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长鑫存储称4F²架构研发取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品
长鑫技术新突破：4F²架构产品预计年底亮相
利好+0.55对 相关行业影响 中等
存储技术突破并预计推出新一代产品
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AI 导读
长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并称预计年底将推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
推荐理由
内容交代了长鑫存储4F² DRAM架构研发进展及计划推出的产品形态，涉及DRAM器件、混合键合与DDR5 RDIMM。
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