长鑫科技公布DRAM器件、4F架构及混合键合进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

长鑫科技公布DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。公司介绍的4F架构相比行业主流6F架构，每个单元占4倍最小特征尺寸的平方，相关晶体管为自研VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。