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据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基础芯片

应英伟达标准化要求 三星将与台积电首次合作生产HBM

利好+0.55对 相关行业影响 中等

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推荐理由

报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。

正文

应英伟达标准化要求 三星将与台积电首次合作生产HBM! 【应英伟达标准化要求 三星将与台积电首次合作生产HBM!】据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺为英伟达的下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片,这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作。

来源:市场快讯 · stockai.guestpost.cn