三星据悉计划采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星据悉计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。报道援引未具名业内人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用台积电3纳米工艺，以确保性能一致；报道并称这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。