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长鑫存储4F² DRAM架构研发取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品
长鑫技术新突破：4F²架构产品预计年底亮相
利好+0.68对 相关行业影响 中等
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记者获悉，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。（科创板日报）
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