工业存储介质迭代：MRAM在PLC和智能仪表中的应用

文章梳理工业存储介质从EPROM、EEPROM到NOR Flash及多种NVRAM方案的演进，并介绍MRAM的非易失性、按字节寻址和35 ns写入周期。文中称，驰拓科技建有自有12英寸MRAM产线及90nm、40nm、28nm量产平台，其产品已用于故障录波、高频日志记录和宽温数据存储；文章还以PLC和智能电表说明高频写入与长期运行场景。