长鑫存储预计年底推出融合4F²架构等技术的DDR5 RDIMM产品

长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，公司预计年底推出融合4F²架构、混合键合等技术的新一代DDR5 RDIMM产品。公司称其自成立以来开展4F²研究和专利布局，公开专利族超过300件；研发涉及字线金属化、位线成型和结激活等工艺。演讲未披露该产品的规格信息和具体发布时间。