铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片“泰山一号”完成流片，采用1T4R存储结构

铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片 采用1T4R存储结构 【铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片 采用1T4R存储结构】10月14日，界面新闻获悉，铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nmCMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm2，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。据悉，1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。