瑞银认为，覆铜板涨价、毛利率改善和AI产品占比提升推动生益科技第三季度利润超预期。FR4上行周期预计持续至2027年上半年，为生益科技及建滔积层板提供盈利支持；2027至2028财年AI覆铜板规格升级，PTFE及M9能力支持生益科技长期增长。报告还分析PCB子公司生益电子，称AI需求推动其PCB业务增长。 点名公司：建滔积层板（覆铜板）、英伟达、生益电子（PCB）。 时点：2027-06 FR4覆铜板上行周期预计持续；2027-12 AI覆铜板规格预计继续升级，英伟达采用PTFE。
美银全球研究报告称，超大规模云服务商合计未来12个月自由现金流低于负1000亿美元，资本开支消耗其经营现金流的95%；截至2026年9月，英伟达、美光、博通未来12个月自由现金流合计接近5000亿美元。
推荐理由：报告对比云服务商与半导体厂商未来12个月自由现金流，并列出资本开支和AI收入预期的调整幅度，呈现基础设施投入与收入兑现之间的口径差异。
韩国9月半导体设备进口同比增长41%、环比增长29%，光刻设备进口创纪录；报告认为存储扩产及1c节点提高光刻强度，支撑设备需求。荷兰设备进口模型对ASML第三季度韩国系统销售的预测接近实际值。模型对东京电子韩国收入提示轻微上行空间，对Advantest韩国收入提示轻微下行信号。 点名公司：东京电子（设备）、ASML（光刻设备）、Advantest（测试机）、三星（存储）、SK海力士（存储）。
摩根士丹利认为，AI及网络芯片采用更大尺寸载板、工艺复杂度提升，加上新增产能释放偏晚，将推动ABF载板自2027年起重回供不应求。原料涨价传导和规格升级支撑提价及毛利率扩张，欣兴受益于AI ASIC和服务器CPU份额，南电受益于网络芯片份额及积极定价。报告同时下调AMD GPU需求预测，认为已宣布的ABF投资仍不足以覆盖中长期需求。 点名公司：欣兴（ABF载板）、南电（ABF载板）、AMD（GPU）、英伟达（GPU）、微软（AI芯片）、华为（AI芯片）、寒武纪（AI芯片）、海光（AI芯片）。 时点：2026-06 高端ABF载板预计自2026年下半年随大尺寸服务器及网络芯片载板放量而加速增长；2027-01 ABF市场预计自2027年起转为供不应求；2027-01 预计2027年载板涨价超过25%。
摩根士丹利称，格芯已获选为纽约马耳他园区两座新300mm晶圆厂的技术提供商和运营商。日本将根据美日贸易协议为项目提供最多210亿美元资金；美国CHIPS项目办公室将重新划拨格芯此前获得的9.55亿美元资金，自2027年起用于研发和资本开支，美国商务部将获得格芯约4%股权。大摩认为，该协议有望在不投入资本开支的情况下扩大格芯盈利潜力，并凸显其作为美国规模化代工厂的战略价值。
推荐理由：研报梳理了日本最多210亿美元项目资金、美国重新划拨9.55亿美元资金及约4%股权安排，并将其与格芯的资本开支和盈利潜力联系起来。
天风证券研报显示，截至2026年10月8日，五大云厂商2026年至今发债2288亿美元，占全市场29%，高于2025年的17%；2018—2024年各年发债均未超过500亿美元。全球AI产业链企业累计发债约10.06万亿美元，存量约3.21万亿美元；美国发行人占比由2024年的48%升至2026年至今的70%，相较2024年全年，2026年至今发行增量的91%来自美国。
推荐理由：研报将五大云厂商发债规模与2018—2024年各年水平及2025年占比对照，呈现AI基建融资主体和发行结构的变化。
博通CEO Hock Tan称，资本可能是当前AI行业发展的最大制约因素，其重要性甚至超过芯片、存储和电力短缺。他以OpenAI为例表示，该公司年化收入在9月达到500亿美元，但高昂的模型训练成本仍使其处于亏损状态；收入增长不代表商业模式已经得到验证。
推荐理由：Hock Tan将AI发展的约束从芯片、存储和电力供给延伸到资本与商业模式，并以OpenAI收入和训练成本作对照。
三星三季度营业利润达107万亿韩元，DRAM与NAND贡献超过集团全部营业利润；美银据此认为存储价格和利润率确认超级周期。AI需求、云厂商资本开支及供给向HBM和服务器产品迁移支撑存储基本面，但涨价动量放缓，NAND现货走弱而合约价格维持高位。美银预计全球DRAM与NAND收入由2026年的9401亿美元升至2030年的约2.1万亿美元。 点名公司：三星（DRAM、HBM、NAND）、美光（存储）、南亚科（存储）、群联（存储）。 时点：2027-01 三星预计四季度及2027年利润进一步增加；2026-01 全球存储收入预计由2026年的9401亿美元增长；2030-01 全球存储收入预计2030年约2.1万亿美元。
伯恩斯坦研报估算，采用不同AI加速器架构建设1GW数据中心，资本开支约为346亿至395亿美元，其中英伟达Vera Rubin架构成本最高，OpenAI自研ASIC架构Jalapeno相对较低。
推荐理由：研报给出1GW数据中心346亿至395亿美元的资本开支区间，并将Rubin NVL72单机柜成本预期下调约17%，呈现了架构成本差异及调整口径。
高盛将美光目标价由1100美元上调至1250美元，维持“中性”评级。该行称，美光录得强劲季度业绩及指引，并新增10份长期协议，合计约占至2030财年预期收入的35%，其中约75%包含结构化定价框架。高盛认为，DRAM及NAND供需紧张或延续至2027年及2028年，行业供应增加后，最早至2028年才可能出现有意义的市场宽松。
推荐理由：高盛将目标价由1100美元上调至1250美元并维持中性评级，同时提及10份长期协议的收入占比、结构化定价比例及供需判断。
瑞银模型预计2027年DRAM需求增长39.8%、供给增长23.3%，供给满足率为-5.6%，客户需求与可交付供应的差距仍在扩大。服务器出货量增长和单机DRAM容量提升推动服务器DRAM需求增长83.1%，HBM需求增长也快于供给。长期协议固定价格限制综合ASP涨幅；服务器优先获得供给则挤压PC与手机供应。 点名公司：三星（存储）、CXMT（存储）、Kioxia（存储）、美光（存储）、南亚科（存储）、SK Hynix（存储）、Micron（存储）、NVIDIA（HBM客户）。 时点：2026-12 DRAM综合ASP预计上涨240%；2027-12 DRAM综合ASP预计再上涨44%；2027-12 HBM需求预计增长91%至61.52bn Gb。
瑞银认为，美国Q3光缆需求同比增长46%、环比增长7%，由电信网络和数据中心拉动，支撑行业景气。中国9月光纤价格仍处高位，预制棒扩产慢及新增产能转向G657.A1/A2使供应偏紧；海外价格上涨显示供应紧张外溢。瑞银重申YOFC H为首选，并称数据中心及海外渗透潜力被低估。 点名公司：YOFC H（光纤）、长盈通（PM光纤）、亨通光电（光纤产能）。 时点：2026-09 9月美国G657.A1裸纤涨至US$17.00/fkm；2026-09 9月欧洲G657.A1裸纤涨至EUR13.28/fkm。
高盛依据美光4QFY26业绩及供需展望，认为2027—2028年DRAM与NAND将持续供应受限，新增产能难以迅速令供需再平衡。美光新增长期供应协议、客户要求更长周期和更大供应量，以及2027年HBM定价上涨，提升韩国存储器厂商盈利可见性。高盛重申买入三星电子与SK海力士，并指出三星HBM利润率有望接近传统DRAM水平。 点名公司：美光（存储器）、三星电子（存储器、HBM）、SK海力士（存储器）。 时点：2027-01 三星HBM定价预计同比上涨130%；2028-07 日本DRAM厂扩建与新加坡NAND设施预计投产；2030-01 美光纽约新厂预计首片晶圆产出。
高盛走访产业链厂商后称，训练和推理负载订单增长、产能协议延长，多个设备环节交期较长，但供应链整体稳健。模块化方案帮助缩短建设周期，800VDC产品预计自2027年起陆续推出并在2027年底至2028年初广泛渗透。液冷被多家公司视为支撑800VDC兆瓦级机架负载的关键；政治与环境审查尚未对项目实际落地构成实质影响。 点名公司：Alfa Laval（CDU换热器）、Caterpillar（发动机/涡轮）、Cummins（柴油机）、Eaton（电力设备）、Honeywell（自动化）、INNIO（燃气机）、Schneider Electric（电力设备）、英维克（Envicool）（液冷）。 时点：2027-04 Eaton预计部署首台2.5MW中压SST；2027-01 Vertiv Sidecar预计推出；2027-12 800VDC行业广泛采用。
Micron F4Q26收入和EPS略优于预期，F1Q27营收指引也高于市场预期。纪要称存储供需在2027—2028年预计较2026年更紧，2027年超75%产出已锁定。广发HK认为HBM4谈价幅度有望超预期，且更积极的股东回报可能推动股价上行。 点名公司：NVIDIA（客户）。 时点：2026-12-09 拟加大股东回报；2027-01 2027年绝大部分HBM bit已签约，价格同比显著上调。
国泰海通海外科技认为，FY26Q4 DRAM、NAND价格涨幅超预期，NAND弹性更大；FY27收入预计逐季环比增长，Q1毛利率为全年底部。需求走强、客户持续追加供给需求，资料称CY27–28供需均明显紧于CY26，且看不到恢复平衡的时间点。 时点：2026-12-09 2026年12月9日起提升股东回报。