长鑫科技公布DRAM器件、4F架构及混合键合进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品
长鑫科技公布DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。公司介绍的4F架构相比行业主流6F架构，每个单元占4倍最小特征尺寸的平方，相关晶体管为自研VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。
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格隆汇快讯利好AI 评分6767 市场快讯利好精选AI 评分6969 长鑫科技公布DRAM新技术进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品
长鑫科技总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上公布公司在DRAM器件、4F架构及混合键合等方向的进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。报道介绍，4F架构每个单元占4倍最小特征尺寸的平方，相较DRAM行业主流6F架构，单位面积内晶体管数量会增多；其核心特色是自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。
推荐理由：报道梳理了长鑫科技4F架构与主流6F架构的差异，并说明VSG晶体管在提升存储密度中的作用。
市场快讯利好AI 评分4545 长鑫科技发布新型技术架构，海外存储龙头垄断壁垒面临重估
长鑫科技发布新型技术架构，三星电子、SK海力士等全球存储龙头股价近期明显回调。10月13日，三星电子和SK海力士跌幅均超过7%，10月14日跌幅收窄并企稳。业内人士认为，短期下跌反映交易情绪超调，长期则涉及市场对国际存储巨头垄断壁垒的重估；未来服务器市场可能分化。