泛林集团探索 SA-CFET 架构，6T SRAM 单元面积较 N3 缩小 52.7%

泛林集团提出 SA-CFET 晶体管架构，数字孪生工艺建模显示其可构建 6T SRAM 和 NOT、NAND、NOR 逻辑单元。6T SRAM 位单元面积为 0.0094 μm²，较 N3 缩小 52.7%，较 A7 CFET 设计缩小 19%；该结果来自建模和设计验证，不代表已进入量产阶段。