报告认为刻蚀技术、客户基础和国产化支撑中微公司提升市场份额，先进节点及无EUV路线也增加刻蚀与沉积需求。沉积、CMP、检测等新品类预计扩大可服务市场约82%，装机增长则带动备件、升级和服务收入。客户集中、资本开支波动、关键零部件供应和竞争可能约束交付与利润兑现。 点名公司：长鑫科技（存储客户）、北方华创（刻蚀设备）、Piotech（PECVD/ALD）、ACM Research（PECVD/ALD）、Hwatsing（PECVD/ALD）、Lam（设备服务）。 时点：2026-01 预计中国晶圆厂设备市场增长27%至554亿美元；2030-01 预计中国晶圆厂设备市场达到1,035亿美元。
国庆节后首个交易日，A股三大指数集体下跌，创业板指跌3.15%，长鑫科技放量跌超7%。全市场成交额16943亿元，较上日增加2442亿元，超3700只个股下跌。电池、油气开采及服务和港口航运股逆势走强，半导体、CPO等AI硬件板块表现低迷。
A股市值“一哥”长鑫科技(688825.HK)大跌，盘中一度跌超7%至50.6元，股价创8月11日以来新低；长鑫科技半日成交128亿元，位居A股成交榜第二。 长鑫科技自7月27日上市以来，最高价曾一度触及61.8元/股，此后股价在50元至60元区间反复震荡。 消息面上，东芝近日宣布，菲律宾子公司TIP将继续投资扩大产能，目标是到2027财年，将其存储容量年产能较2025财年翻一番。
美银证券预计中金公司第三季纯利为61亿元，同比及环比分别增长172%和31%，其中按市值计价的长鑫科技投资收益预计贡献约27亿元税前收益。美银还预计包销费用及衍生工具收入同比强劲增长，并预测中金首三季纯利同比增长117%，相当于市场全年盈利预测的88%。
长鑫科技盘中跌超5% A股长鑫科技盘中跌超5%，现报52.05元。
Wind数据显示，截至9月30日收盘，今年以来登陆科创板的19只新股涉及20笔保荐机构跟投，投入资金31.34亿元，最新浮动盈亏合计151.19亿元，整体浮盈率接近5倍。20笔跟投上市首日均未破发，首日合计浮盈138.52亿元；其中中金和中信建投各跟投长鑫科技10亿元，分别浮盈53.27亿元，合计占全部跟投浮盈的七成。
报告称，AI、美国云服务商需求及新增长协价带推动DRAM短缺，预计延续至2027年，常规DRAM三季度加权合约价上涨约20%，四季度预计上涨10–15%。NAND涨价主要由客户端与企业级SSD支撑，纳入SSD后整体三季度涨幅接近20%，四季度预计上涨15–20%。消费需求偏弱、客户抵制移动NAND涨价及中国供应商竞争对后续提价形成约束；资料同时提及长鑫科技移动DRAM此前价格落后、潜在涨幅可能高于三星。 点名公司：三星（存储）、SK海力士（存储）、美光（存储）、CXMT（移动DRAM）、SanDisk（存储）、铠侠（存储）、长鑫科技（移动DRAM）。 时点：2026-09 常规DRAM合约价加权上涨约20%；2026-12 四季度常规DRAM价格预计上涨10–15%；2026-12 四季度NAND价格预计上涨15–20%。