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电报快讯与官方发布

今天10月19日周一23 条
  1. 市场快讯利好69

    据报道,三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基础芯片

    据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片。报道还称,这将是三星与台积电首次在HBM制造阶段合作。

    推荐理由:报道涉及HBM制造分工,具体提到台积电3纳米工艺用于英伟达下一代定制HBM基础芯片,并称这是三星与台积电首次在该阶段合作。

  2. 格隆汇快讯62

    美银称牛熊指标跌破卖出讯号门槛,11月中旬重返科技股取决于芯片价格

    美银策略师Michael Hartnett称,美银牛熊指标由8.1降至7.4,跌破8.0门槛,结束5月26日触发的卖出讯号;但卖出讯号终止不代表买点已到。美银广度规则显示,全球股市指数净超卖比例为52%,是2025年4月以来最高,仍低于触发反向买进讯号所需的88%。

  3. 格隆汇快讯61

    长鑫科技预计2026年前三季度净利润1310亿至1325亿元,三季度环比增幅放缓

    长鑫科技预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1310.00亿至1325.00亿元,同比扭亏为盈。公司预计第三季度净利润为533.95亿至548.95亿元,较第二季度的528.43亿元增长约1%至3.9%;第一季度、第二季度环比增速分别为246.09%、113.4%。格隆汇快讯称,存储芯片股开盘普跌,长鑫科技跌近9%报41元,股价创上市首日以来新低。

  4. 格隆汇快讯39

    “木头姐”继续看好韩国半导体股:当前已进入买入区间

    “木头姐”凯茜·伍德16日就近期因外资抛售而震荡的韩国股市表示:“外资并不是因为基本面恶化而撤离。我认为程序化交易的影响更大”。谈及韩国半导体股大跌,她表示:“现在确实是进入买入区间的合适时机。”当被问及外资流出的决定性原因时,伍德称:“今年6月存储芯片股价见顶回落时,韩元兑美元汇率也创下历史新高。这并不是市场本身存在任何基本面缺陷,而是股价下跌与汇率因素叠加,导致机械性的程序化交易激增。”对于近期存储芯片股的回调,伍德认为这是此前价格快速飙升引发的反作用,“由于存储芯片单价上涨过快,电子设备的零售销量大幅下降。这一因素已经反映在股价之中。”韩国Kospi指数今日开盘跌逾3%,随后回升,截至发

  5. 市场快讯利空68

    韩国和日本股市下挫,AI融资担忧令芯片股承压

    韩国Kospi指数周一一度下跌3.2%,三星电子和SK海力士均一度下跌超过4%;日经225指数下跌约2%,爱德万测试跌幅居前。美国芯片股上周五连续第八个交易日下跌,市场担忧人工智能建设成本及美国公司项目资金;DeepSeek周末发布AI模型更新版本,称新版本更快、更精简,引发对内存需求的担忧。Kospi刚经历2008年10月以来最糟糕的单周表现,但今年以来仍上涨超过30%。

    推荐理由:韩国与日本股市的盘中跌幅、韩国股指此前单周表现及年内涨幅并列呈现,交代了市场波动的时点与区间口径。

  6. 格隆汇快讯利好52

    A股电子行业41家公司披露前三季度业绩预告,36家预喜

    截至10月16日12时,A股电子行业有41家公司披露2026年前三季度业绩预告,其中预增、略增、扭亏的公司分别为24家、6家、6家,合计36家,占已披露公司的87.80%。多数预喜公司的业绩变动说明提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称,AI驱动下行业需求旺盛、供给端产能布局缓慢,并预计行业高景气度或持续、三季报业绩大概率持续好转。

  7. 格隆汇快讯利好60

    三星据悉计划采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

    三星据悉计划采用台积电3纳米工艺,为英伟达生产下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。报道援引未具名业内人士称,英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用台积电3纳米工艺,以确保性能一致;报道并称这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。

  8. 市场快讯利好63

    据报道三星计划采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

    据报道,三星电子计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用该工艺,以确保性能一致性;报道还称,这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。

  9. 市场快讯利好54

    A股电子行业41家公司披露前三季度业绩预告,36家预喜

    截至10月16日12时,按申万行业分类,A股41家电子行业上市公司披露2026年前三季度业绩预告,其中24家预增、6家略增、6家扭亏,合计36家,占已披露公司87.80%。记者梳理称,多数预喜公司的业绩变动说明提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称,AI驱动下行业需求依然较旺、供给端产能布局较慢,并预计近期科技季度报告陆续发布、三季报业绩大概率持续好转。

  10. 市场快讯利好59

    A股电子行业41家公司披露前三季度业绩预告,36家预喜、占87.80%

    截至10月16日12时,按申万行业分类,A股有41家电子行业上市公司披露2026年前三季度业绩预告,其中24家预增、6家略增、6家扭亏,合计36家预喜,占已披露公司的87.80%。多数预喜公司在业绩变动说明中提及人工智能产业发展、数据中心建设需求或存储需求增加。东海证券研报称,AI驱动下行业需求依然较旺盛,供给端产能布局缓慢,高景气度或持续,并预计近期科技公司三季报业绩大概率持续好转。

  11. 市场快讯利好58

    报道称三星计划采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片

    韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士称,三星电子计划使用台积电3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道说,英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用该工艺,以保障产品性能一致;NVHBM基于第七代HBM4E架构开发。

10月18日周日
  1. 格隆汇快讯57

    三星据报将采用台积电3纳米制程为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片

    据《首尔经济日报》,三星将采用台积电3纳米制程,为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片,这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。报道援引消息人士称,英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片,并以第六代DRAM技术制造核心芯片;三星接受了这一要求,但计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。

  2. 格隆汇快讯利空重大70

    美银称云服务商未来12个月自由现金流低于负1000亿美元,半导体厂商接近5000亿美元

    美银全球研究报告称,云服务商合计未来12个月自由现金流已低于负1000亿美元,资本开支消耗95%的经营现金流;截至2026年9月,英伟达、美光和博通未来12个月自由现金流接近5000亿美元。

    同一新闻,精选展示《美银称云服务商未来12个月自由现金流合计低于负1000亿美元,三家半导体厂商接近5000亿美元》

  3. 市场快讯利好64

    瑞银预计HBM4占全球HBM总需求比重将从2026年的17%升至2027年的39%

    瑞银预计,HBM4将成为主流内存标准,其占全球HBM总需求比重将从2026年预估的17%升至2027年的39%。瑞银还预计,HBM3E 12‑Hi占比将从65%降至30%,HBM3E 8‑Hi从8%升至17%,HBM4E占9%,HBM3降至5%;基片制造与基板良率被列为HBM4落地的执行风险。英伟达VR300加速器采用8‑Hi堆叠方案。

  4. 市场快讯利空重大72

    对冲基金连续五个交易日净卖出全球AI股票,年初以来累计净买入被抹去

    高盛Prime经纪业务数据显示,10月8日至14日,对冲基金连续五个交易日净卖出全球AI股票,自2025年初以来的累计净买入在一周内被悉数抹去。截至最新,全球市值最高的20只AI和半导体股票合计蒸发超过1万亿美元市值;韩国股市跌入熊市区间,首尔市场触发熔断机制。对冲基金整体杠杆率仍处于高位,AI交易集中平仓是否会引发新一轮去杠杆仍是市场关注焦点。

    推荐理由:高盛Prime经纪业务数据呈现了对冲基金连续五个交易日净卖出全球AI股票的变化,并给出其对年初以来累计净买入的影响。

10月17日周六
  1. 市场快讯利好重大79

    江波龙预计2026年前三季度归母净利润140亿至149亿元,扣非净利润同比增长约27.82倍至29.91倍

    江波龙预计2026年前三季度归母净利润为140亿至149亿元,同比增长约18.65倍至19.91倍;扣非净利润为138亿至148亿元,同比增长约27.82倍至29.91倍。第三季度扣非净利润预计为37.53亿至47.53亿元,同比增长约7.40倍至9.64倍。公司在公告中提醒,存储行业周期逻辑正在从消费类价格周期转向AI驱动技术周期。

    同一新闻,精选展示《江波龙预计2026年前三季度归母净利润同比增长1,864.55%至1,990.84%》

10月16日周五
  1. 格隆汇快讯利好重大75

    长鑫科技预计前三季度净利润1310亿至1325亿元,同比扭亏为盈

    长鑫科技预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1310.00亿至1325.00亿元,同比扭亏为盈。公司预计Q3净利润为533.95亿至548.95亿元,Q2净利润为528.43亿元,据此计算Q3净利润预计环比增长1%至3%;公司称业绩变动主要系AI算力需求增长、全球DRAM行业景气度提升、产品供不应求及价格上涨,产能利用率保持高位。

    同一新闻,精选展示《长鑫科技预计2026年前三季度净利润1310亿至1325亿元,同比扭亏为盈》