三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

据报道，三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，核心裸片则按英伟达要求统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。该定制产品基于HBM4E架构开发；报道还称，三星正在验证能否在自有产线上制造其基底裸片，作为需求超出台积电产能上限时的预案。