野村:4F²使实际每晶圆单元增幅约40%,利好国产设备,量产预计在2027—2028年
野村估计,6F²迁移至4F²理论上可缩小约33%的单元面积,但考虑额外晶圆、产能配置和良率后,实际每晶圆单元增幅约40%。4F²及混合键合提高沉积、刻蚀、CMP和平坦化需求,野村列拓荆科技和中微公司为受益标的。野村认为CXMT年底产品更可能是送样或实验品,量产预计在2027—2028年,且与全球领先厂商仍有至少三年技术差距。 点名公司:拓荆科技(沉积、混合键合设备)、中微公司(刻蚀、CMP)、三星、SK海力士、长鑫科技(存储芯片)。 时点:2026-12 CXMT计划年底推出结合4F²和晶圆级混合键合的DDR5 RDIMM;2027-01 4F²量产预计启动;2028-12 4F²量产预计持续至。