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips, Seoul newspaper reports - Reuters
Samsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips, Seoul newspaper reports Reuters
- 格隆汇快讯三星据报将采用台积电3纳米制程为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片
据《首尔经济日报》，三星将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。报道援引消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并以第六代DRAM技术制造核心芯片；三星接受了这一要求，但计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。
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