生益科技三季度净利润指引超高盛预测65%,AI覆铜板需求与规格升级支撑增长
高盛认为AI覆铜板需求增长、规格升级和产品组合改善推动量价齐升,并上调生益科技2026—2028年净利润预测。公司进入关键客户,客户拓展、产能扩张及M9+渗透率提升有望带动份额和盈利增长。 时点:2026-09 三季度净利润指引32亿至36亿元,中值较高盛此前预测高65%;2026-12 AI覆铜板市场预计增长181%;2027-12 AI覆铜板市场预计增长217%。
券商与国际投行研报:评级、目标价与核心论点。按时间排,不论是否入选精选。
高盛认为AI覆铜板需求增长、规格升级和产品组合改善推动量价齐升,并上调生益科技2026—2028年净利润预测。公司进入关键客户,客户拓展、产能扩张及M9+渗透率提升有望带动份额和盈利增长。 时点:2026-09 三季度净利润指引32亿至36亿元,中值较高盛此前预测高65%;2026-12 AI覆铜板市场预计增长181%;2027-12 AI覆铜板市场预计增长217%。
瑞银认为覆铜板提价及经营杠杆将推动盈利改善,并将南亚塑胶2026、2027年EPS预测分别上调17%、31%。南亚科盈利改善及台塑化收益扩张预计增厚投资收益;经营现金流、投资分红和持股变现支持75%派息率。瑞银认为市场尚未充分反映电子材料盈利增长及现金回报持续性。 点名公司:南亚科、台塑化、台塑、台化、南亚电路板。 时点:2026-10 美国云厂商对高端AI覆铜板进行客户认证并带来潜在订单;2027-01 预计覆铜板涨价周期延续至2027年。
瑞银首选村田与Ibiden,并推荐罗姆、京瓷,理由包括人工智能相关增长机会、盈利反转潜力、竞争优势、涨价及业务组合改善。亚洲投资者普遍看好电子元件基本面,关注MLCC、ABF载板和硬盘相关股票;但村田涨价幅度、Ibiden估值、短期供需与持仓压力存在分歧。 点名公司:村田(MLCC)、Ibiden(ABF载板)、罗姆、京瓷、太阳诱电(MLCC)、TDK(硬盘磁头)、尼得科。
华鑫证券称,英伟达开放Vera Rubin机柜设计,MGX 1.2支持最高250kW机柜部署,台达展示800VDC供电与液冷方案,Visionbay计划分阶段导入800VDC配电。AMD计划于2026年11月提供Helion机柜蓝图,ODCC拟于10月29日交流全直流供电方案。报告据此看好800VDC电源相关方向,建议关注新风光、麦格米特、欧陆通、科士达和中恒电气,并维持电力设备行业“推荐”评级。 点名公司:英伟达(AI基础设施)、台达(电源)、Visionbay(AI工厂平台)、维谛技术(供电、热管理)、AMD(机柜)、新风光(电源)、麦格米特(电源)、欧陆通(电源)。 时点:2026-10-29 ODCC举行AIDC全直流大会,交流800V供电等方向;2026-11 AMD计划提供Helion机柜配置。
高盛维持Murata、TDK、Taiyo Yuden、Renesas、Rohm及Ibiden买入,并将Nichicon由中性上调至买入。AI服务器电源向更高电压升级,预计拉动大型铝电解电容需求;高盛预测Nichicon相关AI及数据中心收入由2026年3月期52亿日元增至2029年3月期300亿日元。成本传导、NECST盈利韧性及技术和产能管理被视为利润扩张支点,但AI资本开支持续性争议仍压制行业估值。 点名公司:Murata(MLCC)、TDK、Taiyo Yuden(MLCC)、Renesas(功率半导体)、Rohm(功率半导体)、Ibiden(ABF基板)、Nichicon(电容)、NECST(储能)。 时点:2029-03 Nichicon相关AI及数据中心收入预计达300亿日元。
高盛认为,尽管AI投资可持续性和高利率担忧压制板块情绪,Rorze和Marumae近期季度订单仍创纪录,设备需求继续增强。AI数据中心扩张推升存储需求,Kioxia受益于企业级SSD需求和价格上行,HOYA的HDD玻璃基板及EUV掩模基板有望加速增长。先进封装、EMIB-T、混合键合及CPO有望推动Disco后续出货;财报需验证收入增长、产能和利润率。 点名公司:Kioxia(存储)、Disco(先进封装)、Ulvac(设备)、SCREEN(设备)、Tokyo Seimitsu(设备)、HOYA(存储基板)、Rorze(设备)、Marumae(设备)。
前三季度新签订单同比增长90%至243亿元,前三季度净利润预告高于美银预测。高毛利超快激光钻孔设备交付有望推动第四季度盈利;预计2027年新手机潜在设计变化将带来3D打印设备机会,成为收入与盈利增长动力。 点名公司:大族激光(激光设备)。 时点:2026-12 高毛利超快激光钻孔设备交付推动第四季度盈利;2027-01 新智能手机潜在设计变化带来3D打印设备机会。
高盛认为,AI服务器电源新品开发和产品组合改善支撑增长,但研发投入增加,2026至2028年净利润预测分别下调5%、1%、4%。华润微SiC MOSFET已进入固态变压器和固态继电器供应,面向AI计算电源的集成SiC MOSFET正向客户送样;GaN布局高功率机架等应用。 点名公司:华润微(功率器件)。
高盛认为,中国云资本开支增长、新一代芯片放量和云服务商客户渗透支撑增长。产品组合向更高算力、更大内存和更强互连升级,有望推动平均售价扩张;千卡超节点方案引入光互连。高盛预计壁仞2027年收入9,663.7百万元、EBITDA转正至656.9百万元。 时点:2027-01 最新芯片放量预计带动增长。
瑞银认为智能体AI推动CPU、ASIC、DRAM及NAND需求上修,AI资本开支和先进封装扩张支撑存储、半导体设备及部分硬件公司。报告预计DRAM上行周期延至2028年第二季度、NAND延至2027年第四季度,并列出多家买入标的;同时指出终端消费疲弱、存储成本承受能力、融资压力及电力约束构成风险。 点名公司:三星电子(存储)、SK海力士(存储)、台达电(电源、配电与液冷)、联发科(半导体)、北方华创(半导体设备)、东京电子(半导体设备)、铠侠(存储)、小米(手机、汽车)。 时点:2028-06 DRAM上行周期预计延续至2028年第二季度;2027-12 NAND上行周期预计延续至2027年第四季度;2027-09 EMIB-T目标商业放量。
AI提升HBM、逻辑及先进封装互连密度需求,间距低于10微米时行业更倾向混合键合,中国较大的设备机会集中在晶圆对晶圆应用。拓荆工具已用于3D NAND并获重复订单,中微增持青禾晶元、北方华创收购诺合键维补充键合平台。行业竞争从成熟前道单机延伸至三维集成工艺生态,平台型厂商的资金实力、客户触达和相邻工序组合更有利,但本土工具仍处早期,客户验证、持续亏损及商业化兑现构成约束。 点名公司:北方华创(设备平台)、中微公司(设备)、拓荆科技(混合键合)、青禾晶元(混合键合)、长江存储(客户)、诺合键维(混合键合)。
高盛认为,智能体AI推动AI加速器、服务器CPU和高速网络芯片需求增长,台积电先进制程产能持续扩张。N2爬坡、3nm及A14扩产,以及CoWoS扩张,将带动外延片、EUV材料、靶材、CMP浆料、金属材料和先进封装材料需求。高盛认为日本材料供应商有望受益。 点名公司:GlobalFoundries(硅中介层制造)、旭化成(先进封装材料)、东京应化工业(先进封装材料)。 时点:2027-01 N2系列年度产能较2026年翻倍以上;2027-09 亚利桑那二厂量产提前;2028-01 A14计划商业化生产。
摩根大通认为,Forge预计FY2026实现正EBITDA、FY2027启动商业化生产,可提升收入持续性、产能利用率和盈利可见度。Forge称其AAV产率较行业平均高3至15倍,结合有限追加投资,有助于提高资本回报。报告预计ABF与CDMO推动FY2026至FY2030业务利润年化增长19%。 点名公司:Forge Biologics(CDMO)。
高盛认为AI应用带动的先进制程需求进一步增强,且显著超过供给;台积电将2026年销售同比增长展望上调至44%。台积电维持2026年600亿至640亿美元资本支出指引,并预计第四季度显著增加,2026至2028年支出将高于过去三年。高盛据此看好未来数年设备需求,并重申对相关设备公司的买入评级。 点名公司:Lasertec(设备)、Disco(设备)、东京电子(设备)、荏原(设备)、台积电(先进制程)。 时点:2026-10 台积电预计第四季度资本支出显著增加;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
韩国9月半导体设备进口同比增长41%、环比增长29%,光刻设备进口创纪录;报告认为存储扩产及1c节点提高光刻强度,支撑设备需求。荷兰设备进口模型对ASML第三季度韩国系统销售的预测接近实际值。模型对东京电子韩国收入提示轻微上行空间,对Advantest韩国收入提示轻微下行信号。 点名公司:东京电子(设备)、ASML(光刻设备)、Advantest(测试机)、三星(存储)、SK海力士(存储)。
AI训练与推理带来的互连密度需求,以及制程微缩受限,推动混合键合应用扩展至三维NAND、4F² DRAM和逻辑折叠。报告认为中国较大的设备机会在晶圆对晶圆工艺,行业竞争正转向三维集成工艺平台。拓荆已有量产应用和重复订单;中微与北方华创通过投资及收购补充相关布局。平台整合有利于成熟设备龙头,但商业化仍受认证、亏损和兑现风险制约。 点名公司:中微公司(混合键合生态)、北方华创(设备平台)、拓荆科技(混合键合设备)、青禾晶元(混合键合)、诺合键维(键合平台)、长江存储(客户)。
高盛认为,先进制程与CoWoS封装优势使台积电受益于AI、高性能计算及硅含量提升,AI需求仍显著超过供给。管理层上调2026年美元收入增长展望,并指引2027年N2产能增长超过一倍;高盛据此看好未来数年增长,但认为N2爬坡和海外工厂扩张会压低近期毛利率。 时点:2027-01 2027年N2产能预计增长超过一倍;2028-06 台南N3新厂计划量产。
高盛认为,台积电人工智能及先进制程需求强劲,全年美元收入增长预期上调至约44%,且资本开支维持在600亿至640亿美元。N3增量产能以及N2、A14需求前景支撑欧洲设备企业,A14计划于2028年大规模量产。台积电计划于2030年采用ASML高数值孔径设备,高盛据此看好设备链的长期前景,并给予ASML、ASM International、BESI及Technoprobe买入评级。 点名公司:ASML(高数值孔径光刻设备)、ASM International(欧洲设备企业)、BESI(欧洲设备企业)、Technoprobe(欧洲设备企业)、台积电(先进制程)。 时点:2030-01 台积电计划使用ASML高数值孔径光刻设备;2028-01 台积电计划A14进入大规模量产;2026-01 台积电计划2026至2028年资本开支显著高于此前三年。
偏强CPI后散户周净流入降至34亿美元,半导体周跌约9%后科技ETF买盘迅速逆转,整体风险偏好转弱。报告仍对半导体保持选择性积极,关注供给瓶颈、产能释放和定价能力,并首选AVGO和MRVL。ASML业绩及指引超预期、订单超过现有远期产能,支持进一步扩产讨论;AI基础设施投资也延伸至电力供给和自研芯片。 点名公司:NVDA(半导体)、SNDK(半导体)、AVGO(半导体)、MU(半导体)、AMD(半导体)、ASML(设备)、MRVL(半导体)、HTZ。 时点:2026-10 ASML三季度业绩及四季度销售、利润率和EBIT指引超预期;2026-10 半导体三季度业绩与指引,焦点转向供给瓶颈和扩产时点。
瑞银将2027、2028年每股收益预测分别上调8.6%、9.7%,依据是EUV出货增加及毛利率改善,并预计2028年低NA EUV出货117台、毛利率接近60%。瑞银认为先进光刻的竞争壁垒支撑ASML长期地位,High-NA扩产仍有中期上行潜力。预计2026年末积压订单超过550亿欧元,高于445亿欧元的一致预期;主要风险来自客户资本开支周期、订单延后及下一代EUV技术执行。 点名公司:Samsung(客户)、TSMC(客户)、Intel(客户)、Hynix(客户)、Nikon(竞争者)、Canon(竞争者)。 时点:2026-12 2026年第四季度订单或提高High-NA扩产规模与时间安排的可见度;2026-12 后续披露积压订单,预计2026年末超过550亿欧元。
伯恩斯坦认为,提价谈判已完成,既有订单使提价在2027年部分体现、2028年全面体现,推动长期每股收益上修。先进逻辑与DRAM扩产带动EUV增长,浸没式设备定价与中国持续扩产支撑DUV上修,装机基数和升级周期推动服务收入增长。扩产成本和近期产能约束可能影响盈利兑现节奏。 点名公司:Intel、Samsung(客户)、TSMC(客户)、Mistral AI。 时点:2027-01 既有订单下提价开始部分体现;2028-01 提价全面体现;2028-01 Samsung计划导入High NA大规模制造。
高盛称第三季度EBIT高于一致预期5%,并将全年收入指引上调至440亿至450亿欧元、毛利率约56%。长期客户承诺、AI基础设施投资和DRAM投资提升需求可见度,需求预计至少到2028年仍超过供给。扩量、较高生产率EUV设备占比提升、价值定价及升级业务被认为将支撑利润率。 点名公司:Samsung(晶圆代工)、TSMC(晶圆代工)。 时点:2027-01 关键量产产品价值定价开始贡献提价;2028-01 关键量产产品提价于2028年完整体现;2027-01 Samsung计划引入高NA大规模生产。
伯恩斯坦称,美国制造业过去六个月工业生产年化增长约3.8%,约75%的增量集中在指数权重不足25%的行业,数据中心相关需求仍是重要支撑。增长集中度较上月下降,但尚不足以确认全面复苏;最新单月产出转弱,显示中期改善与短期动能减弱并存。人工智能资本开支持续上升支撑工业需求,但短周期工业股仍暴露于超大规模云服务商开支放缓风险。
高盛认为行业可见度延伸至2028年,预计2027年晶圆制造设备支出同比增长约45%至2,180亿美元,DRAM、先进制程及NAND是主要驱动。GPU测试时间延长、先进封装复杂度提升,支撑测试检测需求;高盛看多行业,但对个股评级有分化。 点名公司:AMAT(设备)、LRCX(设备)、TER(测试设备)、ONTO(检测)、CAMT(先进封装检测)、MKSI(设备)、FormFactor(硅光子测试)。 时点:2027-01 预计晶圆制造设备支出同比增长约45%至2,180亿美元;2028-01 EMIB-T预计形成实质贡献。
伯恩斯坦称第三季度收入超预期,第四季度营收指引中值环比增长约14%,全年美元营收增速展望提高至44%。高性能计算收入占比达68%,N2已贡献8%,且预计2027年年度产能增至两倍以上。先进制程爬坡短期稀释毛利率,但需求改善、审慎扩产及执行能力支撑长期盈利增长。 点名公司:Terafab、马斯克。 时点:2026-10 第四季度营收指引为523亿至543亿美元;2027-01 预计2027年N2年度产能增长至两倍以上。
摩根士丹利认为互连正成为主要瓶颈,NPO 将光电转换移至计算单元附近,旨在改善信号完整性、带宽与能效。OpenCPX 推动跨供应商接口统一,为协同实施提供框架;OCP 峰会讨论和行业兴趣增加,因此报告认为未来 12–18 个月 NPO 商业化加速的可能性上升。 时点:2026-10 OCP 峰会显示 NPO 讨论与行业兴趣增加;2027-10 NPO 商业化加速可能性上升。
伯恩斯坦认为,台湾9月半导体设备进口同比增长37%,但全球及日本来源进口三个月移动均值环比下降,短期动能弱于同比读数。ASML台湾系统销售约26.9亿欧元,高于进口回归预测,台积电扩产支撑光刻需求。Advantest、Tokyo Electron和Screen的台湾收入模型则分别显示下行风险、环比下降或增长低于一致预期;进口来源国拆分缺失也限制了Screen模型精度。 点名公司:Advantest(测试设备)、Tokyo Electron(半导体设备)、ASML(光刻设备)、Screen(清洗设备)、台积电。
摩根士丹利认为,AI及网络芯片采用更大尺寸载板、工艺复杂度提升,加上新增产能释放偏晚,将推动ABF载板自2027年起重回供不应求。原料涨价传导和规格升级支撑提价及毛利率扩张,欣兴受益于AI ASIC和服务器CPU份额,南电受益于网络芯片份额及积极定价。报告同时下调AMD GPU需求预测,认为已宣布的ABF投资仍不足以覆盖中长期需求。 点名公司:欣兴(ABF载板)、南电(ABF载板)、AMD(GPU)、英伟达(GPU)、微软(AI芯片)、华为(AI芯片)、寒武纪(AI芯片)、海光(AI芯片)。 时点:2026-06 高端ABF载板预计自2026年下半年随大尺寸服务器及网络芯片载板放量而加速增长;2027-01 ABF市场预计自2027年起转为供不应求;2027-01 预计2027年载板涨价超过25%。
瑞银认为,AI需求和先进制程布线增加支撑溅射靶材,InP衬底及AI服务器连接器用钛铜有望推动材料业务增长,重点业务未来三年营业利润复合增速预计为30%。但铜及贵金属涨幅趋缓将削弱基础业务估值收益,六英寸InP工艺爬坡、良率、折旧和原料成本可能压低利润率。瑞银认为成长预期已部分反映在估值中,进一步重估取决于重点业务投资回报及资源业务现金流稳定性。 点名公司:云南锗业(磷化铟衬底)、光智科技(磷化铟衬底)。 时点:2026-11-06 第二季度业绩发布时可能上调指引,铜价上涨是主要驱动。
野村认为AI需求强劲,HPC收入增长及智能体AI带动CPU与网络需求,支撑台积电经营增长。先进制程扩产、先进封装升级和潜在美国扩产将承接客户需求;N2爬坡、海外厂成本与通胀压力可能由涨价和效率改善部分抵消。 点名公司:ASML(设备)、GlobalFoundries(后端供应)。 时点:2027-12 2027年2纳米全年产能增长至两倍以上;2027-01 A14风险试产;2028-01 A14量产。
野村认为,8月FC-BGA基板出货金额增长主要由均价上涨和高端多层封装占比提升推动,面积出货仅小幅增长。台湾厂商涨价可能促使日本厂商重议低利润产品价格。数据中心投资能否继续扩张,则取决于AI收入增长和多智能体系统成本效益验证。 点名公司:Anthropic(前沿模型实验室)、Ibiden(封装基板)。
高盛认为存储需求扩张、产能转向ABF及mSAP将收紧BT供需,预计2026—2028年需求复合增长15%、供给仅增6%,支撑涨价和利润率改善。高盛维持臻鼎、景硕、南电买入,欣兴维持中性;同时认为800G以上光模块mSAP需求增长和短缺将带动臻鼎扩份额。报告提及深南电路扩张IC载板业务,广州二期预计2026年第四季度投产,有望承接BT需求增长。 点名公司:臻鼎(BT载板、光模块mSAP)、景硕(BT载板)、南电(BT载板)、深南电路(IC载板)。 时点:2026-10 广州二期预计投产;2028-01 存储BT专用新增产能上线。
作者认为封测稼动率提升、加工费上涨与产品结构升级将推动盈利修复,提价效应有望自2026Q3起逐步反映。AI算力与存储需求推动2.5D/3D及HBM先进封装扩产,产线向晶圆级加工延伸,带动设备和材料需求。作者认为封测头部企业、设备、材料及耗材供应商有望受益。 点名公司:长电科技(封测)、华天科技(封测)、伟测科技(测试)、南茂(存储封测)、力成(存储封测)、日月光(先进封装)、通富微电(封测)、甬矽电子(封测)。 时点:2026-09 封测提价效应逐步反映至财务报表;2026-01 先进封装产能建设带动相关设备需求释放;2027-12 SK海力士清州P&T7先进封装厂计划完成建设。
报告认为,超节点建设依赖柜内CPU-外设与GPU-GPU互连,PCIe承担广泛的基础互连,私有协议和开放方案共同拓展GPU-GPU互连。随着全球超节点形态确认、AI算力集群加速建设,配套交换芯片的AI互连板块有望成为继算力和存力之后的AI产业第三增长极。报告看好占据关键节点、具有先发优势的国产核心替代者。 点名公司:英伟达(GPU互连)、华为(GPU互连)、AMD(GPU互连)、万通发展(AI互连)、盛科通信(AI互连)、澜起科技(AI互连)。
ASML称设备需求增强,供给至少到2028年仍落后于需求,部分订单交付延至2029年以后。公司在既定扩产计划之外研究2028年及以后进一步扩产。高盛据此认为财报对日本设备商无明显利空,并偏好增长领先、无明显产能约束且利润率可提升的公司。 点名公司:ASML(光刻设备)、Lasertec(null)、Disco(null)、Tokyo Electron(null)、Ebara(null)。 时点:2028-01 ASML研究2028年及以后进一步提升产能;2028-01 ASML设备供给预计至少到2028年仍落后于需求;2029-01 部分订单交付延至2029年及以后。
高盛认为,ASML扩产及设备吞吐量升级将提高晶圆加工量,推动EUV光刻胶和300毫米硅片中期需求改善。DRAM新增Low-NA EUV客户增加,东京应化正提升DRAM用EUV胶份额,因此被认为直接受益。 点名公司:信越化学(先进材料)、东京应化(EUV光刻胶)、SUMCO(300毫米硅片)、ASML(光刻设备)。 时点:2027-01 ASML维持2027年扩产30%的计划;2028-01 ASML考虑2028年超过此前30%的扩张指引。
野村基于AT&S管理层会议,看好ABF供给瓶颈支持定价,以及AI技术升级扩大一线厂商领先优势。AT&S预计FY26/27收入增长45%至55%、EBITDA利润率32%至37%,ABF营收占比继续提升。扩产由客户资金支持,但客户付款结构会影响收入与盈利表现;嵌入式硅TSV载板仍有良率、嵌入精度和设备投资挑战。 点名公司:欣兴(ABF载板)、AT&S(ABF载板)、Marvell(客户)。 时点:2028-01 Kulim 2计划FY2028/29爬坡。
野村估计,6F²迁移至4F²理论上可缩小约33%的单元面积,但考虑额外晶圆、产能配置和良率后,实际每晶圆单元增幅约40%。4F²及混合键合提高沉积、刻蚀、CMP和平坦化需求,野村列拓荆科技和中微公司为受益标的。野村认为CXMT年底产品更可能是送样或实验品,量产预计在2027—2028年,且与全球领先厂商仍有至少三年技术差距。 点名公司:拓荆科技(沉积、混合键合设备)、中微公司(刻蚀、CMP)、三星、SK海力士、长鑫科技(存储芯片)。 时点:2026-12 CXMT计划年底推出结合4F²和晶圆级混合键合的DDR5 RDIMM;2027-01 4F²量产预计启动;2028-12 4F²量产预计持续至。
高盛认为AI工厂集群将推动晶圆需求扩大2至4倍,先进逻辑、DRAM和先进封装贡献约75%的WFE增量,应用材料有望受益于沉积、刻蚀敞口及份额提升。公司提出2030年毛利率约54%、营业利润率约40%的目标,AGS和HBM先进封装提供增长支撑。高盛预计WFE增长将推动应用材料2028年盈利能力显著增强;公司缺少中期指引,短期未完全满足市场期待。 点名公司:中国本土供应商(设备)。 时点:2026-01 过程控制及检测业务增长超过50%;2030-01 2030年毛利率约54%、营业利润率约40%。
Q3毛利率高于共识,推动EBIT超共识;Q4指引中值也对应EBIT高于共识。远期订单和下单意向强劲,计划扩产仍不足以满足需求;定价改善预计从2027年开始体现、2028年全面释放。瑞银据此认为2027—2028年一致EPS预测存在上调空间。 时点:2027-01 定价改善效果开始体现;2028-01 定价改善全面体现。