国际投行研报· 高盛·· 2 天前
高盛认为长鑫扩产将加剧竞争，但4F²近期冲击或被高估，韩系估值已反映下行周期
高盛：GLOBAL TECHNOLOGY： SEMICONDUCTORS~MEMORY Our take on CXMT’s 4F2 announcement and implication to Samsung Electronics and SK Hynix
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机构
高盛
目标价
三星普通股50万韩元；海力士350万韩元
核心逻辑
高盛预计长鑫DRAM产能快速增长，但到2028年仍只能覆盖中国50%的DRAM和40%的HBM需求。4F²的密度收益取决于量产成本、效率和良率，客户认证及先进基底芯片获取也构成追赶门槛。高盛认为三星和海力士估值已反映较悲观的下行周期，但短期股价修复催化有限。
点名公司
- 长鑫提及DRAM分歧预计扩产；4F²量产经济性及HBM追赶仍有门槛
- 三星受益存储看多获高盛买入评级；2028年预期市净率0.9倍
- 海力士受益存储看多估值已反映较悲观下行周期；短期修复催化有限
- 中国本土厂商提及基底芯片中性受先进设备出口管制约束
- NAND厂商提及NAND中性与长鑫同步下跌，报告据此讨论股价调整因素
关键数字
- 主要存储厂商股价下跌
- 11%至26%
- 合计市值减少
- 约7380亿美元
- 长鑫DRAM产能
- 2026年底290KWPM；2028年底513KWPM，增长77%
- 三星DRAM产能增长
- 2026年底至2028年底增长21%
- 海力士DRAM产能增长
- 2026年底至2028年底增长17%
- 长鑫2028年需求覆盖
- 中国DRAM需求50%；HBM需求40%
- 2028年预期市净率
- 三星及海力士均为0.9倍
催化与时点
- 2026-12长鑫目标于年底送样
- 2028-12长鑫DRAM产能预计增至513KWPM
风险
- 长鑫距高良率量产仍远，产品成本、良率、客户认证和商业化时间待验证
- 先进基底芯片获取可能持续成为长鑫HBM追赶瓶颈
- 4F²制造复杂性、对准精度及良率损失可能削弱密度收益
- 韩系存储股短期推动股价迅速恢复的催化剂有限
来源：国际投行研报 · stockai.guestpost.cn