消息称三星电子正开发优化吞吐量与随机性能的 zNAND-T、zNAND-I 闪存

IT之家援引 ZDNET Korea 报道称，三星电子正在开发面向 AI 负载的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存。zNAND-T 面向数据中心 AI 半导体需求，采用 TSV 堆叠 NAND Die，优化读写带宽；zNAND-I 强调少量数据频繁读写的随机性能，KV Cache 卸载属于相关场景。