SK海力士参加OCP全球峰会,展示三款下一代AI内存技术
SK海力士表示,公司于12日至15日参加在美国加州圣何塞举行的OCP全球峰会,展示面向下一代AI时代的内存技术。展出的CMM-DDR5支持多服务器间共享内存资源,MARS是以内存为核心的整机柜级系统,CMM-Ax可在内存内部直接执行运算。
SK海力士表示,公司于12日至15日参加在美国加州圣何塞举行的OCP全球峰会,展示面向下一代AI时代的内存技术。展出的CMM-DDR5支持多服务器间共享内存资源,MARS是以内存为核心的整机柜级系统,CMM-Ax可在内存内部直接执行运算。
台积电董事长兼CEO魏哲家在第三财季财报电话会上表示,公司已量产5倍光罩尺寸先进封装,良率“非常优秀”,客户对量产结果十分满意。他称目前尚无其他企业能做到这一规模;台积电正在开发9倍光罩尺寸封装,并朝14倍推进。魏哲家还表示,若客户无法从竞争对手处获得足够先进封装产能,台积电已做好准备。
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港股上午盘三大指数呈现高开高走行情,一扫昨日大跌阴霾。昨日盘中刷新阶段新低的恒生科技指数午间收涨2.09%,恒生指数、国企指数分别上涨1.21%及1.09%。大型科网股集体反弹拉升助力大市回升,阿里巴巴涨近4%,百度涨3%,京东、美团涨超2%,腾讯涨超1%,唯独小米飘绿;连续下跌的存储半导体股、光通信概念股、PCB概念股终见反弹,且板块涨幅靠前,其中,南方两倍做多三星电子涨9%。另外,持续撑市的内银股走低,锂电龙头宁德时代继续下跌。(格隆汇)
德明利表示,H9560主控芯片瞄准CXL内存扩展核心场景,预计年内完成回片。公司已构建涵盖主控芯片、全栈固件、方案验证和系统适配的企业级存储技术布局,并将持续推进相关产品的客户导入与商业化进展。
长鑫科技早盘涨超 5%,市值重回 3 万亿,超越工商银行成为 A 股市值第一。公司拟使用超募资金 130 亿元新建技术研发项目,并拟向全资子公司提供 50 亿元,用于新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。
存储芯片概念震荡反弹 长鑫科技总市值重上3万亿 存储芯片概念盘中震荡反弹,长鑫科技涨超5%,总市值重返3万亿上方,聚辰股份涨超10%,澜起科技、普冉股份、兆易创新、太极实业涨幅靠前。
存储芯片概念盘中震荡反弹,长鑫科技涨超5%,总市值重返3万亿上方,聚辰股份涨超10%,澜起科技、普冉股份、兆易创新、太极实业涨幅靠前。
长鑫科技涨超5% 重新夺回总市值第一宝座 长鑫科技涨超5%,重新夺回总市值第一宝座。
存储芯片板块短线拉升,复旦微电涨超15% 存储芯片板块短线拉升,复旦微电涨超15%,澜起科技、长鑫科技涨超5%,兆易创新、西测测试跟涨。消息面上,复旦微电前三季度归母净利同比预增至多248.18%。
A股开盘,三大指数集体高开,创业板指涨1.75%。沪指涨0.44%报3723.80点,深证成指涨1.26%;存储芯片、CPO、PCB等算力硬件板块反弹。
SK海力士涨3%。
中信证券研报称,全球存储芯片股价近期波动加剧,10月份以来表现显著弱于其他板块。长鑫科技4F²技术仍处于早期验证阶段,后续需观察良率、产量、毛利率及下游客户认证情况,对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道公司的投资机会。
GOOGL正讨论将内存长期协议延至2035年,信息来自KeyBanc渠道调研。推文称,三星已有70%的产能分配至2031年,并称这一动向或显示MU、SKHY等公司的周期更持久;末句提到对HBM价格的预期,但内容未完整。
SK Hynix旗下Solidigm据报正在寻求美国批准,向其中国工厂发送更多芯片制造设备,同时权衡在美国建设一座新的NAND芯片工厂。材料未提供完整正文。
彭博《Stock Movers》节目介绍了CoreWeave、台积电和Rocket Lab的股价变动及相关事件。
美光科技在存储股中率先转涨,此前一度跌超6%。
美光科技在存储股中率先转涨 此前一度跌超6% 美光科技在存储股中率先转涨,此前一度跌超6%。
路透社称,SK 海力士正尝试以在美国建设 NAND 工厂,换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。Solidigm 已申请出口许可证,拟为大连 Mod B 增购设备;SK 海力士称设备安装正在与美国政府协商,并在获得授权的情况下进行,同时表示目前不寻求扩大 Mod B 产能。知情人士称,Solidigm 正考虑最早于 2027 年进行 IPO,筹集可能用于美国新厂建设的资金。
美光科技在存储股中率先转涨,此前一度跌超6%。其他存储股也收窄跌幅,SK海力士ADR跌2.00%;闪迪跌2.51%,西部数据跌4.33%,希捷科技跌4.57%,铠侠ADR跌5.68%。
瑞银认为AI服务器扩容与推理部署推动DRAM、DDR5、SOCAMM和SSD需求增长,服务器需求强于PC及手机。模型预计2026—2027年DRAM和NAND供应充足率为负,价格维持高位;2027年HBM需求增速快于供给。瑞银以覆盖公司剔除长鑫后2027—2030年平均自由现金流收益率29%为估值锚,认为存储股回调可能形成机会,并将三星电子列为首选。 点名公司:三星电子(存储)、长鑫(存储)、SK海力士(存储)、美光(存储)、英伟达(客户)。 时点:2027-01 AI推理部署推动2027年服务器DDR5订单上调;2027-01 Vera CPU相关SOCAMM订单2027年超过500亿Gb;2027-01 三星HBM位元出货预计增长96%,份额升至41%。
费城半导体指数过去六个交易日累计下跌12%,市值蒸发约1万亿美元;同期投资者继续买入半导体ETF。规模达720亿美元的VanEck半导体ETF过去三个交易日吸引超过4.3亿美元资金流入,本周流入规模有望创下9月初以来最大单周纪录;规模达190亿美元的Direxion每日半导体看涨3倍ETF本周累计下跌近21%,仍有约38亿美元资金流入,流入规模足以使其创下单周最高纪录。
存储概念股全线下挫,闪迪跌超8%,西部数据跌超6%,SK海力士和美光科技跌近6%。马斯克今日在X平台称中国将在2028年大量生产RAM;韩国财经专栏警告,随着新产能上线,2029年恐出现记忆体供过于求。
美股存储板块跌幅扩大,铠侠ADR跌10%,闪迪、希捷科技跌超8%,西部数据跌超7%,海力士跌超6%,美光科技跌超5%。
美股存储板块跌幅扩大,铠侠ADR下跌10%,闪迪、希捷科技跌超8%。西部数据跌超7%,海力士跌超6%,美光科技跌超5%。
美光跌4.35%,闪迪跌5.86%,SK海力士跌5.83%,西部数据跌5.32%,希捷科技跌5.26%。
美股三大指数开盘涨跌不一,纳指跌1.29%,道指涨0.45%,标普500指数跌0.48%。存储与光通信板块下挫,海力士跌超6%,闪迪、西部数据和迈威尔科技均跌超5%,美光科技和康宁均跌超4%。
存储芯片和数据存储相关公司的美股下跌。美光科技下跌4.4%,SK海力士美股下跌5.9%;西部数据下跌5.4%,闪迪下跌5.8%,希捷科技下跌5%。
费城半导体指数开盘下跌3.65%,报11257点。英伟达、台积电、博通、SK海力士、美光科技、超威半导体、阿斯麦、英特尔、泛林集团、应用材料和ARM股价均下跌,跌幅在2.25%至5.7%之间。
S&P 500 Index futures fall 0.3% as of 7:56 a.m. in New York as a selloff in the artificial-intelligence trade gathered speed and pushed investors toward the safety of bonds.
SK Hynix, Samsung and Micron have been some of the hardest-hit names in the latest tech sell-off.
盛宝表示,股票市场正开始区分AI领域的赢家和输家,对盈利能力、融资和资本纪律的要求日益提高。盛宝将台积电、三星和ASML的强劲业绩,与CoreWeave、Nebius和甲骨文等负债较重的AI基础设施公司进行对比;CoreWeave股价昨日下跌15%,其部分债券在二级市场跌至新低。
高盛认为,ASML扩产及设备吞吐量升级将提高晶圆加工量,推动EUV光刻胶和300毫米硅片中期需求改善。DRAM新增Low-NA EUV客户增加,东京应化正提升DRAM用EUV胶份额,因此被认为直接受益。 点名公司:信越化学(先进材料)、东京应化(EUV光刻胶)、SUMCO(300毫米硅片)、ASML(光刻设备)。 时点:2027-01 ASML维持2027年扩产30%的计划;2028-01 ASML考虑2028年超过此前30%的扩张指引。
UBI Research提到,存储器价格飙升压缩智能手机其他组件的成本空间,屏幕降级成为制造商的被迫选择。旗舰设备的存储器与显示屏幕物料成本在2025年早期接近;到2026年下半年,存储器成本约占整机40%,约为屏幕成本的6倍。材料称,存储器涨价与OLED产线折旧带来的出货价格下行共同作用于这一变化。
UBI Research称,存储器价格飙升压缩了智能手机为其他组件预留的成本空间,制造商被迫选择屏幕降级。旗舰设备的存储器与显示屏幕物料成本在2025年早期接近;到2026年下半年,存储器成本约占整机40%,约为屏幕成本的6倍。原文将这一变化归因于存储器涨价和OLED产线折旧带来的出货价格下行。
推荐理由:存储器与屏幕物料成本的相对关系从2025年早期接近,变化到2026年下半年约为6倍,呈现成本压力在组件间的传导。
江波龙预计2026年前三季度归母净利润为140亿元至149亿元,同比增长1864.55%至1990.84%,营业总收入为380亿元至400亿元,同比增长127.08%至139.03%。公司预计前三季度扣非净利润为138亿元至148亿元,同比增长2782.36%至2991.23%;本次业绩预告为初步测算结果,未经审计,具体数据以正式披露的三季报为准。
SK 海力士公布了 3D FeNAND 实现模拟存内计算(A-CiM)的研究成果,相关研究已发表于 IEEE 论文。A-CiM 可利用模拟信号在存储器内执行乘积累加运算;SK 海力士称,FeNAND 可在单个存储单元内产生多种电流状态,适合 AI 计算所需的权重数据。
美股存储芯片概念股盘前集体走低,SK海力士跌超7.8%。西部数据、希捷科技、闪迪及美光科技跌幅均超5%。
存储芯片美股盘前走低 SK海力士跌近8% 【存储芯片美股盘前走低 SK海力士跌近8%】美股存储芯片概念股盘前集体走低,其中SK海力士(SKHY)跌超7.8%,西部数据(WDC)、希捷科技(STX)、闪迪(SNDK)及美光科技(MU)跌幅均超5%。
野村估计,6F²迁移至4F²理论上可缩小约33%的单元面积,但考虑额外晶圆、产能配置和良率后,实际每晶圆单元增幅约40%。4F²及混合键合提高沉积、刻蚀、CMP和平坦化需求,野村列拓荆科技和中微公司为受益标的。野村认为CXMT年底产品更可能是送样或实验品,量产预计在2027—2028年,且与全球领先厂商仍有至少三年技术差距。 点名公司:拓荆科技(沉积、混合键合设备)、中微公司(刻蚀、CMP)、三星、SK海力士、长鑫科技(存储芯片)。 时点:2026-12 CXMT计划年底推出结合4F²和晶圆级混合键合的DDR5 RDIMM;2027-01 4F²量产预计启动;2028-12 4F²量产预计持续至。
佰维存储控股股东、实际控制人、董事长孙成思提议公司以集中竞价方式回购股份,资金总额为2亿元至2.5亿元,回购股份将全部用于注销并减少注册资本。回购价格上限不高于董事会审议通过回购方案决议前30个交易日公司股票交易均价的150%;公司董事会认为提议具有可行性,将研究并制定方案,具体方案仍待董事会、股东会审议通过。