三星据报将采用台积电3纳米制程为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片

据《首尔经济日报》，三星将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。报道援引消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并以第六代DRAM技术制造核心芯片；三星接受了这一要求，但计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。