国际投行研报· 野村·· 4 天前
野村：4F²使实际每晶圆单元增幅约40%，利好国产设备，量产预计在2027—2028年
野村：Asia Semi and Technology：Implications of CXMT’s recent progress on 4F2
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4F²使实际每晶圆单元增幅约40%，利好国产设备，量产预计在2027—2028年
核心逻辑
野村估计，6F²迁移至4F²理论上可缩小约33%的单元面积，但考虑额外晶圆、产能配置和良率后，实际每晶圆单元增幅约40%。4F²及混合键合提高沉积、刻蚀、CMP和平坦化需求，野村列拓荆科技和中微公司为受益标的。野村认为CXMT年底产品更可能是送样或实验品，量产预计在2027—2028年，且与全球领先厂商仍有至少三年技术差距。
点名公司
关键数字
- 4F²单元面积理论缩小
- 约33%
- 理论单位面积单元增幅
- 约50%
- 实际每晶圆单元增幅估计
- 约40%
- 单代工艺迁移参照增幅
- 约30%
- 国内高深宽比刻蚀标准
- 60:1
- 接近市场化的高深宽比刻蚀
- 90:1
- CXMT与全球领先厂商技术差距
- 至少三年
- 研报评级
- 买入（CXMT、拓荆科技及中微公司；野村正文）
催化与时点
- 2026-12CXMT计划年底推出结合4F²和晶圆级混合键合的DDR5 RDIMM
- 2027-014F²量产预计启动
- 2028-124F²量产预计持续至
风险
- 年底产品可能仅为送样或实验品，稳定规模制造仍需时间
- 良率、产能配置及额外晶圆影响实际增益
- CXMT与全球领先厂商仍有至少三年技术差距
- 柱体刻蚀及间隙填充难度提高
来源：国际投行研报 · stockai.guestpost.cn