阶跃星辰开放 Step 5 Preview 模型权重，华为昇腾、沐曦和壁仞宣布首发支持
阶跃星辰开放 Step 5 Preview 模型权重，包含 BF16 与 FP8 版本，并称模型在 AI 编程、软件工程、专业知识工作和金融等任务上达到前沿水平。
推荐理由：Step 5 Preview 权重开放后，昇腾、沐曦和壁仞同步提供适配，材料列出推理引擎、硬件平台及关键优化环节。
概念板块
芯片概念 最新动态
芯片设计、制造与封测公司的板块口径；设备材料与国产替代归半导体与自主可控主线。
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IT之家利好精选AI 评分7777 彭博精选AI 评分6868 芯片股市值缩水1万亿美元，杠杆ETF吸引数十亿美元资金
芯片股市值缩水1万亿美元之际，ETF投资者向这轮下跌投入数十亿美元。一只将该板块每日敞口放大至三倍的基金，本周资金流入有望创纪录。
推荐理由：芯片股市值回落与杠杆 ETF 资金流入同时出现，摘要给出板块市值变化和单只基金资金流向两个观察口径。
市场快讯利好重大精选AI 评分7676 拓荆科技拟以25亿元收购三家公司股权并募集配套资金18.2亿元
拓荆科技拟通过发行股份及支付现金，购买无锡尚积82.97%股份、无锡宽行100%股权及上海泰纳微100%股权，标的资产合计交易价格25亿元。公司还拟向不超过35名特定对象发行股票，募集配套资金18.2亿元。
推荐理由：交易方案列出三家标的的收购比例、25亿元交易价格及18.2亿元配套募资安排，可对照各部分的交易结构与资金规模。
市场快讯利好重大精选AI 评分7777 复旦微电预计2026年前三季度归母净利润同比增长187.63%至248.18%
复旦微电预计2026年前三季度营业收入为34.5亿元至36.5亿元，同比增长14.07%至20.68%；归母净利润为9.5亿元至11.5亿元，同比增长187.63%至248.18%。公司预计扣非净利润为7亿元至8.5亿元，同比增长130.97%至180.47%，并称技术创新、产品迭代、行业景气度回升及下游客户需求增长推动收入增长，存货跌价损失较上年同期大幅下降。
推荐理由：公告同时给出营收、归母净利润和扣非净利润的预计区间及同比口径，并说明收入增长与存货跌价损失下降的原因。
市场快讯利好精选AI 评分7777 台积电称亚利桑那州第二座晶圆厂计划于2027年第三季度量产
台积电董事长魏哲家在法说会上更新海外扩充进度，亚利桑那州第二座晶圆厂已完成建设，目前处于机台移入与安装阶段，计划于2027年第3季开始量产，比先前预定时间稍早。日本第二座晶圆厂将采用3纳米制程，量产预计于2028年展开。
推荐理由：台积电更新了亚利桑那州第二座晶圆厂的建设与量产安排，并将计划时间与此前预定时间作了比较。
格隆汇快讯利好精选AI 评分6868 大摩称美日支持格芯扩建美国产能，轻资本扩张有望增厚盈利
摩根士丹利称，格芯已获选为纽约马耳他园区两座新300mm晶圆厂的技术提供商和运营商。日本将根据美日贸易协议为项目提供最多210亿美元资金；美国CHIPS项目办公室将重新划拨格芯此前获得的9.55亿美元资金，自2027年起用于研发和资本开支，美国商务部将获得格芯约4%股权。大摩认为，该协议有望在不投入资本开支的情况下扩大格芯盈利潜力，并凸显其作为美国规模化代工厂的战略价值。
推荐理由：研报梳理了日本最多210亿美元项目资金、美国重新划拨9.55亿美元资金及约4%股权安排，并将其与格芯的资本开支和盈利潜力联系起来。
市场快讯利好精选AI 评分7777 台积电董事长称因需求强劲，将在台湾额外增建一座3纳米晶圆厂
台积电董事长称，因需求强劲，公司将在台湾额外增建一座3纳米晶圆厂。
推荐理由：内容交代了台积电在台湾增建3纳米晶圆厂的计划及需求背景，呈现其产能扩建安排。
市场快讯利好重大精选AI 评分7272 台积电预计2026年美元营收增长约44%，此前预测为略高于40%
台积电预计2026年以美元计算的营收将增长约44%，此前预测为略高于40%。
推荐理由：台积电将2026年美元营收增长预期调整至约44%，高于此前略高于40%的预测，前后口径便于对照。
市场快讯利好精选AI 评分7171 台积电确认2026年资本支出预期为600亿至640亿美元
台积电确认2026年资本支出预期为600亿至640亿美元。
市场快讯利好重大精选AI 评分8282 台积电预计第四季度营收为523亿至543亿美元
台积电预计第四季度营收为523亿至543亿美元。标题所列2025年第四季度营收为337.3亿美元。
推荐理由：材料给出第四季度营收预期区间，并以2025年第四季度营收作对照，便于查看两期数字口径。
市场快讯利好精选AI 评分6969 长鑫科技公布DRAM新技术进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品
长鑫科技总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上公布公司在DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。报道介绍，4F架构每个单元占4倍最小特征尺寸的平方，相较DRAM行业主流6F架构，单位面积内晶体管数量会增多；其核心特色是自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。
推荐理由：报道梳理了长鑫科技4F架构与主流6F架构的差异，并说明VSG晶体管在提升存储密度中的作用。
格隆汇快讯精选AI 评分7878 特朗普宣布格芯纽约州210亿美元建厂计划及阿拉斯加LNG投资安排
特朗普宣布，格芯计划在纽约州马耳他投资210亿美元新建两座半导体制造设施，资金将由日本根据此前达成的贸易协议提供。项目预计创造2.7万个建筑及供应链岗位和超过1000个高技能制造岗位；美国商务部将向硅光子学、硅锗及先进封装追加投资9.55亿美元，使累计投资达到16.3亿美元。
推荐理由：格芯纽约州项目的日本资金安排与美国政府追加投资，以及阿拉斯加LNG项目的韩国投资额，呈现两项计划各自的资金来源和规模。
市场快讯利好精选AI 评分7070 特朗普称商务部将向硅光子学、硅锗和先进封装领域投资9.55亿美元
特朗普称，商务部将向硅光子学、硅锗和先进封装领域投资9.55亿美元。
推荐理由：这则消息概述商务部拟投资的方向与金额，涉及硅光子学、硅锗和先进封装三个半导体环节。
市场快讯利好精选AI 评分7373 黑芝麻智能签订约3亿元销售及技术开发合同，AI计算服务器获首批订单
黑芝麻智能公告称，近期其全资附属公司黑芝麻智能科技有限公司与一家A股上市公司签订销售及技术开发合同，销售合同总金额约人民币3亿元。合同签订一年内，预计采购以集团高性能AI芯片为核心的AI计算服务器整机产品约人民币2.5亿元；该合同是集团AI计算服务器的首批订单。
推荐理由：合同将高性能AI芯片与服务器整机销售及技术开发结合，首批订单总额约3亿元，其中一年内预计采购整机约2.5亿元。
IT之家精选AI 评分7575 格芯获选运营纽约州两座晶圆厂，并调整9.55亿美元芯片法案资助
格芯宣布将作为纽约州马耳他市两座新半导体制造工厂的技术提供商和运营方，并与美国商务部达成协议，调整9.55亿美元《芯片与科学法案》资助安排，同时向美国商务部额外分配约4%股权，使其持股比例升至约7%。
推荐理由：项目把两座晶圆厂建设与硅光子、硅锗及先进封装投资纳入同一安排，并列出分期投资、产能和就业岗位口径。
格隆汇快讯精选AI 评分7777 日本拟提供最多210亿美元支持格芯在美建设两座芯片工厂，美国政府将持股约4%
格芯计划在日本政府最多210亿美元资金支持下，在纽约州北部现有厂区运营两座由美国和日本共同持有的芯片工厂；美国政府将收购格芯约4%的股份。建设资金来自日本此前承诺对美投资的5500亿美元，新厂将生产用于汽车、工业设备和通信设备等领域的基础芯片。
推荐理由：协议把日本此前承诺的5500亿美元对美投资与格芯在纽约州北部扩建基础芯片产能联系起来，并涉及美国政府持股安排。
市场快讯利好精选AI 评分7070 Salience Labs获得1.25亿美元B轮融资，扩大光子网络芯片量产规模
Salience Labs获得1.25亿美元B轮融资，用于扩大面向人工智能数据中心基础设施的光子网络芯片量产规模。
推荐理由：融资用途指向人工智能数据中心基础设施中的光子网络芯片量产，内容集中在融资规模与产业链环节。
市场快讯利好精选AI 评分7070 格芯与美国商务部达成协议，重新分配9.55亿美元拨款用于纽约州、佛蒙特州工厂投资
格芯已与美国商务部达成协议，修改其现有的《芯片与科学法案》拨款，重新分配9.55亿美元资金。资金将用于加快格芯在纽约州、佛蒙特州工厂对硅光子学、锗硅和先进封装领域的投资。
推荐理由：协议调整了《芯片与科学法案》拨款的资金用途，覆盖硅光子学、锗硅和先进封装三个投资方向。
机构调研纪要精选AI 评分7878 源杰科技预计2026年Q3收入同比增长264.56%–292.60%，产能释放驱动业绩增长
公司称数据中心业务收入增长、CW产品需求旺盛，产能释放推动2026年第三季度利润环比增长，并预计第四季度及2027年继续增长。公司表示高端产品占比提升和规模效应将支撑毛利率、净利率维持较高水平并逐步提升。NPO、CPO相关激光器芯片正在开发或客户验证，明年有望批量出货；扩建项目分别支持2027年和2028年产能释放。 点名公司：源杰科技参股的产业基金投资企业（光互连上下游）。 时点：2026-10 预计第四季度及2027年继续保持增长态势；2027-09 新项目预计明年下半年进行设备导入。
市场快讯利好精选AI 评分7070 中微公司丛海称近3到5年将开发102个新设备，研发总投资近130亿元
中微公司资深副总裁丛海在2026湾芯展开幕式暨半导体产业发展峰会上表示，公司近3到5年将累计开发102个新设备，研发总投资近130亿元。设备包括集成电路前道高端设备、后道先进封装设备及泛半导体领域设备；他还称，未来五到十年中微公司和合作伙伴将共同努力覆盖60%的集成电路高端设备市场。
推荐理由：丛海披露中微公司近3到5年新设备开发数量与研发投入，并提及设备覆盖前道、先进封装和泛半导体领域。