据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基础芯片
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。
推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。
开源证券认为,Agent任务执行将拓展CPU独立算力需求,台积电业绩与指引验证AI算力需求韧性,高速互联升级利好Tower半导体。AI设备方面,ASML扩产仍难匹配远期需求,开放机架标准落地及联想量产出货,显示整机柜交付和液冷集成进入规模化部署阶段。 点名公司:AMD(CPU机架)、台积电(先进制程)、Semtech(高速模拟芯片)、Tower 半导体(SiGe晶圆制造)、Lumentum、ASML(光刻设备)、英伟达(AI机架)、联想(整机柜系统)。 时点:2026-11 AMD计划将Helion相关技术规格提交OCP,生态伙伴推出机架配置;2028-01 ASML评估进一步扩大2028年产能;2029-01 ASML头部客户设备订单接洽至2029—2030年。
三星据悉计划采用台积电3纳米工艺,为英伟达生产下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。报道援引未具名业内人士称,英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用台积电3纳米工艺,以确保性能一致;报道并称这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。
据报道,三星电子计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用该工艺,以确保性能一致性;报道还称,这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。
媒体报道称,台积电熊本第二晶圆厂计划于2028年12月投产,制程从原计划的6/12nm改为3nm。新的3nm生产计划提出一期产能为每月6,000片晶圆;原文关于台积电总资本支出的内容不完整。
推荐理由:报道涉及台积电熊本第二晶圆厂的投产时间、制程调整和一期规划产能,呈现了项目当前披露的口径。
媒体报道称,三星已接受英伟达请求,由台积电为NVHBM制造base die;NVHBM是基于下一代HBM4E的英伟达定制HBM。三星加入SK海力士和美光,采用台积电3nm base die,以确保一致性。
韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士称,三星电子计划使用台积电3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道说,英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用该工艺,以保障产品性能一致;NVHBM基于第七代HBM4E架构开发。
三星将在英伟达下一代HBM芯片中使用台积电技术。
Samsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips, Seoul newspaper reports Reuters
据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片,核心裸片则按英伟达要求统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。该定制产品基于HBM4E架构开发;报道还称,三星正在验证能否在自有产线上制造其基底裸片,作为需求超出台积电产能上限时的预案。
台积电控股的日本合资企业JASM第二晶圆厂转产3纳米芯片的相关计划,已获日本经济产业省批准。该厂此前规划生产40纳米、12纳米和6纳米工艺芯片,设计总月产能为6.3万片晶圆。
同一新闻,精选展示《台积电控股的JASM日本第二晶圆厂获准转向3纳米芯片生产》
台积电控股的日本合资企业JASM第二晶圆厂转产3纳米芯片的计划,已获日本经济产业省批准。该厂此前规划生产40纳米、12纳米和6纳米工艺芯片,设计总月产能为6.3万片晶圆。
推荐理由:JASM第二晶圆厂此前规划涵盖40纳米、12纳米和6纳米工艺,现获准转向3纳米生产,原文同时给出其设计总月产能。
高盛认为,外资创纪录卖出引发科技股回撤,资金转向能源、运输和金融,境内资金承接提供支撑。台积电上调收入指引但毛利率偏软;台湾2026/2027年盈利增长预计为70%/32%,高于一致预期。高盛维持台湾超配,并给出台湾加权指数12个月目标57,500点。 点名公司:元大台湾50ETF(ETF)、台积电(半导体)。 时点:2026-10 第三季度财报主要集中发布;2026-12 台湾2026年盈利增长预期;2027-12 台湾2027年盈利增长预期。
日本经产省已批准台积电在日合资子公司 JASM 第二晶圆厂转产 3nm 的计划,项目预计 2028 年 12 月完工并于同月投产。第二厂原规划生产 40nm、12nm、6nm,月产能合计 6.3 万片;调整后仅生产 3nm,月产能 6,000 片。JASM 第一晶圆厂也调整规划,月产 4.5 万片 22/28nm 晶圆和 5,000 片 40nm 晶圆。
同一新闻,精选展示《台积电控股的JASM日本第二晶圆厂获准转向3纳米芯片生产》
美国科技股持续遭抛售,高盛编制的亚洲 AI 硬件股篮子上周下跌 11%,为 7 月中旬以来最大单周跌幅。材料称,市场担忧正从 AI 芯片需求扩展至超大规模云厂商和新型云服务商的融资与算力基建投资,台积电、SK 海力士、三星电子及元器件、设备供应商的盈利可能受到项目延期影响。高德纳预警,到 2030 年,超过 3.5 万亿美元的 AI 基建投资或面临减值风险。
瑞银认为智能体AI推动CPU、ASIC、DRAM及NAND需求上修,AI资本开支和先进封装扩张支撑存储、半导体设备及部分硬件公司。报告预计DRAM上行周期延至2028年第二季度、NAND延至2027年第四季度,并列出多家买入标的;同时指出终端消费疲弱、存储成本承受能力、融资压力及电力约束构成风险。 点名公司:三星电子(存储)、SK海力士(存储)、台达电(电源、配电与液冷)、联发科(半导体)、北方华创(半导体设备)、东京电子(半导体设备)、铠侠(存储)、小米(手机、汽车)。 时点:2028-06 DRAM上行周期预计延续至2028年第二季度;2027-12 NAND上行周期预计延续至2027年第四季度;2027-09 EMIB-T目标商业放量。
Bolt Graphics宣布,已完成Zeus架构GPU测试芯片的调试,测试芯片在台积电12nm工艺上流片,面积为6mm²,A0步进未发现功能问题,功耗为1.4W。商用GPU芯片将采用台积电N5P制程,预计2027Q1开放开发者访问权限、2027年底向早期访问计划客户提供首批产品,并于2028年启动PCIe AIC和服务器量产、全面上市。
台积电董事长兼总裁魏哲家表示,AI需求持续升温、供需缺口仍大,台积电本季度美元营收继续创新高,全年美元营收预计同比增长约44%。他称,公司正全力扩产;AI应用由聊天机器人走向AI助理,AI智能体使用增加、开源模型普及,带动更多先进芯片需求。除AI加速器外,AI CPU与网络通信芯片需求也在增加。
高盛认为,智能体AI推动AI加速器、服务器CPU和高速网络芯片需求增长,台积电先进制程产能持续扩张。N2爬坡、3nm及A14扩产,以及CoWoS扩张,将带动外延片、EUV材料、靶材、CMP浆料、金属材料和先进封装材料需求。高盛认为日本材料供应商有望受益。 点名公司:GlobalFoundries(硅中介层制造)、旭化成(先进封装材料)、东京应化工业(先进封装材料)。 时点:2027-01 N2系列年度产能较2026年翻倍以上;2027-09 亚利桑那二厂量产提前;2028-01 A14计划商业化生产。
高盛认为AI应用带动的先进制程需求进一步增强,且显著超过供给;台积电将2026年销售同比增长展望上调至44%。台积电维持2026年600亿至640亿美元资本支出指引,并预计第四季度显著增加,2026至2028年支出将高于过去三年。高盛据此看好未来数年设备需求,并重申对相关设备公司的买入评级。 点名公司:Lasertec(设备)、Disco(设备)、东京电子(设备)、荏原(设备)、台积电(先进制程)。 时点:2026-10 台积电预计第四季度资本支出显著增加;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
三星奥斯汀与泰勒工厂负责人 Jon Taylor 表示,泰勒市集群第二座晶圆厂 Fab 2 计划于 2026 年 11 月动工。Fab 1 仍计划于 2026 年内上线,目前已进入验证阶段,气体和化学品几乎全数投用,已安装设备开始运行。Jon Taylor 感谢特斯拉的订单,并表示埃隆·马斯克的 Terafab 计划不会改变这笔交易。
推荐理由:泰勒 Fab 2 的计划动工时间与 Fab 1 的设备导入、验证进度并列呈现,材料也交代了特斯拉订单及 Terafab 计划相关表态。
高盛认为,先进制程与CoWoS封装优势使台积电受益于AI、高性能计算及硅含量提升,AI需求仍显著超过供给。管理层上调2026年美元收入增长展望,并指引2027年N2产能增长超过一倍;高盛据此看好未来数年增长,但认为N2爬坡和海外工厂扩张会压低近期毛利率。 时点:2027-01 2027年N2产能预计增长超过一倍;2028-06 台南N3新厂计划量产。
高盛认为,台积电人工智能及先进制程需求强劲,全年美元收入增长预期上调至约44%,且资本开支维持在600亿至640亿美元。N3增量产能以及N2、A14需求前景支撑欧洲设备企业,A14计划于2028年大规模量产。台积电计划于2030年采用ASML高数值孔径设备,高盛据此看好设备链的长期前景,并给予ASML、ASM International、BESI及Technoprobe买入评级。 点名公司:ASML(高数值孔径光刻设备)、ASM International(欧洲设备企业)、BESI(欧洲设备企业)、Technoprobe(欧洲设备企业)、台积电(先进制程)。 时点:2030-01 台积电计划使用ASML高数值孔径光刻设备;2028-01 台积电计划A14进入大规模量产;2026-01 台积电计划2026至2028年资本开支显著高于此前三年。
瑞银将2027、2028年每股收益预测分别上调8.6%、9.7%,依据是EUV出货增加及毛利率改善,并预计2028年低NA EUV出货117台、毛利率接近60%。瑞银认为先进光刻的竞争壁垒支撑ASML长期地位,High-NA扩产仍有中期上行潜力。预计2026年末积压订单超过550亿欧元,高于445亿欧元的一致预期;主要风险来自客户资本开支周期、订单延后及下一代EUV技术执行。 点名公司:Samsung(客户)、TSMC(客户)、Intel(客户)、Hynix(客户)、Nikon(竞争者)、Canon(竞争者)。 时点:2026-12 2026年第四季度订单或提高High-NA扩产规模与时间安排的可见度;2026-12 后续披露积压订单,预计2026年末超过550亿欧元。
伯恩斯坦认为,提价谈判已完成,既有订单使提价在2027年部分体现、2028年全面体现,推动长期每股收益上修。先进逻辑与DRAM扩产带动EUV增长,浸没式设备定价与中国持续扩产支撑DUV上修,装机基数和升级周期推动服务收入增长。扩产成本和近期产能约束可能影响盈利兑现节奏。 点名公司:Intel、Samsung(客户)、TSMC(客户)、Mistral AI。 时点:2027-01 既有订单下提价开始部分体现;2028-01 提价全面体现;2028-01 Samsung计划导入High NA大规模制造。
高盛称第三季度EBIT高于一致预期5%,并将全年收入指引上调至440亿至450亿欧元、毛利率约56%。长期客户承诺、AI基础设施投资和DRAM投资提升需求可见度,需求预计至少到2028年仍超过供给。扩量、较高生产率EUV设备占比提升、价值定价及升级业务被认为将支撑利润率。 点名公司:Samsung(晶圆代工)、TSMC(晶圆代工)。 时点:2027-01 关键量产产品价值定价开始贡献提价;2028-01 关键量产产品提价于2028年完整体现;2027-01 Samsung计划引入高NA大规模生产。
伯恩斯坦称第三季度收入超预期,第四季度营收指引中值环比增长约14%,全年美元营收增速展望提高至44%。高性能计算收入占比达68%,N2已贡献8%,且预计2027年年度产能增至两倍以上。先进制程爬坡短期稀释毛利率,但需求改善、审慎扩产及执行能力支撑长期盈利增长。 点名公司:Terafab、马斯克。 时点:2026-10 第四季度营收指引为523亿至543亿美元;2027-01 预计2027年N2年度产能增长至两倍以上。
美股科技股近20日走势分化,存储芯片股跌幅突出。Meta、微软分别上涨8.42%、7.57%,美光科技下跌11.42%,SK海力士下跌25.70%;博通、台积电分别下跌5.88%、4.42%。同期沃尔玛上涨11.30%,礼来上涨9.66%。
近20日美股科技股走势分化,Meta、微软分别上涨8.42%、7.57%,美光科技和SK海力士分别下跌11.42%、25.70%。苹果上涨2.63%,英伟达下跌1.97%;沃尔玛、礼来分别上涨11.30%、9.66%。
伯恩斯坦认为,台湾9月半导体设备进口同比增长37%,但全球及日本来源进口三个月移动均值环比下降,短期动能弱于同比读数。ASML台湾系统销售约26.9亿欧元,高于进口回归预测,台积电扩产支撑光刻需求。Advantest、Tokyo Electron和Screen的台湾收入模型则分别显示下行风险、环比下降或增长低于一致预期;进口来源国拆分缺失也限制了Screen模型精度。 点名公司:Advantest(测试设备)、Tokyo Electron(半导体设备)、ASML(光刻设备)、Screen(清洗设备)、台积电。
美股AI芯片股集体下跌,英特尔、AMD跌超3%,博通、台积电跌超2%。高通、思科、谷歌、微软、IBM跌超1%。
野村认为AI需求强劲,HPC收入增长及智能体AI带动CPU与网络需求,支撑台积电经营增长。先进制程扩产、先进封装升级和潜在美国扩产将承接客户需求;N2爬坡、海外厂成本与通胀压力可能由涨价和效率改善部分抵消。 点名公司:ASML(设备)、GlobalFoundries(后端供应)。 时点:2027-12 2027年2纳米全年产能增长至两倍以上;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
费城半导体指数日内跌2.04%,现报11345.01点。英伟达跌0.53%,博通跌2.27%,美光跌3.24%,英特尔跌1.87%,AMD跌2.72%,高通跌2.19%,台积电跌0.84%,阿斯麦跌0.32%。
Markets price the cost of resilience before its value. That leaves a blind spot around companies built to grow through disruption.
I've been pretty clear about my skepticism around land, power and shells, though the rest of the world waking up in a big way could change the picture. The question is whether it happens, and on what timeline. “TSMC is very conservative and doesn't freelance. They're sending 引用 @DratchCap:Zoom out
摩根大通预计台积电或在2028年前加快扩产,并维持台股“增持”评级,给出3300元新台币目标价。该行预计台积电2027及2028年资本开支分别增至900亿及1090亿美元,美元收入分别同比增长40%及28%。
巴克莱:将台积电(TSM.US)目标价从665美元上调至670美元。
摩根大通预计台积电或在2028年前加快扩产,并维持台股“增持”评级,给出目标价3300元新台币。该行预计台积电2027及2028年资本开支分别增至900亿及1090亿美元,以美元计算的收入分别同比增长40%及28%;报告将扩产与先进晶圆供需缺口扩大及人工智能需求强劲联系起来。
阿斯麦发布2026年Q3财报,收入116.62亿欧元,同比增长55%,净利润49.6亿欧元,毛利率57.5%;财报发布当天股价收跌3.94%。服务收入为33亿欧元,同比增长67.6%,股权投资公允价值增值贡献5.1亿欧元。公司预计Q4收入为142亿至152亿欧元,并将全年收入预期下限上调至440亿欧元、上限维持450亿欧元;管理层称客户采购意向已延伸至2029年至2030年。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家在第三季度财报电话会上表示,美国亚利桑那第二座晶圆厂已完成建设,正在安装设备,目标于2027年第三季度量产,较此前计划略有提前。凤凰城市政府消息称,该厂将采用3纳米制程;报道还称,台积电在亚利桑那州的计划总投资额为2,650亿美元,并已派团队评估在得克萨斯州扩建的可能性。
同一新闻,精选展示《台积电称亚利桑那州第二座晶圆厂计划于2027年第三季度量产》