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主线

半导体与自主可控 最新动态

芯片设计、设备材料、封测与国产替代的长期主线;消费电子终端和 AI 算力各有自己的主线。

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精选归档 · 第 3 页

10月15日周四第 41–60 条
  1. 市场快讯利好74

    机构预测2026年第二季度长江存储NAND出货量排名升至全球第三

    Counterpoint Research预测,2026年第二季度长江存储按NAND出货量排名升至全球第三,仅次于三星电子和SK海力士,并超过铠侠和美光。若剥离SK海力士旗下Solidigm的出货量,长江存储排名将升至第二位;2025年第一季度至2026年第一季度,其全球NAND营收份额从9%升至14%,营收同比增幅最高达478%。

    推荐理由:长江存储的排名按NAND出货量计算,若剥离SK海力士旗下Solidigm,排名口径会从第三升至第二;文中还列出营收份额和同比增幅。

  2. 市场快讯利好68

    维信诺联合清华大学、iQOO推出首发量产2K+185Hz手机屏幕

    维信诺联合清华大学、iQOO推出基于第四代OLED材料pTSF打造的“天空之镜”定制发光材料,并首发量产2K+185Hz手机屏幕。维信诺称,该材料较上一代发光效率提升8%、全局峰值亮度提升10%,屏幕将首发搭载于iQOO Neo 12。

    推荐理由:材料给出新一代发光材料相较上一代的效率与全局峰值亮度变化,并说明了首发搭载机型。

  3. 格隆汇快讯69

    美银称台积电2nm生产线订单能见度已排至2028年

    美国银行报告称,台积电2nm生产线订单能见度已排至2028年。台积电预计今年量产N2P系列,并于2027年推出面向资料中心与高速晶片优化的N2X系列;截至2026年第二季底,2nm、3nm、5nm分别占营收3%、30%、33%。美银预估2nm营收占比第三季将升至11%,并预测2028年第三季先进制程晶圆月供需量将突破50万片、产能利用率上看105%;该行称台积电仅需25%产能利用率即可维持获利。

    推荐理由:美银把订单能见度、各制程营收占比和产能利用率放在同一组预测中,呈现其对2nm放量及先进制程供需的测算口径。

  4. 市场快讯利好69

    长鑫科技公布DRAM新技术进展,预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上公布公司在DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展,并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。报道介绍,4F架构每个单元占4倍最小特征尺寸的平方,相较DRAM行业主流6F架构,单位面积内晶体管数量会增多;其核心特色是自研的VSG(Vertical Surrounded Gate)晶体管。

    推荐理由:报道梳理了长鑫科技4F架构与主流6F架构的差异,并说明VSG晶体管在提升存储密度中的作用。

  5. 格隆汇快讯78

    特朗普宣布格芯纽约州210亿美元建厂计划及阿拉斯加LNG投资安排

    特朗普宣布,格芯计划在纽约州马耳他投资210亿美元新建两座半导体制造设施,资金将由日本根据此前达成的贸易协议提供。项目预计创造2.7万个建筑及供应链岗位和超过1000个高技能制造岗位;美国商务部将向硅光子学、硅锗及先进封装追加投资9.55亿美元,使累计投资达到16.3亿美元。

    推荐理由:格芯纽约州项目的日本资金安排与美国政府追加投资,以及阿拉斯加LNG项目的韩国投资额,呈现两项计划各自的资金来源和规模。

10月14日周三
  1. 格隆汇快讯74

    格芯获选运营美日半导体合作计划下两家晶圆厂,股价涨超6%

    格芯(GFS.US)获选为美日半导体合作计划的技术提供商及营运商,将在纽约州马耳他市新建两座半导体制造厂,消息公布后股价涨超6%,最高触及49.8美元。该计划最高提供210亿美元资金,日本提供投资资本,格芯贡献技术与营运能力;首期约100亿美元用于建设一座全新的300毫米晶圆厂,预计于2029年投入运营,另约100亿美元将用于资助第二座晶圆厂建设。

    推荐理由:计划包含两座晶圆厂,首期约100亿美元用于建设300毫米晶圆厂,预计2029年投入运营,第二座厂的建设另获约100亿美元资助。

  2. IT之家75

    格芯获选运营纽约州两座晶圆厂,并调整9.55亿美元芯片法案资助

    格芯宣布将作为纽约州马耳他市两座新半导体制造工厂的技术提供商和运营方,并与美国商务部达成协议,调整9.55亿美元《芯片与科学法案》资助安排,同时向美国商务部额外分配约4%股权,使其持股比例升至约7%。

    推荐理由:项目把两座晶圆厂建设与硅光子、硅锗及先进封装投资纳入同一安排,并列出分期投资、产能和就业岗位口径。

  3. 格隆汇快讯77

    日本拟提供最多210亿美元支持格芯在美建设两座芯片工厂,美国政府将持股约4%

    格芯计划在日本政府最多210亿美元资金支持下,在纽约州北部现有厂区运营两座由美国和日本共同持有的芯片工厂;美国政府将收购格芯约4%的股份。建设资金来自日本此前承诺对美投资的5500亿美元,新厂将生产用于汽车、工业设备和通信设备等领域的基础芯片。

    推荐理由:协议把日本此前承诺的5500亿美元对美投资与格芯在纽约州北部扩建基础芯片产能联系起来,并涉及美国政府持股安排。

  4. 市场快讯利好70

    格芯与美国商务部达成协议,重新分配9.55亿美元拨款用于纽约州、佛蒙特州工厂投资

    格芯已与美国商务部达成协议,修改其现有的《芯片与科学法案》拨款,重新分配9.55亿美元资金。资金将用于加快格芯在纽约州、佛蒙特州工厂对硅光子学、锗硅和先进封装领域的投资。

    推荐理由:协议调整了《芯片与科学法案》拨款的资金用途,覆盖硅光子学、锗硅和先进封装三个投资方向。

  5. IT之家78

    中国科大团队利用拓扑探针实现交错磁体原子尺度自旋成像

    中国科学技术大学科研团队将 α 相溴化铋制成扫描隧道显微镜针尖,发展出原子尺度自旋探测方法,并获得钾钒硒氧表面存在二维 d 波交错磁序的直接实验证据。团队通过实空间成像、矢量磁场下的隧道谱测量及偏压反转的准粒子干涉图样等结果相互印证。相关成果于 10 月 13 日发表于《自然》,论文链接:https://www.nature.com/articles/s41586-026-11257-1

    推荐理由:研究将拓扑边界态用于扫描隧道显微镜针尖,并通过实空间成像、磁场响应和偏压反转散射等结果,支持钾钒硒氧表面存在二维 d 波交错磁序。

  6. 国际投行研报74

    摩根大通认为AI半导体上行周期未明显转弱,HBM需求至2028年高增

    WSTS数据显示,2026年8月半导体、逻辑和存储收入同比增长,存储平均售价继续上涨。摩根大通将存储价格走强归因于HBM供需紧张及出货结构改善,并预计2027年HBM短缺加剧。报告预计AI加速器和数据中心CPU支撑先进制程需求,2027年N3供需趋紧、N2扩产加快。 点名公司:台积电(先进制程)、英伟达(HBM需求)。

  7. 市场快讯利好70

    中微公司丛海称近3到5年将开发102个新设备,研发总投资近130亿元

    中微公司资深副总裁丛海在2026湾芯展开幕式暨半导体产业发展峰会上表示,公司近3到5年将累计开发102个新设备,研发总投资近130亿元。设备包括集成电路前道高端设备、后道先进封装设备及泛半导体领域设备;他还称,未来五到十年中微公司和合作伙伴将共同努力覆盖60%的集成电路高端设备市场。

    推荐理由:丛海披露中微公司近3到5年新设备开发数量与研发投入,并提及设备覆盖前道、先进封装和泛半导体领域。

  8. 市场快讯利好75

    华海清科发布中束流离子注入机IHQ-900E

    华海清科在2026湾芯展开幕式暨半导体产业发展峰会上发布中束流离子注入机IHQ-900E。据介绍,该设备在剂量均匀性、角度、Dose Rate、Beam Current及WPH等部分关键指标方面领先国外竞品,整机国产化率为95.6%,预计2027年实现全部国产化。

    推荐理由:IHQ-900E的部分关键指标据称领先国外竞品,材料还列出整机国产化率及预计完成全部国产化的时间。

  9. 格隆汇快讯81

    韩国9月ICT出口额达751.5亿美元,首次超过700亿美元并刷新纪录

    韩国科学技术信息通信部和产业通商部发布数据,韩国9月ICT出口额同比增长195.8%至751.5亿美元,首次超过700亿美元,在韩国出口总额中占比62.1%。半导体出口额为603.3亿美元,同比增长262.8%;计算机和周边设备出口额为71.6亿美元,同比增长393%,其中SSD出口额为67.7亿美元、增长532%。

    推荐理由:韩国9月ICT出口额及贸易顺差均刷新纪录,细分数据呈现半导体、计算机和周边设备增长与显示器出口下降的差异。

  10. 格隆汇快讯利好70

    小摩称阿斯麦第三季度毛利率达57.5%,高于市场预期和公司指引区间

    摩根大通分析师称,阿斯麦第三季度毛利率为57.5%,高于接近56%的市场一致预期,也超过公司此前55%至57%的指引区间。分析师将利润率表现与已售设备维护、改造和升级服务收入增长联系起来。阿斯麦预计当前季度毛利率约为57%,摩根大通称这一水平较市场一致预期的56.4%高约60个基点。

    推荐理由:报告把阿斯麦毛利率表现与已售设备的维护、改造和升级服务收入联系起来,并给出当前季度指引与市场一致预期的差距。

  11. 市场快讯利好68

    铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片,采用1T4R存储结构

    铭芯启睿近日宣布,首代RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”已完成流片,目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构,单芯片容量为1Gb,存储密度为30Mb/mm²,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。

    推荐理由:芯片已完成流片并进入验证阶段,材料列出容量、存储密度和访问延时,可了解其当前进展与披露的性能口径。

  12. 市场快讯利好74

    ASML预计半导体行业至少到2028年仍供不应求,并计划提升设备效率

    ASML首席执行官傅恪礼在2026年第三季度财报视频访谈中表示,短期市场需求将继续增长、需求周期进一步延长,预计至少到2028年行业仍将供不应求。ASML计划于2027年推出NXE:3800F,将生产效率从目前每小时230片晶圆提升至每小时260片;初期出货量有限,预计2028年起将显著帮助客户提升产能。ASML还计划使2027年交付的浸润式DUV设备生产效率达到每小时330片晶圆。

    推荐理由:ASML将需求周期延长与设备效率提升放在同一时间线上,给出了NXE:3800F及浸润式DUV设备的产能节奏和指标。