国际投行研报· 高盛·· 6 天前
高盛认为HBM产能倾斜及南亚新厂延后释放将限制DRAM供给增长，紧张格局或持续至2027年
高盛：Asia Pacific Technology： Semiconductors~Memory： Nanya Tech 3Q26 read~across： limited level of DRAM bit supply growth likely for 2027
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核心逻辑
南亚三季度ASP和营业利润率上升，支持高盛对韩系存储厂商价格与利润率的判断。HBM产能配置增加、南亚新厂预计2027年第四季度才开始产出，将限制传统DRAM位元供给增长。高盛认为行业供应紧张至少持续整个2027年，并提到南亚拟提高AI收入贡献。
点名公司
- 三星受益存储看多高盛维持买入；HBM ASP预计同比增长159%
- 海力士受益存储看多高盛维持买入，目标价350万韩元
- 南亚主体DRAM看多三季度涨价及利润率提升支持韩系存储盈利判断
关键数字
- 南亚长期协议覆盖率
- 50%–70%
- 南亚三年期协议占产出
- 超过20%
- 南亚第三季度ASP环比增长
- 逾60%
- 南亚第三季度ASP同比增长
- 逾500%
- 南亚第三季度营业利润环比增长
- 76%
- 南亚第三季度营业利润率
- 80%
- 三星HBM ASP同比增长预期
- 159%
- 三星HBM占DRAM收入预期
- 20%
催化与时点
- 2027-03南亚新厂设备搬入
- 2027-12南亚新厂开始产出
- 2028-12南亚新厂产能升至每月3万片
- 2030-12南亚新厂计划产能升至每月5万片
- 2029-01南亚管理层目标AI收入贡献达到40%–50%
风险
- 供需恶化
- 终端需求转弱
- AI资本开支下降
来源：国际投行研报 · stockai.guestpost.cn