深科技称合肥封测满产并扩产,项目计划总投资18.5亿元
公司介绍其主营业务包括存储半导体、高端制造和计量智能终端。公司称合肥封测处于满产状态,正根据客户近期需求扩产,并计划投资建设传统封测及2.5D/3DS先进封装产能。 点名公司:沛顿科技(封测)、深圳长城开发科技股份有限公司。
上市公司投资者关系活动记录与调研纪要:公司自己的口径。按时间排,不论是否入选精选。
公司介绍其主营业务包括存储半导体、高端制造和计量智能终端。公司称合肥封测处于满产状态,正根据客户近期需求扩产,并计划投资建设传统封测及2.5D/3DS先进封装产能。 点名公司:沛顿科技(封测)、深圳长城开发科技股份有限公司。
公司称,2026年上半年营收增长主要来自半导体存储业务受益全球市场景气、收入同比较大幅增长。定增募集资金约1亿元,其中7,500万元投向嵌入式存储芯片扩产,并计划引进智能化设备。公司称生态环境建设业务持续收缩、二季度回款较少,造成该板块小幅亏损;半导体存储业务盈利能力同比增长,但绝对金额仍较小。 点名公司:芯存诚邦(企业级SSD)、赤峰宇恒诚邦(生态环境建设)。 时点:2026-09-29 一审判决被告支付工程款约1.56亿元及相应利息。
公司称,金刚石散热衬底已打通部分制备工艺,并与头部企业开展研发合作或小批量验证;金刚石微钻在PCB领域仍处市场拓展初期,部分客户进入商务谈判。CVD钻石声学振膜已应用于部分音响和耳机场景,公司将按客户验证及订单进度推进产能安排。上述新业务仍面临客户验证、订单转化和产业化进度等不确定性。 点名公司:戴比尔斯集团(竞争对手)、元素六公司(Element Six)(声学振膜)、日本佑能(钻针)。
资料称公司预计前三季度归母净利润同比增长100–110%,Q3环比增长32–47%。电子布价格持续上涨,公司Q3销量预计约2.5–3亿米,淮安一期产能已投产,后续还有扩产计划。资料认为电子布至CCL涨价传导顺畅,年底前涨价预期持续,四季度业绩弹性将提升。 时点:2026-10 10月7628电子布价格再次上涨1.5元/米,达到13元/米;2026-12 四季度电子布涨价预期持续,业绩弹性有望进一步提升;2026-12 下半年特种电子布认证有望实现突破。
纪要认为,AI推理与内容生成推动HDD需求增速从约10%升至约28%,需求持续跑赢供给,超大规模客户通过LTA锁定特定高容量型号。东芝扩产的实际台数增量和执行确定性有限,难以改变LTA框架与行业供给紧张。美银维持看好WDC与STX,认为其技术或成本优势及LTA锁价提升盈利能见度。 点名公司:东芝(硬盘)、Hoya(基板)、Resonac(介质)、TDK(磁头)、希捷(硬盘)、WDC(硬盘)、STX(硬盘)、NAND。 时点:2027-03 东芝拟在菲律宾扩产,目标2027财年产能翻番;2028-01 市场紧俏预计至少延续至2028年。
材料称,三星电子3Q26初步业绩将于10月8日发布,超过100万亿韩元营业利润预期受到DRAM/NAND基本面支持,HBM增长突出。与此同时,半导体ETF调仓、期权到期和15万亿韩元股票回购完成可能带来资金流变化;外资连续净卖出,材料预计这些因素或加剧短期波动。 点名公司:SK 海力士(半导体)、SK Square、Isu Petasys(半导体设备)、Wonik IPS(半导体设备)、Hanmi Semi(半导体设备)。 时点:2026-10-08 三星电子3Q26初步业绩预计发布;2026-10 七只半导体ETF预计调仓;2026-10-06 三星电子15万亿韩元股票回购预计完成。
大摩认为,AI不会等待DRAM新产能建成,而会通过降低内存规格、拆分推理工作负载和CXL内存池化绕开瓶颈。降规将内存压力转向NAND和更大规模扩展域,推理解聚提高稀缺内存使用效率,CXL则承接KV Cache和长上下文需求。大摩继续超配MU和SNDK,认为降规源于供应不足而非需求减弱;若AI资本开支受电力、土地和机房外壳瓶颈影响而放缓,内存周期可能结束。 点名公司:NVIDIA(GPU)、CBRS(推理解聚)、Groq、ALAB(CXL)、MRVL(CXL)、MU(内存)、SNDK(存储)。 时点:2030-01 大摩预计CXL可寻址市场到2030年约60亿美元;2028-01 Marvell管理层预计CXL业务到2028年前后贡献超10亿美元收入。
高盛认为AI GPU/ASIC需求正扩散至网络和服务器CPU,支撑2026年下半年及2027年营收增长。先进制程需求持续、产能利用率高位和CoWoS扩产支撑晶圆出货,定价、产品组合及生产效率改善推动毛利率温和上升。为满足长期需求,高盛上调2027E/2028E资本开支预测,并基于盈利上修提高目标价。 点名公司:英特尔(代工竞争)、三星(代工竞争)。 时点:2026-10-15 台积电召开3Q26分析师会议;2026-10-15 关注管理层更新2030年前AI增长假设;2026-10-15 关注长期资本开支及美国扩产指引。
AI代币生成量增长令内存需求超过供应,短缺预计持续数年。降低内存规格、解聚推理工作负载和CXL内存集中化可提高现有内存效率,并带来扩展域及异构推理需求。该行维持对美光和闪迪的超配评级,并看好Astera Labs、Marvell和Cerebras等相关受益标的。 点名公司:英伟达(GPU)、美光(存储原厂)、闪迪(存储原厂)、Marvell(CXL)、Astera Labs(CXL)、Cerebras(解聚架构)、Groq(SRAM LPU)、AWS(云服务)。 时点:2027-01 Astera Labs Leo控制器系列预计放量;2028-01 Marvell管理层预期CXL贡献超10亿美元收入;2030-01 AI扩大CXL总可寻址市场。
瑞银测算2027—2028年可见供电外壳低于算力所需供电容量,表后方案、早期电网项目和芯片返销中国是潜在弥合路径。报告看好AVGO后续TPU封装路线及WFE扩产机会,并认为世界模型和物理AI可能增加训练与推理需求。东芝扩产则可能改变HDD供给和价格预期,若2028年每TB价格持平,STX和WDC的EPS预测将下调。 点名公司:AVGO(TPU芯片与封装)、谷歌(云厂商)、TOPPAN(封装合资)、台积电(晶圆代工)、AMAT(晶圆厂设备)、LRCX(设备)、东芝(HDD)、STX(HDD)。 时点:2026-10 SEMICON West展会及投资者会议举行;2026-10-13 AMAT投资者早餐会,瑞银关注WFE增速与毛利率指引;2026-12 AMD收购World Labs预计完成。
材料称HBM供给仅覆盖国内20%-25%的需求,ABF载板缺口为20%-30%,明年部分大厂Capex或转向关键物料备货。光模块向1.6T、3.2T升级,对导热凝胶性能要求提高;10W及以上凝胶采用氮化铝粉体,当前高端粉体主要从日本采购。材料列出金戈、苏州锦艺新材为国内氮化铝粉体厂商。 点名公司:金戈(氮化铝粉体)、苏州锦艺新材(氮化铝粉体)。
教保证券预计HBM4销售增长和服务器用大容量存储器需求推动三星电子第三季度业绩改善。生产线转向HBM使普通DRAM供应紧张,报告认为随着HBM产能占比上升,普通DRAM短缺和价格强势可能延续。HBM产品路线图推进、晶圆代工良率改善及长期合同增加,可能提升竞争力、稳定业绩并支持股东回报与公司价值重估。 点名公司:三星显示(SDC)(显示)。 时点:2026-09 三星电子2026年第三季度业绩,预计营业利润首次突破100万亿韩元;2027-01 HBM产能占比预计从2025年的27%升至2027年的40%。
文章称Q4 Rubin、TPU V8订单上量推动AI PCB景气,载板尺寸放大和上游材料短缺加码ABF等需求。AI服务器、端侧AI与先进封装需求增长,叠加存储景气和国产算力订单验证,文章建议关注相关产业链公司。 点名公司:建滔(PCB/CCL)、胜宏(PCB)、广和(PCB)、景旺(PCB)、胜宏科技(PCB)、宏和科技(T布)、兴森科技(载板)、深南电路(PCB)。 时点:2026-10 Q4 Rubin、TPU V8订单上量;2026-10 国产算力产能释放关键拐点。
作者认为,9月中旬以来海外科技资产走出主升行情,半导体设备及AI相关标的上涨,显示市场对科技成长的定价仍受基本面驱动。美光FY26Q4云存储和数据中心业务占比达63%,并披露SCA、RPO及扩产信息;作者据此认为AI需求强劲,且全球存储在2027/2028年仍供需紧张,建议关注中国硬科技。 点名公司:华西机械、纳斯达克指数、日经、NV、爱德万(ATE设备)、AMAT(半导体设备)、LAM(半导体设备)、美光科技(存储)。 时点:2027-01 作者称全球存储在2027/2028年仍供需紧张。
作者认为,东芝计划扩产及 TDK 扩大磁头产能印证了扩产意图,但东芝 2022 年公布的类似目标未能实现,本次目标落地门槛仍高。若扩产推进,行业短期定价和盈利格局预计不会明显改变,但中期可能限制希捷、西部数字利润率上行空间并压制估值倍数。作者判断,上游元器件与材料供应链将受益于高技术门槛产品占比提升和出货规模上行;其中 TDK、豪雅和 Resonac 被分别联系到磁头供货、玻璃基板新增客户及硬盘介质供需收紧。 点名公司:希捷(硬盘整机)、西部数字(硬盘整机)、TDK(硬盘磁头)、美蓓亚三美(主轴电机)、日本电产(主轴电机)、日东电工(电路材料)、豪雅 HOYA(玻璃基板)、Resonac(盘片介质)。 时点:2028-03 东芝计划到 2027 财年末实现近线硬盘产能较 2025 财年翻倍;2030-01 东芝计划 2030 年实现 65TB 硬盘大规模量产;2026-01 TDK 自 2026 年起扩大向希捷、西部数字供货。
作者称,海外 MLCC 涨价谈判推进,带动市场对日本厂商跟进涨价的预期;村田制作所已表示竞争对手涨价时将跟进,太阳诱电被视为业绩弹性标的。作者还称,TDK 多条业务线盈利增长,投资者对其管理能力及 AI 数据中心相关需求的关注上升。作者预计日本 MLCC 涨价幅度约 20–30%,并认为涨价导致估值下行的风险有限。 点名公司:村田制作所(MLCC)、TDK(电子元件)、揖斐电、罗姆、日本贵弥功(铝电解电容器)、尼吉康(铝电解电容器)、京瓷、Niterra。
高盛依据美光4QFY26业绩及供需展望,认为2027—2028年DRAM与NAND将持续供应受限,新增产能难以迅速令供需再平衡。美光新增长期供应协议、客户要求更长周期和更大供应量,以及2027年HBM定价上涨,提升韩国存储器厂商盈利可见性。高盛重申买入三星电子与SK海力士,并指出三星HBM利润率有望接近传统DRAM水平。 点名公司:美光(存储器)、三星电子(存储器、HBM)、SK海力士(存储器)。 时点:2027-01 三星HBM定价预计同比上涨130%;2028-07 日本DRAM厂扩建与新加坡NAND设施预计投产;2030-01 美光纽约新厂预计首片晶圆产出。
瑞银称,政策能见度和科技盈利明朗化之前,外资重新配置中国市场的意愿偏低。短期看,银行凭借净息差企稳、高股息和低估值提供防御;中长期看,存储、晶圆代工、半导体设备及具备全球竞争力的出海企业受益于AI算力扩张和国产替代。瑞银延续杠铃策略,偏好科技硬件、互联网、出海、有色金属和银行,同时不偏好建筑、汽车OEM和消费。 点名公司:百度(互联网/科技)、腾讯(互联网/科技)、阿里巴巴(互联网/科技)、福耀玻璃(出海/制造)、比亚迪(出海/制造)、宁德时代(出海/制造)、紫金矿业H(有色金属)、紫金黄金国际(有色金属)。 时点:2026-12 额外财政方案或延至年末落地,取决于数据表现。
美光三季度业绩和四季度指引大幅高于高盛及市场预期,新签长期客户协议覆盖至2030财年约35%的预期营收。高盛认为协议有助于提升市场对峰值盈利的估值,但DRAM与NAND供需紧平衡预计持续至2027及2028年,行业最早或于2028年出现实质性宽松。2027财年资本开支上修将推动设备与产能扩张,因此高盛维持中性评级。 点名公司:应用材料(半导体设备)、泛林集团(半导体设备)、闪迪(NAND)、英伟达(客户)、长鑫存储(DRAM)。 时点:2027-06 爱达荷首厂预计开始产出;2028-10 新加坡工厂预计开始产出;2028-12 广岛工厂洁净室预计完工。
文章援引美光预计2028年供应较2026年更紧张,并称长期协议已使2028年大部分货运量确定。作者据此认为,2028年前需求可视为确定无疑;若需求持续,存储股市盈率应高于当前水平。 点名公司:美光(存储)。
Micron F4Q26收入和EPS略优于预期,F1Q27营收指引也高于市场预期。纪要称存储供需在2027—2028年预计较2026年更紧,2027年超75%产出已锁定。广发HK认为HBM4谈价幅度有望超预期,且更积极的股东回报可能推动股价上行。 点名公司:NVIDIA(客户)。 时点:2026-12-09 拟加大股东回报;2027-01 2027年绝大部分HBM bit已签约,价格同比显著上调。
文中称,美光FY26Q4营收、毛利率和EPS均创历史新高,存储价格上涨与出货增长共同推动收入提升。公司预计CY27、CY28 DRAM和NAND供需较CY26更紧张,供应受限;HBM协议价格上升、SCA协议增加及产能扩建支撑长期供应。 点名公司:英伟达(客户)。 时点:2027-01 CY27年初执行HBM新价格;2027-09 CY27H2下一代DRAM及NAND节点开始量产;2027-06 爱达荷ID1及台湾铜锣厂预计开始产出或有效出货。
国泰海通海外科技认为,FY26Q4 DRAM、NAND价格涨幅超预期,NAND弹性更大;FY27收入预计逐季环比增长,Q1毛利率为全年底部。需求走强、客户持续追加供给需求,资料称CY27–28供需均明显紧于CY26,且看不到恢复平衡的时间点。 时点:2026-12-09 2026年12月9日起提升股东回报。