调研纪要·· 13 天前
摩根士丹利：大尺寸 AI 芯片推动先进封装竞争，磷化铟缺货利好薄膜铌酸锂路线
摩根士丹利： 先进封装成了新战场：AI 芯片越做越大，光罩尺寸超 9.7 倍后，原本圆片级的 2.5D 封装装不下或太贵
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大尺寸 AI 芯片推动先进封装竞争，磷化铟缺货利好薄膜铌酸锂路线
核心逻辑
AI 芯片持续增大，光罩尺寸超过 9.7 倍后，传统圆片级 2.5D 封装可能装不下或成本过高。台积电推进 CoPoS、英特尔推进 EMIB-T，报告称能承载更大芯片的方案有望获得订单。磷化铟严重缺货，将机会推向薄膜铌酸锂；联电 6 英寸已量产、8 英寸送样，并与硅光晶片整合。
点名公司
- 台积电提及先进封装中性推进面板级 CoPoS
- 英特尔提及先进封装中性推进 EMIB-T
- 联电提及硅光晶片看多6 英寸已量产，8 英寸送样并整合硅光晶片
关键数字
- 光罩尺寸
- 超 9.7 倍
- 薄膜铌酸锂带宽
- 超过 110 GHz
- 联电薄膜铌酸锂量产
- 6 英寸已量产
- 联电薄膜铌酸锂送样
- 8 英寸送样
催化与时点
- 联电 8 英寸薄膜铌酸锂送样
来源：调研纪要 · wx.zsxq.com