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ASML 与蔡司称 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战是可用景深降低
ASML & 蔡司：未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深
AI 导读
ASML 与蔡司在 10 月 1 日发布的文章中表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”光学分辨率，并在 10 年左右面世。
来源：IT之家 · ithome.com
ASML 与蔡司称 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战是可用景深降低