券商与国际投行研报：评级、目标价与核心论点
报告称，2026年9月挖机销量同比增长14.4%，国内更新需求和海外市场支撑工程机械需求，板块估值处于历史偏低水平。全球新造船订单高景气、中国船厂份额提升，航运低效、船队老龄化和绿色替代支撑船舶更新需求。AI带动逻辑与存储扩产、零部件供需偏紧及国产化率提升，报告看好半导体设备和零部件厂商受益于订单增长与份额提升。 点名公司：北方华创（半导体设备）、三一重工（工程机械）、中微公司（半导体设备）、恒立液压（工程机械）、中集集团（船舶集运）、拓荆科技（半导体设备）、海天国际、柏楚电子（激光设备）。 时点：2026-09 2026年9月挖掘机销量同比增长14.4%；2026-09 预计Q3工程机械板块业绩环比、同比明显提升。
高盛认为，尽管AI投资可持续性和高利率担忧压制板块情绪，Rorze和Marumae近期季度订单仍创纪录，设备需求继续增强。AI数据中心扩张推升存储需求，Kioxia受益于企业级SSD需求和价格上行，HOYA的HDD玻璃基板及EUV掩模基板有望加速增长。先进封装、EMIB-T、混合键合及CPO有望推动Disco后续出货；财报需验证收入增长、产能和利润率。 点名公司：Kioxia（存储）、Disco（先进封装）、Ulvac（设备）、SCREEN（设备）、Tokyo Seimitsu（设备）、HOYA（存储基板）、Rorze（设备）、Marumae（设备）。
国金证券称PCB产业链三季报批量超预期，电子布等材料价格上行，并建议关注PCB、CCL及相关新材料公司。特斯拉展示第二代Roadster并计划2028年投产，报告关注碳纤维、钛合金和铝镁合金的潜在拉动。报告还看好非洲建材景气，并关注泛红利资产及地产政策预期。 点名公司：沪电（PCB）、深南（PCB）、景旺（PCB）、兴森（PCB）、科翔（PCB）、崇达（PCB）、超声（PCB）、威尔高（PCB）。 时点：2028-01 特斯拉第二代Roadster计划投产；2026-10-01 首套住房商业贷款财政贴息实施；2026-10 华新建材莫桑比克水泥窑线、特福秘鲁玻璃工厂投产。
高盛称，通胀超预期、AI相关信贷担忧及中国DRAM厂商担忧推动KOSPI急跌，存储股集中暴露放大跌幅。与此同时，盈利预测持续上修、估值降至历史低位，回购成为近期主要资金支撑；外资抛售和风险偏弱仍构成压力。 点名公司：三星电子（存储股）、SK海力士（存储股）。
高盛调研认为，信维通信依托射频连接、精密零组件及材料技术，拓展AI数据中心MLCC、低轨卫星地面终端和新材料。MLCC业务由客户导入转向规模扩张，现有产能大部分已利用，新增产能正在推进；AI服务器大尺寸高容值产品价值量较高，产品结构改善有望支持收入与盈利增长，预计2027年起贡献更加显著。商业卫星地面终端及下一代智能设备应用有望推动智能手机业务之外的增长。 点名公司：Nvidia（AI服务器）、AMD（AI服务器）。 时点：2026-01 AI服务器机架出货量预计增长；2027-01 管理层预计MLCC收入与盈利贡献自2027年起更加显著。
瑞银认为智能体AI推动CPU、ASIC、DRAM及NAND需求上修，AI资本开支和先进封装扩张支撑存储、半导体设备及部分硬件公司。报告预计DRAM上行周期延至2028年第二季度、NAND延至2027年第四季度，并列出多家买入标的；同时指出终端消费疲弱、存储成本承受能力、融资压力及电力约束构成风险。 点名公司：三星电子（存储）、SK海力士（存储）、台达电（电源、配电与液冷）、联发科（半导体）、北方华创（半导体设备）、东京电子（半导体设备）、铠侠（存储）、小米（手机、汽车）。 时点：2028-06 DRAM上行周期预计延续至2028年第二季度；2027-12 NAND上行周期预计延续至2027年第四季度；2027-09 EMIB-T目标商业放量。
高盛认为AI应用带动的先进制程需求进一步增强，且显著超过供给；台积电将2026年销售同比增长展望上调至44%。台积电维持2026年600亿至640亿美元资本支出指引，并预计第四季度显著增加，2026至2028年支出将高于过去三年。高盛据此看好未来数年设备需求，并重申对相关设备公司的买入评级。 点名公司：Lasertec（设备）、Disco（设备）、东京电子（设备）、荏原（设备）、台积电（先进制程）。 时点：2026-10 台积电预计第四季度资本支出显著增加；2027-01 A14风险试产；2028-01 A14量产。
高盛预计长鑫DRAM产能快速增长，但到2028年仍只能覆盖中国50%的DRAM和40%的HBM需求。4F²的密度收益取决于量产成本、效率和良率，客户认证及先进基底芯片获取也构成追赶门槛。高盛认为三星和海力士估值已反映较悲观的下行周期，但短期股价修复催化有限。 点名公司：长鑫（DRAM）、三星（存储）、海力士（存储）、中国本土厂商（基底芯片）、NAND厂商（NAND）。 时点：2026-12 长鑫目标于年底送样；2028-12 长鑫DRAM产能预计增至513KWPM。
渠道专家预计企业IT支出不会出现需求断档，大客户优先获得供应，中小企业积压需求有望随存储器供应改善，于2027年下半年及2028年转为出货。智能体AI规模部署预计向混合及本地环境迁移，带动网络、存储和安全投资，NetApp、Pure Storage及Dell处于有利位置。业务部门增量资金有望拓宽传统IT预算；但个人电脑需求因提前释放，预计2027年偏弱。 点名公司：Dell（服务器、存储与网络）、NetApp（存储）、Pure Storage（存储）。 时点：2027-09 存储器供应改善，积压需求有望转为出货；2028-01 积压需求有望于2028年转为出货。
偏强CPI后散户周净流入降至34亿美元，半导体周跌约9%后科技ETF买盘迅速逆转，整体风险偏好转弱。报告仍对半导体保持选择性积极，关注供给瓶颈、产能释放和定价能力，并首选AVGO和MRVL。ASML业绩及指引超预期、订单超过现有远期产能，支持进一步扩产讨论；AI基础设施投资也延伸至电力供给和自研芯片。 点名公司：NVDA（半导体）、SNDK（半导体）、AVGO（半导体）、MU（半导体）、AMD（半导体）、ASML（设备）、MRVL（半导体）、HTZ。 时点：2026-10 ASML三季度业绩及四季度销售、利润率和EBIT指引超预期；2026-10 半导体三季度业绩与指引，焦点转向供给瓶颈和扩产时点。
瑞银认为，美日支持的SPV拟为两座新厂提供最高210亿美元融资，GFS通过技术与运营服务收费并分享未来SPV的EBITDA，减轻资本负担。相关收费预计2027年开始，早于2029年首批晶圆产出；十年累计自由现金流贡献约30亿美元。瑞银认为项目有助于巩固GFS在美国特色代工体系中的地位并争取数据中心与AI市场份额，但短期盈利上修有限，第二座新厂仍待投资决定。 时点：2028-12 第二座晶圆厂是否推进的股东决定期限。
瑞银称台湾科技第三季度收入同比增长60%，服务器、封测及测试设备表现强劲，但消费电子偏弱，九月销售环比低于季节性。云厂商资本开支、GPU与ASIC新平台及测试市场扩张支撑服务器硬件和京元电子中期需求；瑞银预计京元电子2027年收入增长48%、净利润增长70%。第四季度新平台交付集中在季末且受HBM和组件供应限制，个人电脑需求预计疲弱至2027年。 点名公司：致茂（测试设备）、义隆（消费芯片）、祥硕（消费芯片）、谱瑞（消费芯片）、台达电（电源）、光宝（电源）、玉晶光（组件）、大立光（组件）。 时点：2026-10 Vera Rubin预计第四季度中期启动出货，2027年加速；2026-11 Rubin初期交付集中在11月至12月；2026-12 AMD Helios MI455预计12月下旬交付。
摩根士丹利认为，AI及网络芯片采用更大尺寸载板、工艺复杂度提升，加上新增产能释放偏晚，将推动ABF载板自2027年起重回供不应求。原料涨价传导和规格升级支撑提价及毛利率扩张，欣兴受益于AI ASIC和服务器CPU份额，南电受益于网络芯片份额及积极定价。报告同时下调AMD GPU需求预测，认为已宣布的ABF投资仍不足以覆盖中长期需求。 点名公司：欣兴（ABF载板）、南电（ABF载板）、AMD（GPU）、英伟达（GPU）、微软（AI芯片）、华为（AI芯片）、寒武纪（AI芯片）、海光（AI芯片）。 时点：2026-06 高端ABF载板预计自2026年下半年随大尺寸服务器及网络芯片载板放量而加速增长；2027-01 ABF市场预计自2027年起转为供不应求；2027-01 预计2027年载板涨价超过25%。
摩根大通认为韩国存储股估值已反映下行周期，而供需基本面仍偏紧：预计2027年HBM综合售价上涨60%，非长期协议DRAM与NAND合约价每季度上涨5%至10%。企业级SSD需求增长预计可抵消消费电子NAND需求疲弱；MLCC短期表现或优于存储。报告建议逢弱积累三星、SK海力士、铠侠等，并指出未来两年仍有约20%供需缺口。 点名公司：三星（存储）、SK海力士（存储）、铠侠（存储）、长鑫（DRAM）。 时点：2026-12 投资者等待更清晰的长期协议信息；2027-01 HBM综合售价预计上涨60%；2027-01 DRAM与NAND供需预计较2026年进一步趋紧。
瑞银认为，GPU与定制ASIC出货增加、HBM中较低的KV缓存配置带来的NAND卸载，以及推理需求增长，将持续抬升NAND需求。存储厂商优先扩充DRAM，瑞银预计2026及2027年NAND供给不增长、价格未来六个季度继续环比上涨。铠侠的横向微缩成本优势和约三年的长期协议、约一半的最终覆盖量，有助于兑现涨价收益；苹果采购折价假设则压低近期及中期盈利预测。 点名公司：苹果（客户）。 时点：2027-12 NAND供需紧张可能延续至2027年底；2027-12 瑞银预计NAND价格于2027年第四季度见顶。
瑞银认为，AI数据中心供应链的利润机会正转向高密度互连、低功耗光器件、低损耗铜箔及高品质InP衬底，技术瓶颈和量产能力比单纯需求敞口更关键。瑞银看好三井金属的MicroThin等铜箔业务、藤仓的高密度连接方案及住友电工的光器件和信息通信业务，认为利润率与资本回报有提升空间。瑞银对古河电工和JX先进金属维持中性，认为部分增长预期已计价，且资源业务回落、供给兑现和良率仍有约束。 点名公司：三井金属（铜箔）、藤仓（连接方案）、住友电工（光器件）、古河电工（光通信及散热）、JX先进金属（InP衬底）、云南锗业（InP衬底）、德福科技（铜箔）。 时点：2026-11 三井金属业绩推动MicroThin盈利预期调整；2027-01 三井金属战略说明会推动预期调整；2030-01 JX数据通信InP衬底供需紧张可能持续。
野村认为，8月FC-BGA基板出货金额增长主要由均价上涨和高端多层封装占比提升推动，面积出货仅小幅增长。台湾厂商涨价可能促使日本厂商重议低利润产品价格。数据中心投资能否继续扩张，则取决于AI收入增长和多智能体系统成本效益验证。 点名公司：Anthropic（前沿模型实验室）、Ibiden（封装基板）。
瑞银认为AI服务器扩容与推理部署推动DRAM、DDR5、SOCAMM和SSD需求增长，服务器需求强于PC及手机。模型预计2026—2027年DRAM和NAND供应充足率为负，价格维持高位；2027年HBM需求增速快于供给。瑞银以覆盖公司剔除长鑫后2027—2030年平均自由现金流收益率29%为估值锚，认为存储股回调可能形成机会，并将三星电子列为首选。 点名公司：三星电子（存储）、长鑫（存储）、SK海力士（存储）、美光（存储）、英伟达（客户）。 时点：2027-01 AI推理部署推动2027年服务器DDR5订单上调；2027-01 Vera CPU相关SOCAMM订单2027年超过500亿Gb；2027-01 三星HBM位元出货预计增长96%，份额升至41%。
高盛认为，ASML扩产及设备吞吐量升级将提高晶圆加工量，推动EUV光刻胶和300毫米硅片中期需求改善。DRAM新增Low-NA EUV客户增加，东京应化正提升DRAM用EUV胶份额，因此被认为直接受益。 点名公司：信越化学（先进材料）、东京应化（EUV光刻胶）、SUMCO（300毫米硅片）、ASML（光刻设备）。 时点：2027-01 ASML维持2027年扩产30%的计划；2028-01 ASML考虑2028年超过此前30%的扩张指引。
野村估计，6F²迁移至4F²理论上可缩小约33%的单元面积，但考虑额外晶圆、产能配置和良率后，实际每晶圆单元增幅约40%。4F²及混合键合提高沉积、刻蚀、CMP和平坦化需求，野村列拓荆科技和中微公司为受益标的。野村认为CXMT年底产品更可能是送样或实验品，量产预计在2027—2028年，且与全球领先厂商仍有至少三年技术差距。 点名公司：拓荆科技（沉积、混合键合设备）、中微公司（刻蚀、CMP）、三星、SK海力士、长鑫科技（存储芯片）。 时点：2026-12 CXMT计划年底推出结合4F²和晶圆级混合键合的DDR5 RDIMM；2027-01 4F²量产预计启动；2028-12 4F²量产预计持续至。
报告以一致预期未来十二个月EPS增长19%支撑沪深300目标，并采用高股息与AI、CXO/创新药的杠铃配置。AI内部偏好存储及服务器、交换机ODM/OEM，理由是远期市销率较合理且销售增长较好，正文首选华勤技术。报告认为全球AI硬件供需与盈利仍强，但短期资金撤离、持仓拥挤及地缘限制压制反弹；国内AI政策方向积极，仍需等待预算和资本开支预测上修。 点名公司：华勤技术（服务器/交换机ODM/OEM）。 时点：2028-01 全球AI硬件供需紧张预计至少持续到2028年。
高盛看好AI服务器内存需求、DDR5升级及互连新品放量。RCD05与CK01P已量产，MRDIMM相关芯片有望提升单模组价值量，第二代产品已进入规模客户试用。报告将2026年净利润预测下调约6%，将2027和2028年预测分别上调约11%和14%。 时点：2026-09 RCD05与CK01P进入量产；2027-01 高代际DDR5接口芯片及新品贡献预计增强。
WSTS数据显示，2026年8月半导体、逻辑和存储收入同比增长，存储平均售价继续上涨。摩根大通将存储价格走强归因于HBM供需紧张及出货结构改善，并预计2027年HBM短缺加剧。报告预计AI加速器和数据中心CPU支撑先进制程需求，2027年N3供需趋紧、N2扩产加快。 点名公司：台积电（先进制程）、英伟达（HBM需求）。
作者认为AI驱动半导体需求持续旺盛，全球CSP资本开支增长、存储及多类芯片涨价、晶圆产能偏紧，共同支撑行业景气。作者预计三季度业绩持续好转、AI基建高景气延续，并建议关注AI算力、存储、光模块与光芯片、PCB、AIoT及半导体国产替代方向。消费电子可能受到存储价格过高的压制，行业估值处于较高水平。 点名公司：寒武纪（算力芯片）、海光信息（算力芯片）、澜起科技（算力芯片）、摩尔线程（算力芯片）、沐曦股份（算力芯片）、龙芯中科（算力芯片）、源杰科技（光器件）、长光华芯（光器件）。 时点：2026-10 关注10月三季报催化窗口；2026-10 半导体需求预计持续偏紧，存储芯片价格或震荡上行。
调查中70%的受访者认为AI变现是未来12个月亚太股票表现的最大驱动力，认为AI利好已合理或过度计价的比例由55%降至35%。受访者维持AI超配或转向产业链内部轮动的比例合计升至45%，存储成为更受偏好的AI风险收益机会。区域偏好台湾和日本，中国、印度及印尼为净低配市场；报告未点名个股。 时点：2026-12 受访者预计日本央行再次加息。
美银认为苹果与AI需求推动2nm、3nm产品组合升级，三季度收入超指引，四季度预计环比增长10%-15%。先进制程扩产、3nm高利用率与提价，以及CoWoS、SoIC需求增长支撑盈利预测上调。折旧增速预计低于收入增速，支持毛利率提升，但2nm良率、海外厂爬坡和折旧增加限制短期毛利率。 点名公司：苹果（客户）、AMD（客户）、Intel（竞争对手）、ASE（封装）、SpaceX（客户）、英伟达（客户）。 时点：2026-12 四季度收入预计环比增长10%-15%；2028-12 SoIC预计扩至英伟达Feynmann GPU及CPO应用；2028-12 SoIC产能预计达到50k WPM。
摩根大通认为，AI投资、供给约束和非AI周期复苏支撑半导体盈利上修，销售数据支持3Q业绩及积极的4Q指引。AI集群扩张带动网络互连需求，DRAM与HBM紧缺及长期协议改善存储盈利可见性；设备增长由代工/逻辑和DRAM驱动，但洁净室约束可能影响收入兑现。报告偏好AVGO、MRVL、KLAC，以及工业敞口较高的TXN和ADI；汽车复苏偏弱，PC和消费电子面临存储涨价压力。 点名公司：AVGO（网络芯片）、MRVL（连接平台）、KLAC（半导体设备）、ADI（工业模拟）、TXN（工业模拟）、MCHP（工业模拟）、CDNS（EDA）、SNPS（EDA）。 时点：2026-09 报告预计3Q结果符合或略好于预期；2026-10 4Q指引预计维持积极；2027-01 代理式AI对EDA的实质收入贡献更可能从FY27及以后体现。
西南证券认为，AI算力需求推动GPU、ASIC等芯片功耗和供电电流提升，带动AI芯片电感市场扩张。铂科新材已形成“合金软磁粉末—合金软磁粉芯—AI芯片电感”垂直一体化布局，粉芯业务保持龙头地位，芯片电感随产能爬坡和客户协同开发而增长。报告预计公司2026—2028年归母净利润复合增速约43.9%。 时点：2030-01 全球AI芯片电感市场预计由2025年的58亿元增至2030年的269亿元；2026-01 公司2026—2028年归母净利润预计分别为6.34亿元、9.04亿元和12.47亿元。
研报认为，三环集团凭借陶瓷粉体与专用设备自研形成垂直一体化优势，高端MLCC突破有望受益于AI服务器需求增长及国产替代。公司已构建SOFC全产业链技术链条，数据中心供电需求和海外产能建设有望推动第二成长曲线兑现。东吴证券预测公司2026—2028年收入和归母净利润持续增长，并首次覆盖给予买入评级。 点名公司：英伟达（客户）、Microsoft（CSP）、AWS（CSP）、Google（CSP）、Meta（CSP）、Bloom Energy（SOFC客户）、潍柴动力（SOFC系统）、振华股份（金属铬）。
摩根士丹利认为，AI推理缓存采用QLC、长期合约及HBM挤占传统DRAM产能，支撑存储需求和2027年价格，供需反转在2027年大部分时间出现的概率较低。企业级SSD价格涨幅加速，但消费级库存向下游转移，2027年OEM降规格与中国供应增加可能压低消费级NAND价格。三星与SK海力士估值低可能对应峰值盈利，股价已反映大量利好；配置相对偏好AI计算与网络，对存储选择性参与。 点名公司：三星（存储）、SK海力士（存储）、美光（存储）、长江存储（NAND）、长鑫（DRAM/HBM）。 时点：2026-10 企业级SSD第四季度价格环比涨幅预期上调至15–20%；2026-09 企业级SSD第三季度价格环比涨幅由20–25%提高至23–28%；2027-01 韩国PC DRAM供给预计同比下降逾20%。
南亚三季度ASP和营业利润率上升，支持高盛对韩系存储厂商价格与利润率的判断。HBM产能配置增加、南亚新厂预计2027年第四季度才开始产出，将限制传统DRAM位元供给增长。高盛认为行业供应紧张至少持续整个2027年，并提到南亚拟提高AI收入贡献。 点名公司：三星（存储）、海力士（存储）。 时点：2027-03 南亚新厂设备搬入；2027-12 南亚新厂开始产出；2028-12 南亚新厂产能升至每月3万片。
摩根大通认为，新云客户对GB300的需求及ODM直供模式增强，产能趋紧推动订单外溢至二线ODM并改善合同定价，可缓冲CSP转向VR200的短期空档。通用服务器终端需求稳健，但组件错配限制四季度出货增长；VR200转换与AWS液冷延迟增加出货波动。笔记本出货连续收缩，显卡主板涨价、需求恶化风险及iPhone潜在砍单使PC和代工判断偏谨慎。 点名公司：智邦、纬创（ODM）、纬颖（ODM）、联想、华硕、微星、和硕（代工）、鸿海（代工）。 时点：2026-12 AWS液冷服务器出货由9月延至12月。
华龙证券认为，节后机械板块随科技成长回调，但行业基本面未发生方向性变化。存储涨价和晶圆厂资本开支上行支撑半导体设备，工程机械内需与出口改善，人形机器人量产节点临近、可控核聚变工程化提速，轨交装备招标景气度上行。报告建议关注具备订单与业绩支撑的板块及个股，并维持行业“推荐”评级。 点名公司：北方华创（半导体设备）、中微公司（半导体设备）、拓荆科技（半导体设备）、华海清科（半导体设备）、至纯科技（半导体设备）、新莱应材（半导体设备）、路维光电（半导体设备）、恒立液压（核心零部件）。 时点：2026-10 普通DRAM合约价预计环比上涨10%~15%；2027-12 BEST装置园区交付启用，项目力争建成；2026-12 特斯拉要求供应商年底产能提升至2000-2500台/周。
报告认为亚洲科技远期PE已明显回落，盈利仍处净上调周期但速度放缓，建议坚持质量科技并增配价值科技。AI需求稳健支持半导体盈利增长，报告偏好联发科TPU份额提升逻辑，也提及台积电、三星、SK海力士和美光。互联网估值低、冷落度高，盈利下调触底并出现修复迹象；报告看好腾讯AI及个人智能体期权、阿里云增长，以及BOSS直聘和网易的业务驱动。 点名公司：联发科（半导体）、台积电（半导体）、三星（半导体）、SK海力士（半导体）、美光（半导体）、CXMT（半导体）、腾讯（互联网）、阿里云（云）。 时点：2026-10 四季度继续偏向质量科技。
瑞银认为设备厂商提前备货支持WFE上行及LRCX十二月季度收入预期，并维持LRCX买入。TXN工业及数据中心需求改善，产能和库存优势可能支持份额回升，模型预计数据中心收入占比上升。WDC短期盈利强劲且预测高于市场，但瑞银担忧HDD供给扩张、竞争及周期后段估值压缩，下调远期ASP和目标价。 点名公司：LRCX（半导体设备）、TXN（半导体）、WDC（HDD）、STX（HDD）、UCT（子系统供应商）、TDK（磁头）、东芝（数据中心HDD）。 时点：2026-09 预计TXN第三季度收入环比增长10.7%，高于季节性；2026-12 预计TXN第四季度收入环比下降约3.7%，优于季节性；2028-12 模型预计TXN数据中心收入占比到2028年升至25%。
瑞银认为，HBM5可能采用单次插入而非全堆栈混合键合，且配置低于20层，键合步骤和设备需求可能减少。逻辑与光子应用虽有增长，但瑞银认为市场低估TSMC及Intel现有产能，技术渗透不一定带来相应新增设备订单。非混合键合业务2026—2028年收入复合增长约21%，仍不足以抵消混合键合业务弱于预期。中国先进封装需求仍强，主要与华为和寒武纪的2.5D建设有关，也可能涉及中际旭创的光子die attach需求。 点名公司：TSMC（现有产能）、Intel（现有产能）、华为（2.5D建设）、寒武纪（2.5D建设）、中际旭创（光子die attach）、ASML（新进入者）。 时点：2026-10-22 Q3业绩关注订单落差及HBM采用预期更新；2028-01 瑞银预计HBM5小批量采用混合键合；2029-01 瑞银预计HBM5混合键合明显放量。
瑞银认为，英伟达需求仍明显超过供给，土地、电力和机房约束正成为AI扩张瓶颈，开源与企业AI及GPU融资可能拓宽需求和建设资金来源。美光节点迁移位元增益递减、HBM与ECC需求限制行业位元供给增长。ADI工业业务尚未恢复至前期峰值，数据中心电源机会带来增量收入空间；瑞银称其为本次会议中增量最乐观的公司。 点名公司：英伟达（AI基础设施）、美光（存储芯片）、ADI（模拟芯片）。 时点：2027-01 英伟达管理层称即使2027年出现70%至100%高增长情景，需求也足以消化供给；2027-01 瑞银认为美光2027年初可能披露更大回购授权。
高盛认为长上下文和KV缓存增长使AI推理面临带宽与容量双重约束，HBF、XL Flash及zNAND-O等NAND技术有望扩大上下文长度并降低系统成本。HBF与HBM混合架构可提高GPU利用率，示例中每千tokens/s成本下降32.69%，但不同技术路线的性能、封装和应用市场不同，现阶段尚无法判断哪种方案率先商业化。HBF较高的晶圆消耗可能延长NAND紧缺周期，写入带宽、耐久度、功耗和制造成本仍制约普及。 点名公司：闪迪（NAND）、三星（存储）、美光（存储）、SK海力士（存储）、英伟达（加速器）、博通（加速器）、AMD（加速器）、铠侠（NAND）。 时点：2027-01 高盛预计HBF商业样品开始出货；2026-12 铠侠计划送样超过1,000万IOPS产品；2027-01 铠侠计划送样1亿IOPS第二代产品。
报告认为，AI服务器和先进封装需求增长拓宽自动化装备空间。鸿仕达的SOCAMM服务器内存封装设备已向中国台湾客户批量出货，并为其独家供应；TIM2服务器散热点胶设备与其协同应用于服务器L6核心制程。报告预计泛半导体业务增长及相关设备交付将推动公司中长期业绩提升。 点名公司：英伟达（算力厂商）、华天科技（芯片封测）、矽品科技（苏州）有限公司（芯片封测）、渠梁电子有限公司（芯片封测）、立讯精密（客户）、富士康（客户）、台郡科技（客户）、鹏鼎控股（客户）。 时点：2026-01 SOCAMM2预计开始量产；2026-09 VeraRubin预计Q3首批交付、Q4规模量产。
野村基于Blackwell、Rubin等效虚拟处理器仿真，认为Rubin等效横向供电面临阻抗瓶颈，单靠增加PCB电容效果有限。垂直供电及IVR缩短供电路径、改善瞬态响应，并降低输出侧电容缓冲需求，但输入侧电容仍重要。野村看好村田的器件与模块能力，以及TDK的薄膜电感和高温高压产品；器件需求可能转向封装内及嵌入式电容、安装密度和薄膜电感。 点名公司：村田（电容与模块）、TDK（薄膜电感）、太阳诱电（MLCC）、英伟达（GPU）。 时点：2027-01 TDK薄膜电感预计自2027年起用于IVR；2027-01 采用iPaS电容嵌入基板的垂直供电稳压器模块预计自2027年起量产。