国际投行研报· 伯恩斯坦·· 12 天前
伯恩斯坦：存储价格三季度走强、短缺或延续至2027年，消费需求与中国竞争限制空间
伯恩斯坦：Global Memory MEMORY TRACKER （Sep）： ~20% price hike QoQ，in 3Q， & perhaps teens% in 4Q
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存储价格三季度走强、短缺或延续至2027年，消费需求与中国竞争限制空间
核心逻辑
报告称，AI、美国云服务商需求及新增长协价带推动DRAM短缺，预计延续至2027年，常规DRAM三季度加权合约价上涨约20%，四季度预计上涨10–15%。NAND涨价主要由客户端与企业级SSD支撑，纳入SSD后整体三季度涨幅接近20%，四季度预计上涨15–20%。消费需求偏弱、客户抵制移动NAND涨价及中国供应商竞争对后续提价形成约束；资料同时提及长鑫科技移动DRAM此前价格落后、潜在涨幅可能高于三星。
点名公司
- 三星受益存储看多摘要列为跑赢评级
- SK海力士受益存储看多摘要列为跑赢评级
- 美光受益存储看多摘要列为跑赢评级
- CXMT受益移动DRAM看多摘要列为跑赢评级；称移动DRAM潜在涨幅可能高于三星
- SanDisk受益存储看多摘要列为跑赢评级
- 铠侠受益存储看空摘要列为跑输评级
- 长鑫科技688825.SH受益移动DRAM看多称移动DRAM此前价格落后，潜在涨幅可能高于三星
关键数字
- 常规DRAM三季度加权合约价涨幅
- 约20%
- 常规DRAM四季度价格预期
- 上涨10–15%
- NAND四季度价格预期
- 上涨15–20%
- 512GB UFS三季度合约价预期
- 环比上涨约20%
- LPDDR5三季度合约价预期
- 上涨11%
- LPDDR4三季度合约价预期
- 上涨12%
- 低端eMCP三季度合约价预期
- 上涨2.3%
- DRAM行业均价权重
- 服务器DRAM与移动DRAM各34%；PC DRAM 9%；HBM 8%；特殊DRAM 15%
催化与时点
- 2026-09常规DRAM合约价加权上涨约20%
- 2026-12四季度常规DRAM价格预计上涨10–15%
- 2026-12四季度NAND价格预计上涨15–20%
- 2026-09512GB UFS合约价预计环比上涨约20%
- 2027-01短缺预计延续至2027年
风险
- PC和手机需求偏软，客户削减产量并优化存储配置
- 移动NAND客户削减需求并抵制涨价
- 消费级NAND晶圆库存增加可能压低合约价
- 中国供应商报价更温和并赢得份额
- 公司实际ASP受产品组合、合约与出货时差影响
来源：国际投行研报 · stockai.guestpost.cn