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只看产业#存储芯片
今天10月19日周一10 条
  1. 市场快讯利好69

    据报道，三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基础芯片

    据报道，三星电子将采用台积电的3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片。报道还称，这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。

    推荐理由：报道涉及HBM制造分工，具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片，并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。

  2. 格隆汇快讯利好52

    A股电子行业41家公司披露前三季度业绩预告，36家预喜

    截至10月16日12时，A股电子行业有41家公司披露2026年前三季度业绩预告，其中预增、略增、扭亏的公司分别为24家、6家、6家，合计36家，占已披露公司的87.80%。多数预喜公司的业绩变动说明提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称，AI驱动下行业需求旺盛、供给端产能布局缓慢，并预计行业高景气度或持续、三季报业绩大概率持续好转。

  3. 格隆汇快讯利好60

    三星据悉计划采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

    三星据悉计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。报道援引未具名业内人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用台积电3纳米工艺，以确保性能一致；报道并称这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。

  4. 市场快讯利好63

    据报道三星计划采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

    据报道，三星电子计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用该工艺，以确保性能一致性；报道还称，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。

  5. 市场快讯利好54

    A股电子行业41家公司披露前三季度业绩预告，36家预喜

    截至10月16日12时，按申万行业分类，A股41家电子行业上市公司披露2026年前三季度业绩预告，其中24家预增、6家略增、6家扭亏，合计36家，占已披露公司87.80%。记者梳理称，多数预喜公司的业绩变动说明提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称，AI驱动下行业需求依然较旺、供给端产能布局较慢，并预计近期科技季度报告陆续发布、三季报业绩大概率持续好转。

  6. 市场快讯利好59

    A股电子行业41家公司披露前三季度业绩预告，36家预喜、占87.80%

    截至10月16日12时，按申万行业分类，A股有41家电子行业上市公司披露2026年前三季度业绩预告，其中24家预增、6家略增、6家扭亏，合计36家预喜，占已披露公司的87.80%。多数预喜公司在业绩变动说明中提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称，AI驱动下行业需求依然较旺盛，供给端产能布局缓慢，高景气度或持续，并预计近期科技公司三季报业绩大概率持续好转。

  7. 市场快讯利好58

    报道称三星计划采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片

    韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士称，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道说，英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用该工艺，以保障产品性能一致；NVHBM基于第七代HBM4E架构开发。

10月18日周日
  1. IT之家67

    三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

    据报道，三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，核心裸片则按英伟达要求统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。该定制产品基于HBM4E架构开发；报道还称，三星正在验证能否在自有产线上制造其基底裸片，作为需求超出台积电产能上限时的预案。

  2. 格隆汇快讯57

    三星据报将采用台积电3纳米制程为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片

    据《首尔经济日报》，三星将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。报道援引消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并以第六代DRAM技术制造核心芯片；三星接受了这一要求，但计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。

  4. IT之家61

    美光研发面向物理AI的边缘推理内存EIM

    美光正在研发面向物理AI的边缘推理内存EIM，拟通过在逻辑芯片上垂直堆叠LPDDR，降低数据处理延迟并提高系统带宽；具体计算架构和目标性能指标尚未公开。美光正推进将EIM集成至LPDDR6方案的技术研发，业内预计量产时间为2028年下半年。美光预计，未来高性能人形机器人将需要约200GB DRAM和4TB存储空间，当前主流服务型机器人通常配置12GB DRAM和256GB存储空间。

10月16日周五
  1. Fast Company利空69

    AI内存芯片需求挤压智能手机市场，IDC称三季度出货量下降22%

    IDC称，智能手机市场在9月季度出现有记录以来最大跌幅，出货量下降22%，内存成本上涨是原因之一。IDC表示，过去一年内存芯片价格上涨350%，AI行业的内存需求加剧竞争，手机厂商因此提高售价、削减配置并放弃面向预算型消费者的机型；小米和Oppo受到的冲击较大，苹果和三星相对缓和。

10月15日周四
  1. 市场快讯利空58

    UBI Research称存储器成本升至旗舰手机整机约40%，屏幕成本约六分之一

    UBI Research提到，存储器价格飙升压缩智能手机其他组件的成本空间，屏幕降级成为制造商的被迫选择。旗舰设备的存储器与显示屏幕物料成本在2025年早期接近；到2026年下半年，存储器成本约占整机40%，约为屏幕成本的6倍。材料称，存储器涨价与OLED产线折旧带来的出货价格下行共同作用于这一变化。

  2. 市场快讯利空70

    UBI Research称存储器成本升至旗舰手机整机约40%，屏幕约为其六分之一

    UBI Research称，存储器价格飙升压缩了智能手机为其他组件预留的成本空间，制造商被迫选择屏幕降级。旗舰设备的存储器与显示屏幕物料成本在2025年早期接近；到2026年下半年，存储器成本约占整机40%，约为屏幕成本的6倍。原文将这一变化归因于存储器涨价和OLED产线折旧带来的出货价格下行。

    推荐理由：存储器与屏幕物料成本的相对关系从2025年早期接近，变化到2026年下半年约为6倍，呈现成本压力在组件间的传导。

  4. IT之家63

    UBI Research称存储器涨价压缩智能手机组件成本空间，部分高端机型改用LTPS OLED

    UBI Research称，存储器价格上涨压缩了智能手机其他组件的成本空间，屏幕降级成为制造商的选择。旗舰机型的存储器与显示屏幕物料成本在2025年早期接近，到2026年下半年存储器成本约占整机40%，约为屏幕的6倍；部分中国厂商已在高端机型上改用LTPS OLED，顶级型号继续使用LTPO OLED，中端机型也出现芯片平台和摄像规格降级。

  7. IT之家利空重大79

    IDC称2026年三季度全球智能手机出货量同比下降22%，为史上最严重季度下滑

    IDC称，受内存涨价冲击，2026年三季度全球智能手机出货量同比下降22%，遭遇史上最严重季度下滑。过去一年，人工智能行业订单推动存储芯片价格走高，挤压手机厂商利润，促使厂商上调售价、缩减硬件配置或砍掉入门机型；IDC预测，市场增长至少到2028年才可能复苏。IDC研究总监纳比拉·波帕尔称，内存价格自去年以来上涨约350%，且仍在上涨，小米、OPPO受到的冲击较重，苹果与三星电子表现相对更好。

    推荐理由：IDC将内存成本上涨与手机厂商涨价、缩减配置及砍掉入门机型联系起来，并给出出货下滑和复苏时间预测。

  8. 格隆汇快讯74

    机构预测长江存储2026年第二季度NAND出货量升至全球第三

    Counterpoint Research预测，2026年第二季度长江存储按NAND出货量排名全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光。若剥离SK海力士旗下Solidigm的出货量，长江存储排名将升至第二位；2025年第一季度至2026年第一季度，其全球NAND营收份额从9%升至14%，营收同比增幅最高达478%。

    同一新闻，精选展示《机构预测2026年第二季度长江存储NAND出货量排名升至全球第三》

  9. 市场快讯利好68

    机构预测2026年第二季度长江存储NAND出货量排名升至全球第三

    Counterpoint Research预测，2026年第二季度长江存储按NAND出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光。若剥离SK海力士旗下Solidigm的出货量，长江存储排名将升至第二位。

    同一新闻，精选展示《机构预测2026年第二季度长江存储NAND出货量排名升至全球第三》

  10. 市场快讯利好74

    机构预测2026年第二季度长江存储NAND出货量排名升至全球第三

    Counterpoint Research预测，2026年第二季度长江存储按NAND出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，并超过铠侠和美光。若剥离SK海力士旗下Solidigm的出货量，长江存储排名将升至第二位；2025年第一季度至2026年第一季度，其全球NAND营收份额从9%升至14%，营收同比增幅最高达478%。

    推荐理由：长江存储的排名按NAND出货量计算，若剥离SK海力士旗下Solidigm，排名口径会从第三升至第二；文中还列出营收份额和同比增幅。

  12. 格隆汇快讯利好67

    长鑫科技公布DRAM器件、4F架构及混合键合进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技公布DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。公司介绍的4F架构相比行业主流6F架构，每个单元占4倍最小特征尺寸的平方，相关晶体管为自研VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。

  13. 市场快讯利好69

    长鑫科技公布DRAM新技术进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上公布公司在DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。报道介绍，4F架构每个单元占4倍最小特征尺寸的平方，相较DRAM行业主流6F架构，单位面积内晶体管数量会增多；其核心特色是自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。

    推荐理由：报道梳理了长鑫科技4F架构与主流6F架构的差异，并说明VSG晶体管在提升存储密度中的作用。

  14. 市场快讯利好45

    长鑫科技发布新型技术架构，海外存储龙头垄断壁垒面临重估

    长鑫科技发布新型技术架构，三星电子、SK海力士等全球存储龙头股价近期明显回调。10月13日，三星电子和SK海力士跌幅均超过7%，10月14日跌幅收窄并企稳。业内人士认为，短期下跌反映交易情绪超调，长期则涉及市场对国际存储巨头垄断壁垒的重估；未来服务器市场可能分化。

10月14日周三
  1. IT之家58

    SK 海力士安炫预测 AI 基础设施性能规模到 2030 年增长约 20 倍

    SK 海力士开发总管安炫在 SEDEX 2026 主旨演讲中预测，到 2030 年 AI 基础设施性能规模将增长约 20 倍。报道提到，推理需求增长推动 KV Cache 扩容，数据在 HBM、DRAM 与 SSD 间迁移形成性能和能耗瓶颈；SK 海力士正推进 3D 堆叠 DRAM 与 HBF 研发，目标是让 HBF 带宽达到同代 HBM 的约 50%，容量约为 10 倍。

  4. 格隆汇快讯81

    韩国9月ICT出口额达751.5亿美元，首次超过700亿美元并刷新纪录

    韩国科学技术信息通信部和产业通商部发布数据，韩国9月ICT出口额同比增长195.8%至751.5亿美元，首次超过700亿美元，在韩国出口总额中占比62.1%。半导体出口额为603.3亿美元，同比增长262.8%；计算机和周边设备出口额为71.6亿美元，同比增长393%，其中SSD出口额为67.7亿美元、增长532%。

    推荐理由：韩国9月ICT出口额及贸易顺差均刷新纪录，细分数据呈现半导体、计算机和周边设备增长与显示器出口下降的差异。

  5. 格隆汇快讯利空44

    SK海力士HBM4部分后道工序设备订单或推迟至明年，扩产信号尚不明朗

    SK海力士原计划今年下半年落地的部分HBM4后道工序设备订单有推迟至明年的迹象，后续采购计划尚未具体化。业内人士称，已交付设备是否满负荷运转暂无数据确认，SK海力士明年的投资计划似乎尚未敲定。目前今年相关设备主体发单已基本收尾，追加投资动向仍不明显。

  7. 市场快讯利好64

    SK海力士预计到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍

    SK海力士预计，到2030年，受AI推理需求增长推动，人工智能基础设施的性能规模将提升约20倍。SK海力士研发负责人Ahn Hyun表示，推理需求正从任务复杂度、单次处理信息量和请求总量三个维度扩张。KVCache需要存储并复用模型处理过的信息，相关数据分布于HBM、DRAM和SSD；SK海力士正在布局3D堆叠DRAM和HBF，并迭代现有HBM产品性能。