据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基础芯片
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
机构与巨头
台积电的产能、先进制程、资本开支与月度营收。
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开源证券认为,Agent任务执行将拓展CPU独立算力需求,台积电业绩与指引验证AI算力需求韧性,高速互联升级利好Tower半导体。AI设备方面,ASML扩产仍难匹配远期需求,开放机架标准落地及联想量产出货,显示整机柜交付和液冷集成进入规模化部署阶段。 点名公司:AMD(CPU机架)、台积电(先进制程)、Semtech(高速模拟芯片)、Tower 半导体(SiGe晶圆制造)、Lumentum、ASML(光刻设备)、英伟达(AI机架)、联想(整机柜系统)。 时点:2026-11 AMD计划将Helion相关技术规格提交OCP,生态伙伴推出机架配置;2028-01 ASML评估进一步扩大2028年产能;2029-01 ASML头部客户设备订单接洽至2029—2030年。
高盛认为,外资创纪录卖出引发科技股回撤,资金转向能源、运输和金融,境内资金承接提供支撑。台积电上调收入指引但毛利率偏软;台湾2026/2027年盈利增长预计为70%/32%,高于一致预期。高盛维持台湾超配,并给出台湾加权指数12个月目标57,500点。 点名公司:元大台湾50ETF(ETF)、台积电(半导体)。 时点:2026-10 第三季度财报主要集中发布;2026-12 台湾2026年盈利增长预期;2027-12 台湾2027年盈利增长预期。
瑞银认为智能体AI推动CPU、ASIC、DRAM及NAND需求上修,AI资本开支和先进封装扩张支撑存储、半导体设备及部分硬件公司。报告预计DRAM上行周期延至2028年第二季度、NAND延至2027年第四季度,并列出多家买入标的;同时指出终端消费疲弱、存储成本承受能力、融资压力及电力约束构成风险。 点名公司:三星电子(存储)、SK海力士(存储)、台达电(电源、配电与液冷)、联发科(半导体)、北方华创(半导体设备)、东京电子(半导体设备)、铠侠(存储)、小米(手机、汽车)。 时点:2028-06 DRAM上行周期预计延续至2028年第二季度;2027-12 NAND上行周期预计延续至2027年第四季度;2027-09 EMIB-T目标商业放量。
高盛认为,智能体AI推动AI加速器、服务器CPU和高速网络芯片需求增长,台积电先进制程产能持续扩张。N2爬坡、3nm及A14扩产,以及CoWoS扩张,将带动外延片、EUV材料、靶材、CMP浆料、金属材料和先进封装材料需求。高盛认为日本材料供应商有望受益。 点名公司:GlobalFoundries(硅中介层制造)、旭化成(先进封装材料)、东京应化工业(先进封装材料)。 时点:2027-01 N2系列年度产能较2026年翻倍以上;2027-09 亚利桑那二厂量产提前;2028-01 A14计划商业化生产。
高盛认为AI应用带动的先进制程需求进一步增强,且显著超过供给;台积电将2026年销售同比增长展望上调至44%。台积电维持2026年600亿至640亿美元资本支出指引,并预计第四季度显著增加,2026至2028年支出将高于过去三年。高盛据此看好未来数年设备需求,并重申对相关设备公司的买入评级。 点名公司:Lasertec(设备)、Disco(设备)、东京电子(设备)、荏原(设备)、台积电(先进制程)。 时点:2026-10 台积电预计第四季度资本支出显著增加;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
高盛认为,先进制程与CoWoS封装优势使台积电受益于AI、高性能计算及硅含量提升,AI需求仍显著超过供给。管理层上调2026年美元收入增长展望,并指引2027年N2产能增长超过一倍;高盛据此看好未来数年增长,但认为N2爬坡和海外工厂扩张会压低近期毛利率。 时点:2027-01 2027年N2产能预计增长超过一倍;2028-06 台南N3新厂计划量产。
高盛认为,台积电人工智能及先进制程需求强劲,全年美元收入增长预期上调至约44%,且资本开支维持在600亿至640亿美元。N3增量产能以及N2、A14需求前景支撑欧洲设备企业,A14计划于2028年大规模量产。台积电计划于2030年采用ASML高数值孔径设备,高盛据此看好设备链的长期前景,并给予ASML、ASM International、BESI及Technoprobe买入评级。 点名公司:ASML(高数值孔径光刻设备)、ASM International(欧洲设备企业)、BESI(欧洲设备企业)、Technoprobe(欧洲设备企业)、台积电(先进制程)。 时点:2030-01 台积电计划使用ASML高数值孔径光刻设备;2028-01 台积电计划A14进入大规模量产;2026-01 台积电计划2026至2028年资本开支显著高于此前三年。
瑞银将2027、2028年每股收益预测分别上调8.6%、9.7%,依据是EUV出货增加及毛利率改善,并预计2028年低NA EUV出货117台、毛利率接近60%。瑞银认为先进光刻的竞争壁垒支撑ASML长期地位,High-NA扩产仍有中期上行潜力。预计2026年末积压订单超过550亿欧元,高于445亿欧元的一致预期;主要风险来自客户资本开支周期、订单延后及下一代EUV技术执行。 点名公司:Samsung(客户)、TSMC(客户)、Intel(客户)、Hynix(客户)、Nikon(竞争者)、Canon(竞争者)。 时点:2026-12 2026年第四季度订单或提高High-NA扩产规模与时间安排的可见度;2026-12 后续披露积压订单,预计2026年末超过550亿欧元。
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
媒体报道称,台积电熊本第二晶圆厂计划于2028年12月投产,制程从原计划的6/12nm改为3nm。新的3nm生产计划提出一期产能为每月6,000片晶圆;原文关于台积电总资本支出的内容不完整。
推荐理由:报道涉及台积电熊本第二晶圆厂的投产时间、制程调整和一期规划产能,呈现了项目当前披露的口径。
台积电控股的日本合资企业JASM第二晶圆厂转产3纳米芯片的计划,已获日本经济产业省批准。该厂此前规划生产40纳米、12纳米和6纳米工艺芯片,设计总月产能为6.3万片晶圆。
推荐理由:JASM第二晶圆厂此前规划涵盖40纳米、12纳米和6纳米工艺,现获准转向3纳米生产,原文同时给出其设计总月产能。
高盛认为,智能体AI推动AI加速器、服务器CPU和高速网络芯片需求增长,台积电先进制程产能持续扩张。N2爬坡、3nm及A14扩产,以及CoWoS扩张,将带动外延片、EUV材料、靶材、CMP浆料、金属材料和先进封装材料需求。高盛认为日本材料供应商有望受益。 点名公司:GlobalFoundries(硅中介层制造)、旭化成(先进封装材料)、东京应化工业(先进封装材料)。 时点:2027-01 N2系列年度产能较2026年翻倍以上;2027-09 亚利桑那二厂量产提前;2028-01 A14计划商业化生产。
高盛认为AI应用带动的先进制程需求进一步增强,且显著超过供给;台积电将2026年销售同比增长展望上调至44%。台积电维持2026年600亿至640亿美元资本支出指引,并预计第四季度显著增加,2026至2028年支出将高于过去三年。高盛据此看好未来数年设备需求,并重申对相关设备公司的买入评级。 点名公司:Lasertec(设备)、Disco(设备)、东京电子(设备)、荏原(设备)、台积电(先进制程)。 时点:2026-10 台积电预计第四季度资本支出显著增加;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
三星奥斯汀与泰勒工厂负责人 Jon Taylor 表示,泰勒市集群第二座晶圆厂 Fab 2 计划于 2026 年 11 月动工。Fab 1 仍计划于 2026 年内上线,目前已进入验证阶段,气体和化学品几乎全数投用,已安装设备开始运行。Jon Taylor 感谢特斯拉的订单,并表示埃隆·马斯克的 Terafab 计划不会改变这笔交易。
推荐理由:泰勒 Fab 2 的计划动工时间与 Fab 1 的设备导入、验证进度并列呈现,材料也交代了特斯拉订单及 Terafab 计划相关表态。
高盛认为,台积电人工智能及先进制程需求强劲,全年美元收入增长预期上调至约44%,且资本开支维持在600亿至640亿美元。N3增量产能以及N2、A14需求前景支撑欧洲设备企业,A14计划于2028年大规模量产。台积电计划于2030年采用ASML高数值孔径设备,高盛据此看好设备链的长期前景,并给予ASML、ASM International、BESI及Technoprobe买入评级。 点名公司:ASML(高数值孔径光刻设备)、ASM International(欧洲设备企业)、BESI(欧洲设备企业)、Technoprobe(欧洲设备企业)、台积电(先进制程)。 时点:2030-01 台积电计划使用ASML高数值孔径光刻设备;2028-01 台积电计划A14进入大规模量产;2026-01 台积电计划2026至2028年资本开支显著高于此前三年。
伯恩斯坦称第三季度收入超预期,第四季度营收指引中值环比增长约14%,全年美元营收增速展望提高至44%。高性能计算收入占比达68%,N2已贡献8%,且预计2027年年度产能增至两倍以上。先进制程爬坡短期稀释毛利率,但需求改善、审慎扩产及执行能力支撑长期盈利增长。 点名公司:Terafab、马斯克。 时点:2026-10 第四季度营收指引为523亿至543亿美元;2027-01 预计2027年N2年度产能增长至两倍以上。
里昂称台积电第三季业绩胜预期,并维持“高度确信跑赢大市”评级及3700新台币目标价,该目标价基于2027年盈利25倍市盈率。台积电第三季每股盈利29.43新台币,高于里昂估计的28.6新台币;收入同比增长50.9%至1.494万亿新台币,毛利率为66.4%,符合里昂估计。
推荐理由:里昂将台积电第三季每股盈利与收入数据和自身估计对照,并列出对2027年、2028年资本开支的基准预测及上行风险。
台积电称正在讨论参与马斯克计划在德州建设的Terafab芯片制造项目,并已派团队评估在德州扩产,相关计划仍在商议中。台积电公布7月至9月净利润为7631亿新台币,同比增长69%;营收为1.49万亿新台币,同比增长51%,均高于预期。马斯克此前表示将建设并运营晶圆厂;台积电董事长魏哲家则称,德州工厂必须由台积电运营。
推荐理由:台积电称已派团队评估德州扩产并与Terafab项目讨论合作,马斯克对晶圆厂运营安排的表述与台积电的要求有所不同。
台积电董事长魏哲家在法说会上更新海外扩充进度,亚利桑那州第二座晶圆厂已完成建设,目前处于机台移入与安装阶段,计划于2027年第3季开始量产,比先前预定时间稍早。日本第二座晶圆厂将采用3纳米制程,量产预计于2028年展开。
推荐理由:台积电更新了亚利桑那州第二座晶圆厂的建设与量产安排,并将计划时间与此前预定时间作了比较。
台积电第三季度净利润同比增长69%至7631亿元台币(236亿美元),高于分析师平均预期。此前公司公布当季销售额增长51%至470亿美元,也超出预期;公司表示,今年资本支出至多将达640亿美元。
推荐理由:台积电第三季度净利润与此前披露的销售额均高于分析师预期,同时公司给出今年资本支出至多640亿美元的口径。
台积电董事长称,因需求强劲,公司将在台湾额外增建一座3纳米晶圆厂。
推荐理由:内容交代了台积电在台湾增建3纳米晶圆厂的计划及需求背景,呈现其产能扩建安排。
台积电预计2026年以美元计算的营收将增长约44%,此前预测为略高于40%。
推荐理由:台积电将2026年美元营收增长预期调整至约44%,高于此前略高于40%的预测,前后口径便于对照。
台积电确认2026年资本支出预期为600亿至640亿美元。
台积电预计第四季度营收为523亿至543亿美元。标题所列2025年第四季度营收为337.3亿美元。
推荐理由:材料给出第四季度营收预期区间,并以2025年第四季度营收作对照,便于查看两期数字口径。
美国银行报告称,台积电2nm生产线订单能见度已排至2028年。台积电预计今年量产N2P系列,并于2027年推出面向资料中心与高速晶片优化的N2X系列;截至2026年第二季底,2nm、3nm、5nm分别占营收3%、30%、33%。美银预估2nm营收占比第三季将升至11%,并预测2028年第三季先进制程晶圆月供需量将突破50万片、产能利用率上看105%;该行称台积电仅需25%产能利用率即可维持获利。
推荐理由:美银把订单能见度、各制程营收占比和产能利用率放在同一组预测中,呈现其对2nm放量及先进制程供需的测算口径。
WSTS数据显示,2026年8月半导体、逻辑和存储收入同比增长,存储平均售价继续上涨。摩根大通将存储价格走强归因于HBM供需紧张及出货结构改善,并预计2027年HBM短缺加剧。报告预计AI加速器和数据中心CPU支撑先进制程需求,2027年N3供需趋紧、N2扩产加快。 点名公司:台积电(先进制程)、英伟达(HBM需求)。
应用材料公司当地时间10月12日在美国加州硅谷揭幕EPIC中心,计划随着客户项目启动逐步投入约50亿美元。中心将开展下一代半导体材料、设备及制造工艺研发,台积电、英特尔、三星电子、美光和SK海力士为创始合作伙伴。
推荐理由:应用材料计划随客户项目启动逐步投入约50亿美元,内容涉及半导体材料、设备与制造工艺研发,以及台积电、英特尔等创始合作伙伴。
微软正式发布 Maia 300 AI 芯片,计划 2027 年部署,配备 288GB HBM4 内存,带宽为 18TB/s,FP4 算力最高可达 13.8 PFLOPS。该芯片采用台积电 N2P 制程,SoC 功耗额定值为 950W,高于 Maia 200 的 750W;单个机架可容纳 96 颗,最多可组建包含 12000 颗加速器的集群。
推荐理由:Maia 300 的内存容量、带宽与算力参数,以及相较 Maia 200 的功耗变化,为比较微软两代 AI 芯片的规格提供了具体口径。